34、物联网非易失性存储器技术综述

物联网非易失性存储器技术综述

1. 引言

随着物联网技术的飞速发展，非易失性存储器（NVM）在物联网设备中的应用越来越广泛。不同类型的非易失性存储器具有各自的优缺点，适用于不同的物联网应用场景。本文将对多种非易失性存储器技术进行介绍和比较，包括ReRAM、FRAM、SCM、STTRAM、TCAM、混合存储器以及其他相关技术。

2. 各类非易失性存储器技术

2.1 ReRAM、FRAM和SCM

• ReRAM ：
  • 优点 ：具有稳定的可穿戴防水特性，灵活性高；能减少数据存储所需的功率，避免覆盖操作；在数据写入时显著降低功耗，加快数据读取速度；可增强信号强度，便于清晰捕获长持续时间的信号。
  • 缺点 ：使用i - ReRAM存在过热和高成本问题；使用SRAM存在存储容量低、设计复杂和易失性的问题；使用ReRAM有额外成本和蚀刻工艺困难的问题；使用TRNG缺乏足够的灵活性，且需要验证随机性。
• FRAM ：
  • 优点 ：提高读写功能的能源效率。
  • 缺点 ：存储密度较低、成本较高，且整体容量有限。
• SCM ：
  • 优点