一、NAND Flash介绍和NAND Flash控制器的使用
NAND Flash在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘
常见的Flash有NOR Flash和NAND Flash,NOR Flash上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小;NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大。一般NOR Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据。
1)NAND Flash的物理结构
笔者用的开发板上NAND Flash型号是K9F1G08,大小为128M,下图为它的封装和外部引脚
I/O0-I/O7
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R/B
Vcc
Vss
N.C
K9F1G08功能结构图如下
K9F1G08内部结构有下面一些功能部件
①X-Buffers Latches & Decoders:用于行地址
②Y-Buffers Latches & Decoders:用于列地址
③Command Register:用于命令字
④Control Logic & High Voltage Generator:控制逻辑及产生Flash所需高压
⑤Nand Flash Array:存储部件
⑥Data Register & S/A:数据寄存器,读、写页时,数据存放此寄存器
⑦Y-Gating
⑧I/O Buffers & Latches
⑨Global Buffers
⑩Output Driver
NAND Flash 存储单元组织结构图如下:
K9F1G08容量为1056Mbit,分为65536行(页)、2112列,每一页大小为2kb,外加64字节的额外空间,这64字节的额外空间的列地址为2048-2111
命令、地址、数据都通过IO0-IO7输入/输出,写入命令、地址或数据时,需要将WE、CE信号同时拉低,数据在WE信号的上升沿被NAND FLash锁存;命令锁存信号CLE、地址锁存信号ALE用来分辨、锁存命令或地址。
K9F1G08有128MB的存储空间,需要27位地址,以字节为单位访问Flash时,需要4个地址序列
2)NAND Flash访问方法
NAND Flash硬件连接如下图:

命令字及操作方法
下图为K9F1G08的命令字
下图为K9F1G08的地址序列
K9F1G08有2112列,所以必须使用A0-A11共12位来寻址,有65535行,所以必须使用A12-A27共16位来寻址。
3)S3C2440 NAND Flash控制器介绍
NAND Flash的读写操作次序如下:
①设置NFCONF配置NAND Flash
②向NFCMD寄存器写入命令
③向NFADDR寄存器写入地址
④读写数据:通过寄存器NFSTAT检测NAND Flash的状态,在启动某个操作后,应该检测R/nB信号以确定该操作是否完成、是否成功。
下面介绍这些寄存器:
①NFCONF:配置寄存器
②NFCONT:控制寄存器
③NFCMD:命令寄存器
④NFADDR:地址寄存器
⑤NFDATA:数据寄存器
⑥NFSTAT:状态寄存器
二、NAND Flash控制器操作实例:读Flash
1)读NAND Flash的步骤
①设置NFCONF
②操作NAND Flash前,复位
③发出读命令
④发出地址信号
⑤循环查询NFSTAT,直到等于1
⑥连续读NFDATA寄存器,得到一页数据
⑦最后禁止NAND Flash片选信号
http://blog.163.com/chaoyongan@126/blog/static/31068420201112625630254/