PMOS和NMOS管的区分和电路

最新推荐文章于 2025-08-16 11:56:41 发布
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分类专栏： 嵌入式系统
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/tq384998430/article/details/53908218
本文介绍了NMOS和PMOS晶体管的区别，并提供了NMOS管的使用方法，类似于NPN型三极管的使用。文章通过外部链接详细解释了这两种晶体管的工作原理和技术特性。
NMOS和PMOS的区别
m0_53033596的博客
05-28 2万+
文章所有公式、文字都是本人一个一个敲出来的，部分图是一点一滴画出来的，创作不易，对您有所帮助的话。
verilog学习笔记7——PMOS和NMOS、TTL电路和CMOS电路
qq_42135020的博客
09-08 6321
PMOS、NMOS电路，TTL电路，根据逻辑表达式画出电路图
怎么区分NMOS和PMOS？
YapNg_Lee的博客
07-29 1508
本文对比分析了NMOS和PMOS的结构特性与电路应用。NMOS采用P型衬底，通过正电压形成电子沟道，电流方向为漏极到源极，适用于低侧开关和高速逻辑电路；PMOS采用N型衬底，通过负电压形成空穴沟道，电流方向为源极到漏极，常用于高侧控制和电源切换。两者在衬底连接（NMOS接GND，PMOS接VDD）、阈值电压极性（正/负）和体二极管导向上存在本质差异。NMOS因电子迁移率高而速度更快，而PMOS在高侧控制中更具优势，但导通电阻较大时可用NMOS加自举电路替代。
NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路
学海无涯的专栏
03-25 3万+
1、分辨MOS管的方法 对于NMOS我们看下图中的箭头，都是远离源头。 对于PMOS我们看箭头，都是指向源头 P：POSITIVE积极的寻找自己的起源 N：NEGTIVE消极的远离自己的源头 首先明确一点，S是源极，D是漏极 对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。 对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。 上图出现的二极管为体二极管，在驱动...
NMOS管与PMOS管的区别与总结
热门推荐
weixin_43491077的博客
11-16 15万+
对MOS管的理解 MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。 MOS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管；PMOS管就是positive管，是积极的管，而NMOS管是negative管，是消极的管。积极的管就是顺应潮流，顺势而为；消极的管就是违背趋势，逆流而上。 很显然，电流从源极（输入端）到漏极（输出端），那就是顺势而为，因为源极就是源头嘛，因此这种管就是PMOS
NMOS和PMOS作电源开关
qlexcel的专栏
03-18 3771
NMOS低边开关电路切换的是对地的导通，PMOS作为高边开关电路切换的是对电源的导通。
【ShuQiHere】晶体管小科普：小白也能轻松懂的 PMOS 和 NMOS ✨
ShuQIHere的博客
10-12 2563
嘿，大家好！今天我们来聊聊电子世界中最重要的“小家伙”之一：**晶体管**，特别是 **PMOS 和 NMOS** 晶体管！它们可是现代电子设备中不可或缺的存在哦，手机、电脑、甚至你家里的智能家居设备都离不开它们。💡 那么，NMOS 和 PMOS 究竟是什么？它们有什么区别呢？今天就让我们一起来看看，保证你会有一个轻松愉快的学习之旅~ 🚀
NMOS和PMOS有什么区别
07-14
这种电路广泛应用于数字逻辑电路和集成电路设计中，例如微处理器、存储器和其他数字逻辑设备。 总结来说，NMOS和PMOS晶体管在导通特性、速度、导通电阻、驱动需求以及成本效益方面有所区别。NMOS晶体管以其较低的导...
NMOS与PMOS的区分及使用
10-21 5万+
1、箭头指向栅极G的为NMOS，反之为PMOS 2、箭头的方向代表了电子的运动方向，电流方向与之相反 3、P Channel mosfet current direction 源極的源是指載流子的起點；漏極的漏是指載流子的終點。載流子從源極出發，穿過溝道，到達漏極，從外部看，載流子最終從漏極漏出去了。顯然，NMOS和PMOS的載流子是不同的，因此導致了令人困惑的電流方向問題。盯住載流子即可，別被電流方向迷惑。 可以簡單地認為，柵極和襯底間的電壓超過閾值後，漏極和源極就接通了，而電流大小則
怎么区分PMOS和NMOS
06-05
嗯，用户想区分PMOS和NMOS晶体管。结合之前讨论的点焊技术，用户似乎是个电子工程领域的学习者或从业者，对技术细节有明确需求。用户提供的四篇引用材料非常详细，尤其是引用[2]中的记忆技巧和引用[4]的特性对比很有...
