All About Persistent Memory Flushing

最新推荐文章于 2024-10-11 10:38:22 发布
原创 最新推荐文章于 2024-10-11 10:38:22 发布 · 347 阅读 · 0 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
文章标签：

#非易失内存

All About Persistent Memory Flushing

发现很多的NVM一致性的文章都在说flushing cacheline以及原因是写内存指令重排序等，但是好像都没有很清楚的解释为什么要刷？为什么NVM就需要如此重视这个问题而块设备就不需要？所以看了一篇Storage Developer Conference 2017上Intel和Oracle的工程师分享的talk。

lecture链接：https://max.book118.com/html/2020/0806/6201224125002225.shtm

我们将在后面解释：

  1. 为什么flushing对于NVM非常重要？以及什么时候我们不需要关心这个问题？
  2. 一些容易混淆的技术以及他们之间的区别：
  • visibility and persistence
  • msync/fsync, FlushFileBuffers
  • Optimized Flush
  • x86 instructions: CLFLUSHOPT/CLWB
  • Deep Flush
  • Flushing to remote persistence
    请添加图片描述

Intel也提出了Asynchronous DRAM Refresh的概念，负责把Data in flight上的数据写回到内存中，保证持久性。ADR只能保证Write Pending Queue以及PMEM缓存中的数据，但是无法保证Cache中的数据在崩溃时也成功写回。所以目前就需要通过CLFLUS

