第八章nand flash控制器

第八章nand flash控制器

flash存储器的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块、和可擦除次数

一页528字节，分为a（0~255）、b（256~511）、c区（512~527）

发出80h、4个地址序列及最多528字节数据之后，发出命令字11h，仅在第4页的最后使用10h替代11h，来启动flash内部的写操作，此时可通过71h获知这些写操作是否完成

    （7）cp-back-program：00h、8ah、10h

     先发00h，4个源地址序列，此时源页的528字节数据很快就被全部读入内部寄存器；接着发出8ah，随之发出4个目的地址序列，最后发出命令字10h启动对目的页的写操作，写的过程中，使用70h查询是否完成

     （8）cp-back-program（dummy）：00h、03h、8ah、11h

        先发00h、源页地址，使得源页的528字节数据被读入所在的plane的寄存器，对于随后的plane的源页，发出03h和相应的地址将数据读入该plane寄存器；按照前述说明读出最多4页的数据到寄存器后，发出8ah、目的地址、11h，最后一页用10h代替11h以启动写操作。

     （9）block erase ：60h、d0h

          此命令用于擦除nand flash块（block），发出命令字60h之后，发出block地址。

     （10）multi-plane block erase：60h---60h D0h

          此命令用于同时擦除不同plane的block块，发出命令字60h之后，紧接着发出block地址序列，最多4个block地址，最后发出命令字d0h启动擦除操作

（11）读状态命令

    1.read statues：70h

     2.read-multi-planes status：71h

8.1.4

s3c2440 nand flash 的读写操作次序：

1.设置NFCONF、NFCONT 寄存器，配置NANDlash

2.向NFCMD寄存器写入命令

3.向NFADDR寄存器写入地址

4.读/写数据：通过 寄存器NFSTAT检测NAND FLASH的状态，在启动某个操作后，应该检测r/Nb信号以确定该操作是否完成、是否成功。

nfconf

设置nandflash的时序参数tacls、twrph0、twrph1，设置数据位宽；还有一些只读位

nfcont

被用来使能/禁止nand flash 控制器、使能/禁止控制引脚信号nFCE、初始化ecC.

NFCMD

对于不同型号的flash，操作命令不同

nfaddr

写这个寄存器时，将对flash发出地址信号

nfdata

只用低8位，读、写此寄存器将启动对nand flash的读写操作

nfstat：nand flash状态寄存器

只用到位0，0：busy；1：ready

8.2.1 读nandflash 步骤

1.设置nfconf 

tacls=0，twrph0=3，twrph1=0，所以nfconf=0x300

2.设置nfcont

nfconf=（1<<4)|(1<<1)|(1<<0)

3.复位nandflash

nfcont&=（1<<1)  //发出片选信号

nfcmd=0xff（reset 命令）//reset命令

nfcont|=0x2 //禁止nand flash

4.发出读命令

nfcont&=~（1<<1）

nfcmd=0 

5.send addr 

nfaddr=addr&0xff

nfaddr=(addr>>9)&0xff

nfaddr=(addr>>14)&0xff

nfaddr=(addr>>25)0xff

6.循环查询nfstat位0，直到他等于1，这时就可以读数据了

7.连续读nfdata寄存器512次得到一页数据

8.禁止nandflash片选信号

nfcont|=（1<<1）