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一、PCI‑e 设计规范概要
| 项目 | 关键要求 |
|---|---|
| 速率与代数 | Gen 1 = 2.5 GT/s、Gen 2 = 5 GT/s、Gen 3 = 8 GT/s、Gen 4 = 16 GT/s、Gen 5 = 32 GT/s。不同代数对应的走线长度上限不同(Gen 1/2 ≤ 21 in,Gen 3 ≤ 14 in,插槽侧 ≤ 9 in) |
| 差分阻抗 | TX/RX/REFCLK 差分阻抗 100 Ω ± 10 %(部分高速代数可放宽至 85 Ω ± 10 %) |
| 单端阻抗 | 50 Ω ± 15 %(微带/带状) |
| 长度匹配 | 同一对差分线长度差 ≤ 0.15 mm(部分文档给出 ≤ 5 mil)、≤ 0.7 mm(RM500Q 手册) |
| 过孔数量 | TX 对最多 2 个过孔,RX 对最多 4 个过孔;每对信号跨层时需在 150 mil 范围内放置 1‑3 个地/电源过孔作回流路径 |
| 参考平面 | 必须保持连续的 GND(或 PWR+10 nF 贴片电容)参考层,避免分割或空隙 |
| 端接电容 | 每根差分对在 TX 端放置 AC 耦合电容(典型 0.1 µF),在 RX 端亦需对称放置 |
| 串扰抑制 | 采用 3 W(走线宽度的 3 倍)间距规则,差分对间距 ≥ 20 mil,避免平行走线超过 5 mm |
| 走线角度 | 转弯角度 ≥ 135°,禁止 90° 直角;尽量使用弧形或斜线 |
| 材料与损耗 | 低损耗介质(Dk ≈ 4.2 ± 0.2),厚度 ≤ 1 mm,保证插槽侧阻抗误差 ≤ ±10 % |
| 时钟/参考信号 | REFCLK 必须走差分线,阻抗同 TX/RX,长度匹配误差 ≤ 0.15 mm,且不跨越电源/射频区 |
二、PCI‑e PCB 布局与走线细则
* 层叠结构
推荐 4‑层或以上结构:顶层信号层、内部参考层(GND/PWR)交替排列,保证每条高速走线都有紧邻的参考平面。
* 走线宽度/间距
依据目标阻抗选取线宽(如 90 Ω 差分微带在 1.0 mm 板厚下约 8 mil),间距保持 2‑3 倍线宽以满足 3 W 规则。
* 长度匹配与对称
使用自动匹配或手动微调,使每对差分线长度差 ≤ 0.15 mm(或 ≤ 5 mil),并在换层点前后保持相同走线路径。
* 过孔与换层
每对差分线最多 2(TX)/4(RX)个过孔;过孔直径 ≤ 0.3 mm,建议使用盲孔/埋孔以降低寄生电感;过孔附近放置 1‑3 个地/电源过孔形成回流路径。
* 参考平面完整性
禁止在高速走线下方出现分割的 GND/PWR 区域;若必须跨分割,需在 150 mil 范围内布置补偿过孔或金属填充。
* 与其他信号的隔离
PCIe 走线应远离射频、音频、晶振及大电流电源走线,保持至少 5 mm(约 200 mil)间距,防止耦合噪声。
* 走线走向
优先采用直线或宽角弧形,避免长段平行走线导致串扰;若必须平行,保持 ≥ 3 W 间距并在中间加入接地过孔。
* 电源完整性
在 PCIe TX/RX 端放置对称的 AC 耦合电容(0.1 µF ~ 1 µF),并在电源层布置足够的去耦电容(10 nF ~ 100 nF)以抑制电源噪声。
* 仿真与验证
在布局完成后进行 信号完整性(SI) 仿真:眼图、回波损耗、时延匹配;必要时进行 时钟抖动预算 与 功率完整性(PI) 分析,确保满足代数对应的误码率(BER)要求
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