大疆C板缓启动电路分析和实践

一、电路移植

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以上是根据大疆C板的缓启动电路画的原理图，其中稳压管，三极管，pmos管重新选型（因为是自费，所以感觉测试功能的话还是低成本比较好。。）

二、电路分析（过压保护比较简单，就忽略了，直接分析缓启动部分）

首先需要知道两个点：

1、电容在上电瞬间是短路的！

2、三极管的基极和发射极可以看作一个二极管（只是看作！）

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电路分析：

上电瞬间，电容处于短路状态，如果没有三极管的话，点3的上端电压为：VABT*R21/(R19+R21)，但此时有PNP三极管，会有一个二极管的钳位作用，即点1和点2之间的压降为二极管导通压降。

整理思路：上电瞬间，点1电压为VBAT，点2电压为VBAT-Vd（Vd为二极管正向导通电压），点3电压等于点2电压。

而后，点3电压缓慢下降，下面为不同条件下点3电压变化：（使用不用的R21，相同的C17，对点3电压进行测量）

                

等点3电压下降到使pmos导通时，VCC开始上升。

三、注意事项

但此时需要注意几个参数：三极管的Vbe大小和pmos的Vgs(th)。举个例子：如果VBAT为24V，三极管的Vbe为0.7V，pmos的Vgs(th)为-1V，那么想下整个过程：电路上电，点1电压为24V，点2点3电压为23.3V，而后点3电压下降，下降到23V时，pmos导通。emmm，是不是感觉从23.3V下降到23V经过的时间段有些短。。是的，那就是选型的问题了，但实际上缓启动效果并不好。。

至此，文章结束，如果对你有帮助，可以点赞收藏的喔（花花）（花花）