【PDN仿真笔记6-使用Sigrity PowerSI进行PDN仿真的方法1】

PDN仿真笔记6-使用Sigrity PowerSI进行PDN仿真的方法1

1.电容模型的处理

在进行PDN仿真前,需要添加无源器件的模型,其中主要需要关注的是电容模型。关于电容模型的详细分析请见链接:
【PI仿真笔记2-电容模型1】
【PI仿真笔记2-电容模型2】
一般器件厂家提供的电容模型分为两种,一种是Spice模型,一种是S参数模型。在仿真时,两种模型均可以使用,但是需要注意,模型本身均有所适用的频率范围,需要在频率范围内使用。
下面分别说明两种模型的使用方式。

(1)Spice模型

下载好的模型并不能直接使用,还需要确认内部信息是否正确

  • 模型信息确认
    下载好的Spice模型内容如下
    在这里插入图片描述
    第一行的格式为:.SUBCKT 模型名称 pin1 pin2
    多数情况下,pin1和pin2的需要并不与Sigrity中一致,Sigrity中一般的pin=1,pin2=2,故需要将pin1和pin2的需要修改为与Sigrity中一致
    第四行的格式为:电阻or电容or电感位号 pin1’ pin2’ 电阻or电容or电感值
    其中:
    1)电阻or电容or电感位号在整个模型中是唯一的,不可重复
    2)pin1’,pin2’为该位号的2个pin,说明的是模型中各个器件之间的连接关系
    上述模型描述的就是下图的关系
    在这里插入图片描述
    需要注意的是,在将第一行中的pin1和pin2修改后,需要在模型中同步做修改,若模型中已经有编号1,2,则应将原编号1,2修改为其他序号。如上述模型可修改为:

.SUBCKT C0402C103K4RACTU 1 2
*Temp = 25°C, Bias = 0VDC, Center Frequency = 100000000 Hz
*KEMET Model RLC Cerm
R1 3 4 0.0671883225440979
R2 22 5 6.59999990463257
R3 1 2 99999997952
L1 1 22 1.88560042579944E-11
L2 22 3 3.58264080901893E-10
C1 4 2 8.74246808280077E-09
C2 5 2 2.09999990463257E-12
.ENDS

修改完成后该模型还不能直接使用,因为PowerSI中,模型的格式为:

.PartialCkt 模型名称 ExtNode = pin1 pin2
C pin1 pin2 具体值
.EndPartialCkt

需要将上述模型按照PowerSI的要求格式进行修改,修改完成后可调用的格式为:

.PartialCkt C0402C103K4RACTU ExtNode =1 2
*Temp = 25°C, Bias = 0VDC, Center Frequency = 100000000 Hz
*KEMET Model RLC Cerm
R1 3 4 0.0671883225440979
R2 22 5 6.59999990463257
R3 1 2 99999997952
L1 1 22 1.88560042579944E-11
L2 22 3 3.58264080901893E-10
C1 4 2 8.74246808280077E-09
C2 5 2 2.09999990463257E-12
.EndPartialCkt

如果厂家无法提供可下载的spice模型,只能提供图纸,则需要自己根据图纸按照上述格式自行搭建模型。
模型搭建好以后,在PowerSI中,点击Load按钮加载即可
在这里插入图片描述
推荐在仿真时使用spice模型,模型适用性更好。
注意:
在Murata的官网下载模型时,会要求选择串行模型还是并行模型,即series、shunt两种模型。非特殊要求,模型均选择串行模型。原因在于,相对于电源的正极和负极来说,电容是串接的,故选择串接模型。
在这里插入图片描述

(2)S参数模型

在使用电容S参数进行仿真时,无法直接在模型中赋S参数,需要按照下述格式进行修改
在这里插入图片描述
修改完成后的CKT文件如下:

.PartialCkt 103_1 ExtNode =1 2
S1 1 2 3 2 Model=“C:\Users\hx\Desktop\C_mode\C0402C103K4RACTU.s2p”
V 3 2 0
.EndPartialCkt

按照Spice模型的调用方法进行S参数模型的调用。
注意:上述格式只针对2端子电容

2. PowerSI仿真PDN的步骤

(1)首先需要配置叠层的厚度及材料

在这里插入图片描述
点击“View Material”,进行材料的配置,根据材料特性,依次输入不同频率下的介电常数和损耗。
在这里插入图片描述
如果想要导出材料信息,则在选中新添加的材料后,选择“Export to Library”进行保存
在这里插入图片描述
在需要调用时,选择“Export to Design”再导回到设计中
在这里插入图片描述
之后需要设置过孔的参数,需要设置镀孔的材料和厚度,一般材料为copper,厚度25um左右,与实际项目进行匹配。
在这里插入图片描述

