本文介绍如何使用TSMC40nm工艺进行NMOS管的直流仿真，包括搭建仿真原理图、设置ADE仿真界面、进行直流仿真检查工作状态、计算gm/id和id/w等关键参数，以及进行参数扫描仿真。
采用的是TSMC 40nm 工艺，首先搭建一个用来仿真的原理图
仿真的管子为nmos_rf，标识为M0，其中栅极由直流电压源vg提供，漏级由直流电压源vdd提供。
ADE仿真界面设置，将两个变量添加进去，并分别设置一个初始值：
Analysis选择DC直流仿真：
进行直流仿真，查看NMOS管是否工作在饱和区。仿真结束，执行菜单栏命令【Results】→【Print】→【DC Operating Points】
然后点击NMOS管即可弹出管子的直流属性：
首先保证region为2，也就是管子工作在饱和区。然后执行菜单栏命令，调出Results Browser…
选择【dcOpinfo】，选择【M0】，找到参数gm，右键加入到计算器中：
可以看到在计算器中已经有相关公式了：
同样的，将电流id添加到计算器当中：
在ADE界面中，点击【Outputs】→【Setup…】
新建公式名称为gm/id，并在计算器中填写好gm/id的表达式，然后在窗口中点击添加公式：
同样的，找到instance中MOS管的w参量，同样右键添加到计算器当中：
新建公式名称为id/w，并在计算器中填写好/w的表达式，然后添加公式：
设置好的ADE界面如下：
执行菜单栏命令【Tools】→【Paramatric Analysis】进行参数扫描仿真：
对栅极电压进行扫描：
仿真结束后，会自动弹出仿真结果，但是可以看到波形并不是很美观，这里需要将两个曲线分左右Y轴查看。选中一条曲线，然后点击右键，选择Change Y Axis。
得到了我们想要的波形曲线：
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