三极管和mos管

1三极管

NPN（箭头向外）三极管，若三极管导通，则必然要有电流流过ce或ec，也就是三极管CE两侧必须要有电源。（集电极要高，发射极要低），电子由发射极到基极的定向移动引起发射极到集电极的电子定向移动。（电子移动共两个回路）

硅材料三极管基极电压＜0.6v，eb就不导通，此时截止

当电压处于0.6v~0.7v时，Ic=βIb，此时对cb端有放大作用

当电压＞0.7v时，处于饱和状态

PNP（箭头向内）三极管，若三极管导通，则要有电流从e流向c，此时电子由基极向发射极的定向移动引起集电极电子向发射极移动。电流方向与之相反，箭头方向就是电流的方向。

开关电路利用三极管的截至和饱和，在0.6v~0.7v时，电流有线性放大关系。

2mos管

给纯硅分别掺杂三价硼和五价磷，分别得到P型半导体和N极半导体，空穴带正电，自由电子带负电。对两种半导体进行掺杂，P区带正电的空穴会吸引N区带负电的自由电子，PN半导体放一起，就构成了二极管。

MOS管的栅极输入阻抗非常高，这是因为有绝缘层的存在，几乎限制了电子的定向运动。箭头符号代表了电子的运动方向。把所有竖着的黑线当成是铁板，实际上三极管的N沟道产生的原理就是电容的电荷聚集。

下面是他的伏安特性曲线：