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pn结PN结制备工艺有生长法，合金法，扩散法，离子注入法。pn结的形成：形成pn结时，由于载流子的浓度梯度差异，电子从n区到p区扩散，空穴从p区到n区扩散，这时n区剩下带正电的电离施主，p区剩下带负电的电离受主不能移动，形成从n区指向p区的电场，称为内建电场。此电场方向与扩散运动方向相反，形成n到p的漂移电流。边界附近的电离施主和受主的存在区域称为空间电荷区。在pn结的空间电荷区中能带发生弯曲，这是空间电荷区中存在内建电场，电势能变化的结果。能带弯曲，电子从势能低的n趋向势能高的p区，运动时，必须克服这

非平衡载流子热平衡状态是指在一定温度下，半导体中的载流子浓度一定。载流子的产生与复合相等，载流子的浓度乘积一定。统一的费米能级是热平衡状态的标志。非平衡状态是指在外界因素的影响下，半导体平衡状态受到微扰，内部的载流子浓度产生涨落。复合是电子和空穴被洇灭或消失的过程。产生是电子和空穴被创建的过程。非平衡载流子是指在外界因素影响下，非平衡态中比平衡太多的载流子。大注入是产生的非平衡载流子的浓度接近或大于平衡载流子。小注入是指非平衡载流子，远小于多子远大于少子。产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导

半导体的导电性电子在电场力作用下的定向运动是漂移运动。热运动是无规则的，杂乱无章的运动。迁移率表示单位场强下电子的平均漂移速度。散射指载流子在半导体中运动时与热振动的晶格原子或电离的杂质离子作用，载流子的速度大小和方向发生改变。两次连续散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，平均时间称为平均自由时间。散射率是平均自由时间的倒数，表示单位时间内一个载流子受到的散射的次数。电离杂质散射是电离的施主或受主带电形成库伦势场，局部的破坏了杂质附近的周期性势场，载流子运动到电离杂质附近时，运动方向发生改变。特点

半导体中载流子的统计分布状态密度g，就是在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。能量为E的一个量子态被电子占据的概率，f(E)称为电子的费米分布函数，它是描写热平衡状态下，电子在允许的量子态上如何分布的一个统计分布函数。费米能级与温度，半导体类型，杂质含量以及能量零点的选择有关。是一参考能级标志着电子填充能级的水平。半导体的费米能级一般在禁带内。处于热平衡状态的系统有统一的化学势，所以处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级。在E-Ef，远大于k0t时泡利原理失去作用，费米分布函数，成为波尔兹

半导体物理第二章理想的半导体是具有严格周期性，原子无热振动，固定在格点上，纯净且不含杂质的。但是实际半导体的原子，在其平衡位置附近振动，而且半导体材料含有杂质，晶体结构也存在各种缺陷。实践表明极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理和化学性质产生决定性的影响。理论分析认为，杂质和缺陷的存在会使周期性势场受到破坏，在禁带中引入能级。第1部分 硅锗晶体中的杂质能级杂质进入半导体以后的分布位置，有替位式和间隙式两种。间隙式杂质的原子一般比较小，杂质原子位于晶格原子间的间隙。如锂离子。替位式杂质的原子大小与

半导体中的电子状态电子共有化运动是指原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠电子不再完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而电子将可以在整个晶体中运动。当原子相互靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围电子势场的作用，一个能级分裂成彼此相距很近的若干能级，这些能级组成一个能带。能级分裂成的每一个能带都称为允带。允带与允带之间没有能级的称为禁带。绝对零度时，下面的能带填满电子，称为满带或价带，上面的能带是空的，没有电子称为导带，导带和价带之间是禁带。波矢是波数矢量，记为k，大小为波数（