今天好像忘写了

内容整合自论文：赵哿. 电动汽车1200V/75A IGBT芯片设计与验证[D].中国科学院大学(工程管理与信息技术学院),2016.链接：[电动汽车1200V/75A IGBT芯片设计与验证 - 中国知网 (cnki.net)]:绝缘栅双极晶体管（Insulate Gate Bipolar Transistor, IGBT）是一种由场效应晶体管（MOSFET）和双极型功率管（BJT）结合而成的达林顿结构，具有MOSFET和BJT的优点。MOSFET优点：输入阻抗高控制功率小（驱动功

电感感抗、电容容抗与输入频率f的关系感抗：XL=2πfL=ωLXL=2πfL=ωLXL=2πfL=ωL在如上电路中，经分析，可得增益Gain：Gain=Vout/Vin=R/(XL+R)=R/(2πfL+R)Gain=Vout/Vin =R/(XL+R) =R/(2πfL+R)Gain=Vout/Vin=R/(XL+R)=R/(2πfL+R)由上面公式可知，频率增大，感抗增大，增益减小（低通滤波电路）；容抗：容抗大小与频率成反比；XC=1/2πfcXC=1/

加速关断驱动该电路开通时电流经过10Ω电阻给栅源间电容充电，关闭时经过5Ω电阻和快速恢复二极管栅源间电容上电电荷快速泄放。关断回路选择5Ω电阻是为了防止关断时电流过大将驱动IC烧坏。推挽式驱动当驱动IC的电流不强时，可以选用推挽式驱动电路，原理图如下：推挽式驱动，又称图腾柱驱动，如上图所示由一对NPN-PNP晶体管组成的互补输出电路，能有效提升电流提供能力。当其工作时，上下两个三极管交替工作：当输入高电平时，Q1导通，Q2截止（对应MOS开通）；当输入低电平时，Q2导通，Q1截止（对应MOS关断

MOS驱动电路图MOS驱动有许多种，下面是常见的一种MOS驱动电路。电路详解MOS是电压控制型器件，当栅极G端电压达到开启电压时，DS端就会有电流通过；反之，栅极G端电压低于开启电压时，DS端呈现断开状态，因此可以通过控制栅极电压的大小来控制MOS管的导通。由MOS管的特性可知，寄生电容Cgs两端的电压决定着栅极电压的大小，所以MOS开通关断的过程即寄生电容Cgs充放电的过程。10Ω电阻：由于驱动IC输出与MOS之间存在电感，与MOS的寄生电容会产生振荡，需要电阻来增大振荡阻尼，避免