Silvaco 学习笔记——材料参数

最新推荐文章于 2025-03-18 17:37:04 发布

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分类专栏： Silvaco 器件仿真文章标签：学习

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/reactortiger/article/details/126497344

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Silvaco 器件仿真专栏收录该内容

12 篇文章

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博客介绍了材料参数选取与物理模型有关，并给出常用参数及说明。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

材料参数和物理模型的选取有关，常用的参数及说明如下

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silvaco 学习笔记 2——自定义材料

reactortiger的博客

07-29

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Silvaco 器件仿真时添加新材料时使用方法

silvaco学习日记（五）--改变材料参数并且使用

weixin_43262021的博客

11-11

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用了很久才改变材料的参数并且使用，主要原因还是被之前的编程语言所束缚，将自定义材料的语句放在了比较靠前的位置，而实际上，这些语句应该放在最后面我们先看一下改变材料参数的语句： material material=sic-4H permittivity=9.66 eg300=3.26 \ egalpha=6.5e-4 egbeta=1300 vsat=2.0e7 ksrhgn=-1.7 ksrhgp=-1.7 \ ksrhtn=5e-9 ksrhtp=2e-7

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Silvaco Atlas从头开始（四）——定义材料参数和模型

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qsz1425AWD2121的博客

03-18

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这部分是关于定义材料参数和模型。

Silvaco TCAD如何定义Tcad中没有的材料？

羊藤枝的博客

11-02

1万+

在Atlas中定义新材料需要三个基本要素： material=Ga2O3 user.default=GaN user.group=semiconductor material=Ga2O3：定义新材料的名字，这里我要定义的材料是氧化镓。 user.group=semiconductor ：我要定义的材料属于半导体这一组，一般包含三组，分别是导体，半导体，绝缘体。代码如下： user.group=...

Silvaco新手修炼手册（入门学习方法与参数英文声明）

raining002的博客

12-06

1万+

自己记录的而已

Silvaco讲义

03-18

Silvaco讲义

Silvaco学习笔记（十四）——获取器件特性（毕设相关）

qq_48136563的博客

03-30

1万+

在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。电压和电流的施加使用solve状态，log和save 是将计算得到结果分别保存为日志文件和结构文件。Log语句需要在solve之前，这样solve的数据才能得到保存。

Silvaco学习笔记——Save，log

reactortiger的博客

08-20

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Silvaco 仿真中文件的保存方法

Silvaco 学习笔记——物理模型：载流子产生复合模型

reactortiger的博客

08-02

1万+

对载流子的复合机制进行总结

Silvaco 学习笔记 3——物理模型：迁移率模型

reactortiger的博客

07-29

5356

讲解了Silvaco 器件仿真中的一个重要模型，迁移率模型的使用方法

silvco学习资料.pdf

04-22

silvaco学习资料，很基础，适合初学者。因为毕业设计要用到这个软件，找了所有的资源发现很难找到学习资料。

SILVACO_TCAD-2014_软件包官方说明&安装指南(中文)

04-08

SILVACO_TCAD-2014_软件包官方说明&安装指南(中文)

Silvaco-LearningNote:Silvaco学习笔记

04-19

《Silvaco学习笔记》是一份详尽的资料，涵盖了Silvaco软件的使用和学习内容。Silvaco是一款在半导体工程领域广泛应用的仿真软件，主要用于晶体管、电路以及器件的模拟和设计。该笔记可能包含了Silvaco软件的基础操作...

Silvaco TCAD仿真2——Silvaco TCAD 档名

weixin_41788560的博客

09-11

2698

silvaco档名 1. Input file:：xxx.in 2.Output file：xxx.out 3. Device structure file：xxx.str 4. Device lV or cv ... file：xxx.log --- raw date 5.lmage file: xxx.pngsimflags 1.指定版本: go <simulator> simflags="-V x.xx.x.R" For example: go athena simf...

silvaco器件仿真（一）-----宽禁带材料的雪崩击穿

qq_37732833的博客

01-19

7589

仿真宽禁带材料（4H-SiC，Eg300=3.26ev）雪崩击穿的击穿，由于电流过小可以通过配置系统提高求解的浮点精度和仿真速度。 go atlas simflags="-P 4 -256" si_sic10x：cathode负压0到-25，acathode接0，anode接大电阻1e20，（SiC暗态雪崩击穿）击穿电压约为20.347v， si_sic0x1：anode接0，aanode接大电阻1e20，cathode负压0到-25，（SiC/Si异质结暗态雪崩击穿） s..