(2)仿真配置

在进行仿真时,需要在“Tools”->“Options”->"Edit Options"中,进行配置
在这里插入图片描述
其中,“Special Void”需要根据需要进行配置,设置的分辨率需要小于仿真的最小单元,一般设置为1mil。
在这里插入图片描述
“Network Parameters”中,Power Nets建议设置为0.1ohm,Signal Nets建议设置为50ohm。Power Nets设置为0.1ohm可以让电源网络的S参数仿真精度更高,更好的抵消模型本身的精度问题。
在这里插入图片描述

(3)选择仿真网络,添加模型

在Net Manager中选择需要仿真的电源网络并Enable
在这里插入图片描述
在Components Manager中,将需要进行仿真的无源器件的模型添加进来,选择“Load”
在这里插入图片描述
将对应的CKT等模型文件导入
在这里插入图片描述
选择需要使能的元器件,如电容、电感、电阻等器件,在“Model Name”中对对应器件进行赋模型
在这里插入图片描述
对于采样电阻来说,需要将其模型中阻值设置为0ohm,注意通流的pin与采样pin之间的对应关系、如下pin1,pin2为通流pin
在这里插入图片描述

(4)添加Port

待仿真网络和无源器件模型添加完毕后,需要添加port,选择“Setup”-》“Port”
在这里插入图片描述
然后选择准备仿真的IC,点击“Generate Ports”,自动生成port。注意,如果电源网络的GND与pin之间存在对应关系,需要检查自动生成的port对应关系是否正确。
在这里插入图片描述
为了增强仿真精度,PDN仿真时,电源的“Ref Z(Ohm)”建议设置为0.1ohm
在这里插入图片描述

(5)设置扫描方式

点击“Setup Simulation Frequency”
在这里插入图片描述
根据需要设置仿真的起止频率,一般扫频类型都是设置为自适应Adaptive
在这里插入图片描述

(6)仿真

以上设置均完成后,即可点击“start Simulation”进行仿真,仿真结果输出后,右键选择“Show X and Y axes in log scale”,将仿真结果的X和Y轴均按照指数方式显示
在这里插入图片描述
即可输出所需的仿真结果
在这里插入图片描述
PDN的Mask添加方式可参考:
https://blog.youkuaiyun.com/qq_42682826/article/details/127098555