NMOS和PMOS的简单介绍
GodArtemis的博客
06-26 1万+
四是GS之间的寄生电容Cgs，所有的NMOS管都有，这是制造工艺的问题无法被避免，Cgs影响NMOS管的打开速度，因为栅极处的电压会首先给Cgs充电，导致GS之间的电压不能一下子到达给定值，有一个爬升的过程，当然因为Cgs比较小，所以我们平时感觉不到它，但Cgs对高速的PWM控制场景是致命的，当PWM的周期接近于这个爬升时间时，波形就会失真，Cgs与Rds之间成反比。NMOS管和PMOS管最主要的区别就是当栅极G为高电平时，NMOS管导通，为低电平时，NMOS管关闭，而PMOS管恰恰相反。
NMOS与PMOS LDO的概述
03-27
To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, would be appropriate choice.
DC-DC开关电源学习（一）---NMOS与PMOS内部结构，寄生/体二极管应用与参数，简单自举电路
m0_74041486的博客
01-31 9346
记录学习NMOS和PMOS管的硬件结构、工作原理和应用场景，以及简单自举电路与MOS管的应用
PMOS、NMOS 驱动电路和使用方法
qq_41544116的博客
07-25 6373
下图就是 PMOS 和 NMOS 的简单使用方法。D2 是指示灯，NMOS 的 G 连接单片机 IO，PMOS 的 D 连接 24V 继电器，PMOS 的体二极管作为继电器的反向电动势的吸收二极管PMOS 和 NMOS 不一样，在远超单片机电压下控制 PMOS 必须依靠一个 NMOS，不能用单片机的 IO 直接代替这里的 NMOS 作控制，不然高压会直接击穿单片机也许可以这么理解：PMOS 用于发送正电压，NMOS 用于接收正电压。
嵌入式硬件电子电路设计（五）MOS管详解（NMOS、PMOS、三极管跟mos管的区别）
你要拥有一个你喜欢并且热爱的人生
11-12 1万+
本文详细探讨了MOS管（NMOS和PMOS）的结构、工作原理、特性及其在嵌入式硬件设计中的应用。首先，MOS管作为一种场效应管，通过栅极电压控制源极与漏极的电流，与三极管的电流控制特性不同。NMOS和PMOS在导通条件和特性上存在差异：NMOS在栅极电压高于源极时导通，导通速度快、效率高，适合大电流应用；PMOS在栅极电压低于源极时导通，常用于高侧开关等等。
NMOS和PMOS的区别以及应用
最新发布
qq_40170041的博客
08-16 884
用控制导通，电流从，适合。：用控制导通，电流从，适合。箭头方向指向G的是NMOS，原理G的PMOS。
NMOS、PMOS、PNP、NPN三极管 做开关使用时的电路设计
weixin_42151788的博客
07-02 4万+
本文只介绍作为开关管使用时的电路设计 介绍电路之前，我们需要了解一下压控和流控的概念 压控：是指电压作为控制信号，理想状态下，对于MOS只要VGS的电压满足开启要求(Vth)，MOS管就导通 流控：是指电流作为控制信号，对于BJT，只要Ibe满足开启要求，三极管就会导通 记得第一次分析MOS管的导通状态的时候，还会各种考虑D级与G 极 D极与S极的电压关系；搞得自己脑袋疼； 记住不要去仅仅针对MOS管去分析各种关系，因为好多电压关系在实际应用中并不会出现 现在不要去想那些！...
如何用万用表快速测量MOS管的好坏？
记得诚
12-28 9454
今天的文章内容很简单，也很简短，但却很实用。 以NMOS举例，只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。 NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管，方向为S到D，利用二极管单向导电性以及MOS管导通时寄生二极管截止的特性，可以快速测量MOS好坏。 PMOS管WMS14P03T1中的Vsd参数 1、测量之前将MOS的3个极短接，可以用一根铁丝，泄放MOS管内部电荷，确认MOS管是关闭状态。 短接释放电荷确保MOS截止 2、将万用表调至二极管档，将红表笔接在MOS的S极，黑表笔接在D极，这时寄生二极管
NMOS和NPN型三极管是不是同一个东西？
weixin_48867130的博客
07-15 1456
NPN型三极管是一种双极结型晶体管，它使用电流控制电流流动的方式工作。它的结构主要包括三个区域：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。其中，发射极和集电极之间形成通道，而基极则用来控制发射极和集电极之间的通道是否导通。N沟道MOSFET是一种场效应晶体管，它利用电压控制电流流动的方式工作。它的结构主要包括三个区域：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。其中，源极和漏极之间形成通道，而栅极则用来控制源极和漏极之间的通道是否导通。
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