MEMS器件可靠性、失效分析及成像技术全解析
1. RF - MEMS电容式开关可靠性与失效分析
1.1 RF - MEMS概述
RF - MEMS被称为“下一代杀手级MEMS”,用于射频开关、可调电容器和自适应阻抗匹配等,应用于基站、汽车防撞雷达、GPS等众多领域。与固态器件相比,它具有低损耗、高隔离度、良好线性度等优点,还能实现更高程度的小型化和平面集成,降低成本。目前全球有超100家机构和公司参与其设计与开发,预计在2004 - 2005年实现重大突破。
1.2 工作原理
RF - MEMS开关和可调电容器通过机械运动实现短路或电容变化。以电容式RF - MEMS开关为例,金属桥(多为铝或铝合金)两端固定在接地线,跨接信号线。信号线局部覆盖电介质(如SiO₂、SiN或Ta₂O₅)。桥处于上位置时,桥与信号线间电容小,射频信号可低损耗通过;施加直流电压使桥下拉,电容增大,射频信号接地短路。
1.3 可靠性与失效问题
RF - MEMS的可靠性周期在10亿到100亿次之间,不同应用要求差异大。常见的可靠性和失效问题包括梁材料的机械完整性、功率处理能力、粘连以及电介质充电等。此外,封装也是重要问题,理想情况是在晶圆级进行低湿度密封封装,但目前封装成本高,且对开关功能和可靠性的影响仍需关注。
1.4 典型失效模式及分析技术
1.4.1 牺牲层去除问题
释放桥的过程中,若牺牲层去除不完全,会残留于桥下,玻璃晶圆可通过光学观察,硅晶圆则需红外共焦激光显微镜检测。此外,去除牺牲层后,残留的冲洗液会因毛细力导致粘连,可通过冷冻干燥、超临界干燥、使用蒸汽
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