反激电源的RCD吸收回路设计

1. 核心问题:为什么需要钳位?

要理解RCD钳位,首先要明白它要解决什么问题。

在反激式电源中,当主开关管(通常是MOSFET)关闭时,会发生两件事:

  1. 理想情况(磁化电流):变压器初级绕组的磁化能量通过磁场耦合,传递到次级绕组,由次级整流二极管输出给负载。这是我们期望的。

  2. 非理想情况(漏感能量):由于变压器初级和次级绕组不可能100%耦合,存在漏感。漏感中储存的能量无法传递到次级。

当MOSFET关闭时,漏感中的电流会突然被切断。根据电感公式 V = L * di/dt,电流的急剧变化(di/dt 极大)会在漏感上产生一个非常高的反向电动势(电压尖峰)。

这个电压尖峰会与输入的直流电压、以及变压器初级绕组自身的感应电压叠加在一起,施加在MOSFET的漏极(Drain) 上。如果不加以控制,这个尖峰电压很容易就会超过MOSFET的最大耐压(Vds max),从而导致MOSFET被击穿损坏。

RCD钳位电路的根本目的,就是为这个由漏感产生的危险电压尖峰提供一个安全的泄放通路,吸收其能量,从而保护主开关管。


2. RCD钳位电路的组成

RCD钳位电路由三个元件组成,并联在变压器的初级绕组两端(或者说并联在MOSFET的漏极和源极之间):

  • R(电阻):消耗能量的主角。

  • C(电容):吸收能量,利用电容电压不能突变的特性来钳制电压。

  • D(二极管):提供单向通路,确保能量只能流向RCD网络,而不会反向流动。


3. 详细工作原理(分阶段)

我们结合MOSFET的开关状态来分析:

a) MOSFET导通阶段(Ton)
  • MOSFET开通,初级绕组上有输入电压 Vin,电流线性上升,电能转化为磁能存储在变压器(包括励磁电感和漏感)中。

  • 此时,初级绕组同名端为负,异名端为正。钳位二极管D的阴极电压高,阳极电压低,因此二极管D处于反向偏置截止状态

  • RCD电路在此阶段不工作,电容C上的电压 Vclamp 基本保持不变。

b) MOSFET关断瞬间(Toff)
  • MOSFET突然关断,初级绕组电流企图突变。

  • 励磁电感的主要能量通过磁场耦合使次级二极管导通,向负载供电。

  • 但漏感的能量无法耦合到次级,它会产生一个极高的反向电压尖峰,其极性是:初级绕组异名端为,同名端为(与导通时相反)。

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