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RSS订阅原创 Tricore
内存隔离：CSA与任务栈分离，避免栈溢出破坏上下文数据;（比如某函数导致栈溢出，在CSA机制下，仍然可以上层函数中，不至于系统立马崩溃）(在多核系统中，CPU1是无法通过Local地址直接访问DSPR0的，需要通过其全局地址_DSPR0_Global 访问)DSPR0: data scrach pad ram 数据擦写板RAM；4、上下文保存区(CSA_context Save Area)Tricore系统中，SRAM被划分为 PSPR；性能优化：硬件自动管理链表，减少栈操作的开销；3、栈(stack)
2025-04-21 11:58:04
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原创 VS_CODE使用
3.1-3.5 VS_CODE 工具栏__选择 有如上的快捷方式；2.5 打开函数列表和时间线(GIT记录)查找下一个/上一：F3/Shift+F3。3.3 复制添加到上/下一行；Alt + 左箭头/右箭头；2.7 查看引用(视图模式)3.1 选择光标位置至行尾；3.5 向上/下添加光标；2.6 转入函数/变量定义。在函数/变量定义处，单击；查看—打开视图—时间线；3.2 扩大/缩小选中；3.4 上/下移动一行；2.3整个文档代码对齐。选中+Ctrl+单击；3.6 随意添加光标；鼠标悬停变量/函数上。
2025-03-06 19:19:00
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原创 软件开发模型
根据需求设计系统架构、模块划分、接口定义等，输出《系统设计文档》。细化模块内部逻辑（如算法、数据结构），输出《详细设计文档》。(5)单元测试：验证代码单元（如函数、类）是否符合详细设计。文档重点 详尽的需求/设计文档 轻量文档，(3)详细设计：拆解模块，定义具体实现逻辑（如类、函数）。(8)验收测试：由用户参与，确认系统符合实际业务需求。(3) 迭代开发（Sprint，通常 2-4 周）收集用户需求，形成《需求规格说明书》（SRS）。需求极其明确且稳定（如军工、航天、银行核心系统）
2025-03-01 16:59:47
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原创 CRC-8算法简记
前七个字节左移完了，再与0xFF异或，得到最终校验值。字节0，与多项式异或，左移一个bit，再与多项式异或，再左移一个bit。(也可能是直接再左移)
2023-07-14 12:00:29
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转载 桥接芯片_
n\n在计算机领域，“芯片组”术语通常是特指计算机主板上的南桥/北桥芯片。\n\n下图为只有南桥的LGA 1155（Socket H2）主板\n\n\n\n\n\n科普时间 LGA 1156\n\nLGA是CPU插座类型，有1156个针脚。\n\n\n\n\n\n南桥芯片与北桥芯片\n\n芯片组由南桥和北桥芯片两部分组成，它在很大程度上决定了电路板（PCB）的功能和性能。\n\n\n\n\n\n南桥芯片\n\n南桥（英语：Southbridge）是基于个人电脑主板芯片组架构中的其中一枚芯片。
2023-04-21 10:34:31
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原创 IGBT笔记
IGBT跟三极管，MOS类似，就是开关作用。但它结合了两者优点，既能过高电压，又能过高电流。通过控制IGBT的开关频率来控制 输出的功率，从而改变电机的转速。IGBT一般是以组件的形式出现，里面集成了好几个IGBT。
2023-02-05 18:02:22
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转载 锂电池_析锂
常规负极过量不够的析锂当负极过量不足时，从正极脱嵌后来到负极的锂离子没有足够的嵌入空间，因而只能形成金属锂单质并析出在负极表面。由于负极过量不够程度一般是均匀的、正极脱嵌的锂离子也是均匀来到负极的，因此负极过量不够造成的析锂也都是均匀的一层，析锂严重程度的大小与负极过量不够的程度密切相关，过量不足程度越高则析锂越严重。
2022-11-18 13:51:44
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转载 金属锂的沉积
我们知道锂离子电池当中是不应该存在锂的金属形态，锂元素要么是以金属氧化物、碳锂化合物的形态存在，要么是以离子的形态存在。金属锂的沉积，一般发生在负极表面。由于一定的原因，锂离子在迁移到负极表面时，部分锂离子没有进入负极活性物质形成稳定的化合物，而是获得电子后沉积在负极表面成为金属锂，并且不再参与后续的循环过程，导致容量下降。这种情况，一般有几种原因造成：充电超过截止电压；大倍率充电；负极材料不足。过充电或负极材料不足的时候，负极不能容纳从正极迁移过来的锂离子，导致金属锂的沉积发生。大倍率充电时，由于锂离
2022-11-18 13:33:17
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原创 锂离子电池充电放电能量转换和原理(非专业)
LiFePO4正极材料，C负极材料充电在外加电场的作用下，正极失去电子(电子到了外加电路里)，负极从外加电路得到电子。由于Li+("喜欢"电子) ，Li+从正极跑到(嵌入)负极C上面待着。此时正极失去电子，同时失去Li+，达到电平衡。负极得到电子，得到Li+达到电平衡。此时能量转换为:外部电能 转化成 "化学能"存储在电池里。放电在充电时，LiFePO4（能较稳定的存在于自然界中），由于 外加电场正极对电子的强吸引力，失去了一个电子，同时Li+也跑了，变成了FePO4 ，此时PO4根离子为-
2022-11-18 11:34:00
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原创 万用表使用
电流档，相当于是导线，电流档测电压，很危险，相当于电源短路。电压表，相当于开路(有一个大电阻串在电路中）(交流电压档测直流电压，或者反过来，并没有什么问题)电阻档，万用表内部提供电源和一个已知电阻R0通过已知电阻和未知电阻串联分压，计算出未知电阻。注意测量电阻时，手只能拿到电阻的一端，不能两手握住两端，否则相当于测了 电阻和人的并联的等效电阻，值会变小。电流档，电阻档，测电压都是很危险的。所以应习惯性将表笔插在测电压的那个位置！
2022-11-13 23:47:55
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原创 嵌入式芯片产业链
上游：ARM公司等IP提供商。如：ARM设计CPU，GPU等ip的架构。智能手机的cpu几乎都是ARM架构的。中游：华为等，将各个IP购买过来，设计整个芯片的架构。嵌入式芯片是SOC(system on chip，系统芯片),芯片中除了cpu还集成了其他功能。区别于通用个人计算机 system on board ，通用芯片中 cpu 芯片就只是有cpu的功能。下游：台积电等企业，接收华为设计好...
2020-04-05 22:15:56
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转载 ROM(代码储存区)和RAM(数据储存区)
众所周知，51内部的存储器分为数据存储器RAM和程序存储器ROM。以AT89c51为例，其中有128字节随机存储器（又称数据储存器RAM）和4K字节的只读存储器（又称程序存储器ROM）。先说说这个4K字节的程序存储器或者说只读存储器，我们写的程序经过编译器编译成机器码都是存在这个区域，所以称为程序存储器；但单片机上电执行的时候，此区域内的数据只能读取而不能写入，他的只读存储器的名称从这而来。89...
2019-12-28 19:59:12
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转载 flash和EEPROM
之前对各种存储器一直不太清楚，今天总结一下。存储器分为两大类：ram和rom。ram就不讲了，今天主要讨论rom。rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，...
2019-12-19 20:26:30
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空空如也
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