【电子电路】MOS管电平转换电路

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电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。

上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路,实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件,也有5V的器件,通过这个电路,大家就可以愉快地玩耍聊天了。

实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆,可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下,我喜欢用阻值更大的电阻,因为功耗更低更省电。
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原理分析

简化来看,留下I2C的一根线来分析就可以了,如下图:
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分四种情况:
1、当SDA1输出高电平时:MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管关闭,SDA2被电阻R3上拉到5V。

2、当SDA1输出低电平时:MOS管Q1的Vgs = 3.3V,大于导通电压,MOS管导通,SDA2通过MOS管被拉到低电平。

3、当SDA2输出高电平时:MOS管Q1的Vgs不变,MOS维持关闭状态,SDA1

### 使用MOSFET实现电平转换电路的设计与原理 #### 设计背景 在电子设计中,不同模块之间的电压标准可能不一致,因此需要通过电平转换电路来匹配高低不同的逻辑电平。例如,在低电压微控制器和高电压外围设备之间通信时,就需要一种可靠的电平转换方法[^2]。 #### MOSFET电平转换的工作原理 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用于开关应用的器件。利用其导通特性和栅极控制特性可以构建简单的电平转换器。当输入信号变化时,MOSFET的状态随之改变,从而完成从低电平到高电平或反之的转换过程[^1]。 具体来说,对于由两个NMOS组成的典型电平转换电路,其中一个MOSFET负责拉低输出端至GND,另一个则连接电源VDDH(较高工作电压)。这样设置能够确保即使驱动侧采用较低供电电压也能有效切换目标系统的状态。 #### 电路组成及功能说明 以下是基于两颗NMOS构成的基本电平转换电路: ```plaintext Vin (Low Voltage Side) | +--------+---------+ | | Gnd NMOS Q1 | +-------------+----+ | | VddL NMOS Q2 | +---------------+----- Vo (High Voltage Side) | VddH ``` - **Q1**: 控制来自低压域(Vin) 的信号传递给高压域。 - **Q2**: 将经过处理后的数据传输回更高操作级别的接收方作为最终输出Vo。 这种配置允许单向的数据流动方向是从Vin 到Vo ,适用于许多应用场景如UART接口中的TX/RX线路等场合下的简单而有效的解决方案。 #### 应用实例 - UART串口通信 在一个典型的异步全双工UART通信场景下,如果发送端运行于3.3V CMOS/TTL级别而接收端期望的是5V兼容性,则上述类型的电平移位网络将是理想的选择之一。它不仅提供了必要的电气隔离还保持了良好的性能指标包括快速响应时间和最小静态电流消耗等方面表现优异。 #### 注意事项 尽管此方案非常普遍且易于实施,但在某些特殊情况下仍需注意以下几点: - 确认所选MOSFETs具有足够的耐压能力以承受预期的最大源极-漏极间差额; - 考虑寄生电容效应对高速信号的影响可能会引起失真现象发生; - 对于双向通讯协议(I²C,SPI), 可能还需要额外考虑上拉电阻等因素影响整体行为模式[^3]。 ---
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