本文详细介绍了半导体掺杂过程，解释了P型和N型半导体的形成，以及空穴和电子的扩散运动。接着阐述了PN结的形成，包括内电场、空间电荷区以及其单向导电性。最后，讨论了PN结的电容效应，包括势垒电容和扩散电容，并指出高频率下PN结可能失去单向导电性。
一、本征半导体掺杂
形成空穴。并且正三价离子无法移动，成为受主离子。即，每掺入一个三价离子，就产生一个空穴。P型半导体不带电：掺入一个B原子之后，B得到一个电子，-1价。Si失去一个电子，+1价。中和不显电性。
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