半导体随机存储器(random access memory)

RAM（Random-Access Memory，随机访问内存）包括SRAM和DRAM两大类。 SRAM在存储结构上以寄存器为基本单元，访问速度快，是各类半导体存储器中读写速度最快的；同DRAM相比无需刷新，但存储密度较低，价格也十分昂贵，通常用作CPU的一级和二级缓存(L1/L2)。另外SRAM具有易失性，掉电后信息丢失。

静态随机存取存储器（Static Random-Access
Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。