Silvaco学习笔记（二）毕设相关

qq_48136563的博客

03-02

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毕设学习笔记——PIN器件击穿特性研究

Silvaco学习笔记（三）毕设相关

qq_48136563的博客

03-04

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文献调研

Silvaco学习笔记（一）毕设相关

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03-01

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silvaco仿真的思路和想法

silvaco例子库——mos1/mos1ex01和mos1/mos1ex02的区别

03-16

<think>好的，我现在要回答用户关于Silvaco例子库中mos1ex01和mos1ex02的区别的问题。首先，我需要回忆这两个例子的内容，或者查找相关资料。由于我之前接触过Silvaco TCAD的一些例子，可能记得一些基本信息，但可能需要进一步确认细节。用户提到参考的引用是关于MOS管暗条件电流的获取方法，其中涉及solve命令的参数设置。这可能与例子的仿真设置有关。那么，mos1ex01和mos1ex02可能都是关于MOSFET的仿真示例，但侧重点不同。首先，我应该确认这两个例子的主要目的。比如，mos1ex01可能是一个基础示例，演示如何建立MOSFET结构并进行基本的特性仿真，如转移特性或输出特性。而mos1ex02可能在mos1ex01的基础上增加了更复杂的分析，比如温度变化的影响、不同沟道长度的比较，或者是噪声分析等。另外，用户提到的引用中使用了vgate、vdrain等参数，这可能涉及直流扫描的设置。例如，mos1ex01可能进行简单的栅极电压扫描，而mos1ex02可能同时改变漏极电压或温度参数，进行更复杂的参数化分析。接下来，我需要考虑这两个例子在结构上的差异。比如，网格划分、材料参数、掺杂分布是否有不同？或者仿真步骤中的物理模型是否不同，例如是否启用了迁移率模型、复合模型等高级选项？此外，输出结果的处理也可能不同。比如，mos1ex01可能只提取阈值电压和漏电流，而mos1ex02可能进行更多的参数提取，如跨导、导通电阻，或者进行AC分析、瞬态分析等。可能还需要查看例子中的具体命令，比如是否使用了不同的solve语句，或者在提取数据时使用了不同的方法。例如，引用中的solve命令设置了不同的电压步长和最终值，可能用于生成IV曲线，而另一个例子可能使用不同的参数来研究其他特性。总结来说，mos1ex01和mos1ex02的区别可能在于仿真目标、参数设置、物理模型的应用以及结果分析的方法。为了准确回答，我需要确保这些信息正确无误，可能需要参考Silvaco的官方文档或例子说明，或者基于已有的知识进行合理推断。同时，用户可能需要了解如何根据不同的研究需求选择使用哪个例子，或者如何修改这些例子以适应自己的仿真需求。因此，回答时应明确两者的应用场景和设计目的，帮助用户理解其差异。</think>Silvaco TCAD中的`mos1ex01`和`mos1ex02`是两个典型的MOSFET仿真示例，主要区别体现在**仿真目标**和**参数设置**上： 1. **mos1ex01** 该示例聚焦于MOSFET的**基本直流特性分析**，包括阈值电压提取和转移特性曲线（$I_{\text{D}}$-$V_{\text{G}}$）的生成。通过逐步扫描栅极电压（`vgate`），结合`solve`命令的步进参数（如`vstep=0.1`），观察漏极电流随栅压的变化[^1]。其代码结构通常包含： ```tcl solve vgate=0 vstep=0.1 vfinal=2 name=gate ``` 输出结果以线性区的电流-电压关系为主，适用于理解MOSFET的基本工作原理。 2. **mos1ex02** 此示例在`mos1ex01`的基础上增加了**多参数协同分析**，例如同时扫描栅压和漏压（`vdrain`），或引入温度变量（`temperature`）以研究器件热效应。代码中可能包含嵌套的`solve`命令： ```tcl solve vdrain=0.1 vstep=0.5 vfinal=2 name=drain solve vgate=0 vstep=0.2 vfinal=3 name=gate ``` 这种设置允许生成二维电流曲面（如$I_{\text{D}}$-$V_{\text{G}}$-$V_{\text{D}}$），更适合分析饱和区特性或短沟道效应。