MOS管开关等效电路

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博客主要介绍了NMOS管和PMOS管的开关等效电路，属于电子信息技术领域的基础内容。

1、NMOS 管开关等效电路


2. PMOS管开关等效电路。


场效应管（MOSFET）的等效电路
a9062985的博客
04-16 7458
第二阶段：t1～t2，栅极电压将从开启电压 上升到米勒平台电压，场效应管器件从开始导通到工作在可变电阻区，漏极电流 与栅极电压 之间的特性叫做转移特性，栅极电流分别流入寄生电容Cgs和Cgd，MOSFET的输出漏极电流 由0随电压 的电压开始上升；图2示一个N沟道场效应管的等效电路，其中电容Cgs，Cgd，Cds分别为MOSFET栅源电容、栅漏电容(米勒电容)及漏源电容，是MOSFET的寄生电容，可以从元器件数据手册中查得。并维持恒定，此时，功率MOSFET工作于饱和区；图1N沟道场效应管的输出特性曲线。
MOS管米勒效应
xuxudeta的博客
09-11 5614
米勒效应
功率 MOSFET的等效电路
11-01
功率 MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路，稳态特性总结；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路；功率 MOSFET的开通和关断过程原理；因二极管反向恢复引起的 MOSFET开关波形；功率 MOSFET的选择原则与步骤等。
功率MOSFET的正向导通等效电路
学海无涯的专栏
09-01 6057
转自：https://bbs.elecfans.com/jishu_2153801_1_1.html 一、功率MOSFET的正向导通等效电路 1）等效电路： 2）说明： 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。二、功率MOSFET的反向导通等效电路（1） 1）等效电路（门极不加控制）： 2）说明： 即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOS
MOS管开关电路
STM32F103_2018的博客
05-10 3万+
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达...
每天学习一个电路----mos管开关电路
最新发布
T99886777的博客
09-13 4745
NMOS 与 PMOS 管开关电路的核心差异源于导电沟道类型，决定了其电压偏置方向与应用场景：NMOS 适合低侧开关（接地侧控制），驱动简单且导通电阻小；PMOS 适合高侧开关（电源侧控制），但驱动较复杂。实际设计中需重点关注栅极驱动电压、导通电阻、负载特性及保护电路，确保开关可靠、高效工作。
mos管结电容等效模型_详解各元器件等效电路_电阻、电容、电感、二极管、MOS管...
weixin_34319902的博客
12-24 2500
电阻等效电路图1 电阻等效电路电阻的等效阻抗同一个电阻元件在通以直流和交流电时测得的电阻值是不相同的。在高频交流下，须考虑电阻元件的引线电感L0和分布电容C0的影响，其等效电路如图1所示，图中R为理想电阻。由图可知此元件在频率f下的等效阻抗为式 1上式中ω＝2πf， Re和Xe分别为等效电阻分量和电抗分量，且式 2从上式可知Re除与f有关外，还与L0、C0有关。这表明当L0、C0不可忽略时，在交流...
mos管结电容等效模型_MOS管的防冲击防反接电路
weixin_29179583的博客
01-14 1711
MOS管的反接和抑制冲击一：原理分析MOS管由于生产工艺等因素，会产生相应的寄生电容，体二极管等。Mos管的寄生电容如图1所示，可以看到其具有三个寄生电容：G和S的电容Cgs；G和D的电容：Cgd，也称为反向传输电容、米勒电容、Crss；D和S的电容Cds。D和S之间的体二极管D1.图 1：MOS管等效模型寄生电容的数值可以从元器件的datasheet中得到,如图2，图3：Ciss(输入电容)=C...
详细分析MOS管缓启动电路及其原理详解
树卡花
02-11 1万+
在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述： 尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。一般来说，电子工程师通常基于栅极电
硬件基础：带缓启动MOS管电源开关电路
domen_pan的博客
03-19 1万+
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时，三极管Q2的基极被拉低到地，为低电平，Q2不导通，进而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不导通，+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平，三极管Q2关闭，电容C1与G极相连端通过电阻R2放电，电压逐渐上升到5V，起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V，负载是个大容量电容的时候，电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V，电容充电电流会非常大。从公式可以看出，当电容容量越大，电压越高，时间越短，电流就会越大，从而形成浪涌电流。
mos管开关电路图大全
07-14
mos管开关电路图（一） 图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时，正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位，三极管导通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地，三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地，Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0，读取固件程序检测等一系列动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极，保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机键断开Q1的基极电压，这时候有主控送来的控制电压保持着，Q2也就一直能够处于导通状态，Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压！SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压，给主控P