最低0.47元/天 解锁文章
LuoboLiam
关注
什么是In-Memory计算？ Mastering In Memory Computing:A Comprehensive Guide
AI天才研究院
07-20 3151
作者：禅与计算机程序设计艺术 什么是In-Memory计算？ In-memory computing refers to the process of executing computational tasks by storing input and output data i
Armv8.2 体系结构扩展--原文版
baron-周贺贺-代码改变世界ctw
08-19 118
The Armv8.2 architecture extension is an extension to Armv8.1. It adds mandatory and optional architectural features. Some features must be implemented together. An implementation is Armv8.2 compliant if all of the following apply:An Armv8.2 compliant impl
Intel 加速分布式计算系统的三个神器
weixin_33920401的博客
07-04 438
Intel 为了更好的卖他们家的cpu，花了不少力气参与分布计算社区的开发，比如spark。如果真正用好这些芯片提供的特性，确实可以极大的提升分布式计算系统的性能。 SIMD 传统的计算指令输入是两个数，输出是一个数。SIMD指令的输入是两个数组，输出是也是数组。这就使得批量计算的效率大大提高了。Intel的CPU从最早的MMX指令...
2020 存储技术热点与趋势总结
SmartX 超融合
05-31 1035
2 年前我们发表了一遍文章2018 存储技术热点与趋势总结，受到了不少朋友的关注。2 年过去了，存储行业也在不断的发生着变化。今天，我们就结合过去两年学术界和工业界的进展，帮大家做一次总结，供大家参考。 本文内容会涉及到 Persistent Memory、Consensus、Consistency、 Persistent Memory（PMem） PMem 在 2018 年的时候还仅限于学术界的探讨，而如今已经来到了工业界。Intel 在 2019 年 4 月份发布了第一款 Intel Op..
【NVM】持久内存的架构
qq_43543209的博客
05-22 1428
1.缓存行与纠错码纠错码（Error Correcting Code，ECC）用来保护持久内存的数据正确性，涉及两个缓存行，这也意味着读操作会读出两个缓存行的数据。而对于写操作，持久内存控制器会尽量同时处理两个缓存行来优化性能。但是对于写一个缓存行，持久内存会通过读—修改—写来完成操作（ECC重新计算）。2.介质的组织持久内存的介质被组织成ECC块，每个ECC块包括4个微处理器缓存行（每个64字节）、4个毒药标志位（对应4个缓存行，存储在元数据中）、其他元数据（每个缓存行的状态）和ECC。
Persistent Memory优化实践
杰特JET的博客
05-24 1480
Persistent Memory优化实践Persistent Memory的优缺点相关论文A Study of Application Performance with Non-Volatile Main MemoryWrite-Optimized and High-Performance Hashing Index Scheme for Persistent Memoryclosing the gap between DRAM with PM for key-value storeChallenges
DRAM原理
最新发布
qq_39578202的博客
10-11 1201
现在我们知道了在一个简单的SRAM芯片中进行读写操作的步骤了了，然后我们来了解一下普通的DRAM芯片的工作情况。DRAM相对于SRAM来说更加复杂，因为在DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新，这也是它们之间最大的不同。下面看看DRAM芯片的针脚的作用。最早、最简单也是最重要的一款DRAM芯片是Intel在1979年发布的2188，这款芯片是16Kx1 DRAM 18线DIP封装。
【数据库系统】RocksDB 极简教程
热门推荐
AI天才研究院
03-15 2万+
LevelDB 是一个google实现的非常高效的kv数据库，是典型的LSM-tree的实现。leveldb是一个写性能十分优秀的存储引擎，是典型的LSM树(Log Structured-Merge Tree)实现。LSM树的核心思想就是放弃部分读的性能，换取最大的写入能力。LSM树写性能极高的原理，简单地来说就是尽量减少随机写的次数。对于每次写入操作，并不是直接将最新的数据驻留在磁盘中，而是将其拆分成：（1）一次日志文件的顺序写（2）一次内存中的数据插入。
Chrome的启动参数
Criss@陈磊
02-23 5476
List of Chromium Command Line Switches Condition Explanation --[1]⊗ Classic, non-material, mode for the |kTopChromeMD| switch.↪ --0⊗ Value of the --profiler-timing flag that will disable timin...
C语言内嵌汇编学习笔记
已迁移至 https://seekstar.github.io/
02-27 681
gnu gcc中关于Extended Asm的文档： https://gcc.gnu.org/onlinedocs/gcc/Extended-Asm.html Basic Asm文档： https://gcc.gnu.org/onlinedocs/gcc/Basic-Asm.html#Basic-Asm 这里只谈Extended Asm。 Extended Asm的基本语法： asm asm-qu...
【CXL协议-复位、初始化及管理（9）】
Summer的博客
03-20 2776
CXL设备的三种复位：Hot reset：通过链路触发（（LTSSM 或 linkdown））Warm reset：通过外部信号触发 （PERST）Cold reset：通过外部信号触发，并伴随电源开关这三种复位被归纳为传统（Conventional）复位。Function级复位和CXL复位不是传统复位。
NVM[非易失内存编程] 通过编译器内置函数 (Intrinsic Functions) 发射 CLFLUSH、CLFLUSHOPT、CLWB、NTSTORE、MFENCE、SFENCE 等指令
sinat_22510827的博客
07-15 817
[NVM Programming] A Brief Guidance: How to Issue CLFLUSH, CLFLUSHOPT,CLWB, NTSTORE, LFENCE, MFENCE, SFENCE .etc via compilers’ intrinsic functions 日志： 2018-08-02：提交了第一版； [NVM Programming] A Brief Guidance: How to Issue CLFLUSH, CLFLUSHOPT,CLWB, NTS.
持久化内存挑战PERSISTENT MEMORY CHALLENGES
Sylvia_Wu51的博客
07-21 1436
持久化内存挑战 翻译自论文：Memory Management Techniques for Large-Scale Persistent-Main-Memory Systems Storage Class Memory (SCM) 带来的独特机遇带来了一系列新的编程挑战（1）data consistency 数据一致性； (2) 数据恢复 data recovery； (3) persistent memory leaks 持久性内存泄漏； (4)partial writes 部分写入； (5) pers
DRAM的刷新
Riak, Spark, Golang, Erlang, 云存储, 云计算, 数据挖掘
02-17 1万+
4.DRAM的刷新 　动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全 部刷新一遍为止，这一段时间间隔叫刷新周期。     常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 　　集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一 段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行进行刷新整个存储器的平
Linux 存储 Stack详解
09-16 5057
Linux Kernel IO Stack
容器与持久数据
weixin_34204057的博客
09-19 161
本文讲的是容器与持久数据，【编者的话】如何持久化保存容器的数据，这是自Docker诞生之日起就一直存在的问题。本文介绍了多个与此相关的项目，包括Raft算法、Etcd、CockroachDB、Flocker和高可用PostgresSQL集群Governor等。 越来越多的用户想容器化所有的基础设施，这不仅包括web服务器、队列和代理服务器，还包括数...
RAM，ROM和Flash memory等存储器的比较
多媒体开发者
06-20 8065
介绍一下嵌入式开发中经常用到的存储设备，下图是对计算机中的内存设备做一个总结，感兴趣的可以对照本图仔细研究，本文不会全部介绍，只是介绍一部分常用的 对照上图本文介绍一下RAM，ROM和Flash memory RAM(Random-access memory)随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)
[非易失内存编程] 通过编译器内置函数 (Intrinsic Functions) 发射 CLFLUSH、CLFLUSHOPT、CLWB、NTSTORE、MFENCE、SFENCE 等指令
猫科龙
08-02 7342
介绍了 CLFLUSH、CLFLUSHOPT、CLWB、NTSTORE 等持久化指令，并提供了通过编译器内置函数 (Intrinsic Functions) 发射这些指令的方法。
Intel Optane DC Persistent Memory的介绍
05-22
Intel Optane DC Persistent Memory是一种新型的存储技术，它采用了3D XPoint非易失性存储介质，可以在高速缓存和DRAM之间作为一种更大的容量、更快速的存储层。与传统的非易失性存储介质（如SSD或HDD）相比，Intel Optane DC Persistent Memory具有更快的访问速度、更高的写入寿命和更高的稳定性。 Intel Optane DC Persistent Memory可以在服务器中用作系统内存扩展，这意味着服务器可以具有更大的内存容量，从而提高应用程序的性能和可扩展性。此外，它还可以作为一种高速缓存层，加速访问频繁使用的数据和应用程序。 总之，Intel Optane DC Persistent Memory是一种创新的存储技术，可以为高性能计算和数据中心提供更快、更可靠和更高容量的存储解决方案。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值