<think>好的,用户问的是关于Buck电路中自举电容的连接方式。首先,我需要回忆一下Buck电路的基本结构。Buck电路是一种降压型DC-DC转换器,通常包括开关管(比如MOSFET)、电感、二极管或同步整流管、输出电容以及控制芯片。自举电容通常用于驱动高侧NMOS的情况,因为高侧MOS的栅极需要高于电源电压的驱动信号。 接下来,我应该详细解释自举电容的作用。自举电容的主要功能是提供足够的电荷来驱动高侧MOSFET的栅极,尤其是在高侧MOS导通时,其源极电压会升高到输入电压附近,这时候栅极驱动电压必须比源极高出一个阈值,所以需要自举电容来升压。 然后需要考虑连接方式。自举电容一般连接在BOOT引脚和SW节点之间。例如,在典型的Buck控制器如LM5116中,BOOT引脚通过一个二极管连接到VCC,同时自举电容的另一端连接到SW节点。这样当低侧MOS导通时,SW点接地,电容通过二极管充电到VCC减去二极管压降。当高侧MOS需要导通时,电容的电荷被用来提升BOOT引脚的电压,从而驱动高侧MOS。 用户可能的疑惑点包括:为什么需要自举电容?为什么不用P沟道MOSFET?这时候需要解释,虽然P沟道不需要自举,但导通电阻通常更大,效率较低,所以高功率应用中多用N沟道加自举电路。 另外,用户可能想知道具体的电路图和元件选择。比如自举电容的容值选择,通常数据手册会有推荐值,比如0.1μF到1μF之间,根据开关频率和驱动电流决定。还有二极管的选择,需要快恢复二极管以减小反向恢复时间的影响。 可能还需要提到一些注意事项,比如自举电容的耐压要足够,避免在高电压下击穿;PCB布局时自举电容应尽量靠近BOOT和SW引脚,减少寄生电感的影响,防止电压振荡或EMI问题。 最后,是否需要举一个实际例子,比如使用常见的芯片如LM2675,给出其自举电容的连接示意图,或者引用某个典型应用电路来说明连接方法。这样用户能更直观地理解。 总结下来,回答的结构应该是:自举电容的作用、连接位置、工作原理、元件选择要点以及设计注意事项。确保用户不仅知道如何连接,还能理解背后的原理和关键设计因素。</think>在Buck电路中,**自举电容(Bootstrap Capacitor)的连接方式与工作原理**直接影响高侧NMOS的驱动能力,以下是详细解析: --- ### 一、 **自举电容的核心作用** 当Buck电路采用**高侧NMOS拓扑**时,其栅极驱动电压需满足: $$ V_{GS} > V_{th} + V_{SW} $$ 其中$V_{SW}$为开关节点电压(≈$V_{IN}$),此时需通过自举电容**抬升驱动电压**。 --- ### 二、 **电路连接拓扑** 典型连接方式如下图: ```plaintext VCC │ ├─二极管(Dbs)→ BOOT引脚 │ │ │ Cboot(自举电容) │ │ SW节点 ←─┴───────────┘ ``` #### **关键元件说明**: 1. **二极管Dbs** - 选型要求:快恢复二极管(如1N4148)或肖特基二极管(BAT54),反向恢复时间<10ns - 作用:在低侧MOS导通时,将$V_{CC}$充电至$C_{boot}$ 2. **自举电容Cboot** - 容值范围:通常$0.1\mu F \sim 1\mu F$(如TPS5430推荐$0.1\mu F$) - 耐压值:需≥$V_{CC} + V_{IN}$(例如:$V_{CC}=5V$, $V_{IN}=12V$ → 选16V以上电容) --- ### 三、 **工作原理分阶段解析** | **阶段** | **电流路径与电容状态** | 公式描述 | |----------------|--------------------------------------------------------------------------------------|-----------------------------------| | **低侧MOS导通** | - SW节点接地(≈0V)<br>- $V_{CC}$通过Dbs对$C_{boot}$充电至$V_{CC} - V_F$<br>($V_F$为二极管压降) | $$ V_{boot} = V_{CC} - V_F $$ | | **高侧MOS导通** | - SW节点电压跳变至$V_{IN}$<br>- $C_{boot}$电压叠加在SW上,驱动电压变为:<br>$$ V_{drv} = V_{boot} + V_{SW} $$ | $$ V_{GS} = V_{CC} - V_F + V_{IN} $$ | --- ### 四、 **设计注意事项** 1. **电容容值计算** 需满足驱动电荷需求: $$ C_{boot} \geq \frac{Q_g \cdot f_{sw}}{\Delta V} $$ - $Q_g$: MOS栅极电荷(如AO3400的$Q_g=8nC$) - $f_{sw}$: 开关频率(如500kHz) - $\Delta V$: 允许的电压降(通常<0.5V) **示例**:若$Q_g=10nC$, $f_{sw}=1MHz$, $\Delta V=0.3V$ → $C_{boot} \geq 33nF$(实际选0.1μF) 2. **PCB布局要点** - 自举电容必须**靠近IC的BOOT和SW引脚**(走线长度<5mm) - 避免开关节点噪声耦合:BOOT走线与功率回路保持距离,必要时加屏蔽地线 3. **失效模式预防** - **电容漏电流**:选择X7R/X5R材质陶瓷电容,避免Y5V材质 - **电压应力**:在$V_{IN}$突变场景(如汽车冷启动),需增加TVS管保护 --- ### 五、 **典型应用案例** **方案1:TPS54331 Buck转换器** - 连接方式: ```plaintext VCC(5V) → BAT54S → BOOT引脚 │ 0.1μF/16V │ SW引脚 ←───────┘ ``` - 实测波形:驱动电压$V_{GS}=5V-0.3V+12V=16.7V$,满足NMOS(AO3400,$V_{GS\_max}=20V$)需求 **方案2:同步Buck电路的特殊处理** 在同步Buck中(如LM5143),若使用自适应死区控制,需额外增加**自举电容刷新电路**,防止轻载时电容电荷耗尽。 --- ### 六、 **进阶设计技巧** 1. **高压场景优化** 当$V_{IN}>30V$时,可在Dbs后串联电阻(如10Ω)以降低浪涌电流,但需平衡充电速度与损耗: $$ \tau = R_{series} \cdot C_{boot} $$ 需确保$5\tau < 1/f_{sw}$ 2. **多相Buck扩展** 在多相控制器(如LM25149)中,每个相位需独立配置自举电容,避免相互干扰。 --- 通过合理连接自举电容并优化参数,可显著提升Buck电路的**开关效率**和**可靠性**,尤其在48V输入等高压场景中至关重要。
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