MOS管开关电路原理图(常用驱动电路设计及应用
08-12
MOS管开关电路原理图(常用驱动电路设计及应用 讲解
MOS管场效应管构成的基本放大电路（等效的过程、gm的推导、基本共漏源极输出器、基本共源、对比三极管）
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阿兰你在哪
06-30 4万+
场效应管构成的基本放大电路 场效应管的微变等效电路 在小信号的工作条件下，场效应管工作在恒流区的时候，可以像三极管一样用微变等效电路来分析。 回想三极管的输入特性曲线，因为ib电流的存在，所以输入回路中求得是静态工作点切线得斜率，也就是电阻rbe，表征得是小信号输入时Ube与ib之间得关系因此输入回路是一个电阻rbe，输出回路中ib又与ic之间成比例，所以输出回路近似等效为一个流控电流源。 场效应管中因为栅源之间呈现很高的电阻，基本不从信号源索取电流，所以可以认为栅源之间为开路。在输出回路中，我们研究的是其
基于MOS管的开关电路
小醒爱硬件的博客
02-27 1万+
不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
mos管结电容等效模型_MOSFET剖面与等效电路图
weixin_29560137的博客
12-24 3092
功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒(而不是每微秒)的能力来估量。但尽管如此，它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。图 MOSFET剖面与等效电路图图 是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。(就...
【电路】MOS管开关电路
AuroraSmith的博客
11-15 6250
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：有3个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。
mos管关断等效电路
04-19
### MOS管关断时的等效电路及相关原理分析 MOS管在关断过程中涉及复杂的动态行为，主要受到内部寄生电容的影响。以下是关于MOS管关断时的等效电路及原理的具体分析。 #### 1. 寄生电容对关断过程的影响 MOS管内部存在多个寄生电容，主要包括漏源极间电容 \( C_{ds} \)、栅源极间电容 \( C_{gs} \) 和栅漏极间电容 \( C_{gd} \)[^2]。这些电容在MOS管的工作状态切换过程中起到重要作用。特别是在关断瞬间，\( C_{gd} \) 的充放电特性显著影响了关断的速度和稳定性。 - 当MOS管进入关断过程时，栅极驱动信号迅速降低至零伏特或低于阈值电压 \( V_{th} \)。 - 此时，由于 \( C_{gd} \) 存在耦合作用，漏极电压的变化会引起栅极电压的小幅波动（即所谓的“米勒效应”）。这种现象可能导致关断延迟并增加开关损耗。 #### 2. 关断过程中的等效电路建模 为了更好地理解MOS管关断时的行为，可以通过建立简化等效电路模型来进行分析： - **初始阶段**：当栅极驱动器停止提供足够的电流维持高 \( V_{gs} \)，栅极开始放电。此时的主要路径是从栅极到地，通过外部驱动回路以及内部 \( C_{gs} \) 放电。 - **中间阶段**：随着 \( V_{gs} \) 下降，漏极电压因负载条件发生变化而上升。此期间，\( C_{gd} \) 起到了关键作用，它将部分漏极电压变化传递回栅极，造成额外的放电需求。这一阶段对应于米勒平台区域，在该区域内 \( V_{gs} \) 几乎保持不变，直到 \( C_{gd} \) 完成充分放电为止。 - **最终阶段**：一旦 \( C_{gd} \) 彻底放电完毕，则整个器件完全退出饱和区转入截止模式；此时仅剩少量残余电荷存储于 \( C_{ds} \) 中等待进一步释放完成彻底关闭动作。 ```python # Python仿真代码片段展示如何计算不同参数下的关断时间 import numpy as np def calculate_turn_off_time(C_gs=1e-9, R_g=10, C_gd=5e-12): """ 计算MOSFET关断所需的大致时间 参数: C_gs (float): 栅源电容，默认单位法拉(F) R_g (int/float): 外部栅极电阻，默认单位欧姆(Ω) C_gd (float): 米勒电容，默认单位法拉(F) 返回: float: 预估总关断时间(s) """ tau_initial = R_g * C_gs # 初始RC常数 tau_miller = R_g * C_gd # 米勒平台延长后的有效RC常数 total_time = tau_initial + tau_miller return total_time print(f"预计关断时间为 {calculate_turn_off_time()} 秒") ``` 以上程序简单估计了一个典型场景下考虑两个重要因素——栅极串联阻抗与米勒乘积效果之后得出的结果。 #### 3. 实际应用注意事项 在实际工程实践中，优化MOS管的关断性能通常需要综合考量以下几个方面： - 合理选择合适的栅极电阻大小以平衡开关速度与电磁干扰水平； - 设计良好的PCB布局减少杂散感应量从而改善整体效率表现； - 对某些特殊场合可能还需要引入主动钳位策略抑制过冲等问题发生。 ---
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