qq_39546358的博客

原创 电量计 - 利用BQ40Z50获取电芯化学ID方法

获取化学ID时，需要对单颗电芯测试数据进行记录；

原创 机器人 - 关于MIT电机模式控制

Mixed Integrated Torque为一种混合控制模式，在同一帧CAN数据里包含位置、速度、扭矩三类的闭环指令。驱动器里面把位置环、速度环、前馈扭矩相加，得到一个参考电流，然后再交给电流环完成精准扭矩输出。

原创 机器人 - 关于电机获取力矩反馈

这种方法硬件需求低，只需要获取电流。但是受到电机磁路非线性、温度、饱和等因素影响，需要校准；：利用电机的电感、反电动势常数 与转速信息，构建状态空间模型，使用。其中T为输出扭矩，Kt为电机的扭矩常数，Iq为电机的q轴电流；

原创 Windows PC 上使用 ADB 调试运行 Ubuntu 系统的 RK3588 开发板

PC端执行，有xxxxxxxxxxx device 的输出，表示成功建立连接。在系统环境变量里添加刚刚解压好的Platform-Tools路径。先用板子调试成功一次，然后板子和PC在同一局域网，记下板子的IP。

原创 激光雷达(LiDAR)说明

步骤关键要点说明发射激光器（波长 250‑1600 nm）发出短脉冲或连续波光束高亮度、方向性强、相干性好，使光束在空间中保持窄束传播 & 目标反射光束照射到目标后产生散射/反射，部分光返回传感器目标的材质、反射率决定回波强度接收接收光学系统（望远镜、光电探测器）捕获回波并转换为电信号常见的探测方式有时间飞行（ToF）和相位/频率调制（FMCW）计算距离通过测量发射‑回波的往返时间（ToF）或相位差，得到目标距离距离 = 光速 × 往返时间 / 2；

原创 硬件 - 关于PCIe设计要求

在 PCIe TX/RX 端放置对称的 AC 耦合电容（0.1 µF ~ 1 µF），并在电源层布置足够的去耦电容（10 nF ~ 100 nF）以抑制电源噪声。使用自动匹配或手动微调，使每对差分线长度差 ≤ 0.15 mm（或 ≤ 5 mil），并在换层点前后保持相同走线路径。PCIe 走线应远离射频、音频、晶振及大电流电源走线，保持至少 5 mm（约 200 mil）间距，防止耦合噪声。推荐 4‑层或以上结构：顶层信号层、内部参考层（GND/PWR）交替排列，保证每条高速走线都有紧邻的参考平面。

原创 硬件 - 关于DDR设计要求

Fly‑by 拓扑对 地址/控制线的等长要求更严格（±50 mil）‍，而数据/ DQS 组的等长误差要求更紧（±10 mil）同一 Byte‑Lane 的 8 根 DQ、对应 DQS、DM 同层走线，保持 等长误差 ≤ ±10 mil（DDR4）或 ≤ ±5 mil（DDR5）地址/控制/时钟组：同样要求 等长匹配，误差可放宽至 ±50 mil（DDR4）或 ±40 mil（LPDDR5）* 地址/控制/时钟等长误差 ≤ ±50 mil（DDR4）/≤ ±40 mil（LPDDR5）

原创 硬件 - 硬件问题排查

在实际研发过程中，经常遇到各种硬件问题，这里主要简单介绍遇到硬件问题时，排查顺序。为了后续工作中debug的标准化、流程化；

原创 硬件 - LM5122MH - 24V升压26.4V 10A

输出电压 26.4V ，最大电流10A。输入电压23.5V~24.5V。工作频率0.517MHz。

原创 软件 - BQ40Z80命令

此类命令直接通过 SBS 协议发送，用于读取电池基础运行数据或配置基础功能，无需通过。两类接口功能互通，支持访问 “制造商访问系统（MAC）”，命令通过。（SMBus 块协议）发送，结果可通过。（SMBus 字协议）或。

原创 硬件 - CH224K - PD诱骗

原创 硬件 - DRV8833 - H桥电机驱动

原创 硬件 - SD卡座子

原创 硬件 - MPU6050+LIS2MDLTR - 九轴惯导

原创 硬件 - NSG2000高边驱动带四个NMOS(已测试)

图中R62也就是50R那个电阻封装要用1206的；

原创 硬件 - Allegro - 通过改env来换快捷键，适合新手

比如 E:\06_Cadence\SPB_22.1\share\pcb\text。用记事本打开，然后把里面的内容全部替换成下面代码的内容；在安装Allegro的目录下面找到一个叫env的，这篇文章基于凡亿教育，主要是让新手方便修改；

原创 硬件 - Cadence&Allegro入门使用常见问题

2.Options -> Grid Display -> Gird spacing 把默认的1，1改成1，2或者再多点；Setup(设置) -> User Preferences(用户偏好设置) -> Paths -> Library。然后File(文件) -> import(导入) -> Logic/Netlist。会发现元件全都放出来了，这里我把飞线去掉了，在显示那里点击隐藏飞线-全部；放置->快速放置，点击完放置后在背景板的地方，点一下左键。之后点击显示 -> 状态，能看到新导入的元件没放置。

原创 硬件 - EMC简单介绍 (是啥、怎么形成、如何整改)

改原理图/PCB，比如加滤波器，或者装个罩子；电磁兼容，指电子设备在共同的电磁环境中能够。确定是RE(辐射)还是CE(传导)超标；根据干扰源来确定用上述的哪种方法；用频谱仪、近场探头找干扰源；

原创 硬件 - BLDC半桥驱动

上下桥臂MOS、驱动IC、软启动；上下两个部分是，主要控制导通的时候电流流向；的话，可以防止电气、机械冲击。比如可以在MOS的栅-源极加个10nF的电容；除此之外，还可以在栅源极加个10K或者再高些的电阻，做到；然后上面的1N4148的二极管那块地方，在MOS被驱动的时候，电流通过R5从栅极那边过去，R5可以平滑一些振荡；在关断的时候，1N4148那里提供了一条回路，让电荷快速回去；C3那地方布局的时候记得靠近EG2133，它拉高电平用的；

原创 单片机 - 关于RS485硬件与伪代码

利用差分信号传输、距离远、抗干扰能力强、支持半双工和全双工模式；RS485B - RS485A，看它们俩直接的压差；逻辑1 为 +2~+6V， 逻辑0 为 -2~-6V，-2~+2之间无效区；Modbus-RTU在RS485上采用8-N-1帧结构，[地址][功能码][数据][CRC]在单片机上的应用(以STM32为例)

原创 无人机 - 关于无人机电池

实际上我们应该用这个来计算能量，这里会发现标称电压高的情况下，能量其实也会受影响变高；除此之外，高压锂电池一般能保持较好的电压稳定性，换句话说，在大电流的情况下，这类电池电压下降速度不会那么快。这可以使得在恒定功率的情况下电流会小一些；一般的锂电池单个电芯满充电压为4.2V，截止放电电压在2.5V左右，如sony US18650VTC6；我们都知道电芯在电压方面有四个注意点，截止放电电压、充电电压、标称电压、满充电压；还有一些高压电池，单个电芯满充电压为4.35V，截止放电电压在3.2V左右。

原创 数学 - 基础线性代数（笔记，没啥好看的...草稿写的很乱）

注意有序、维度，行列向量其实一样，只不过为了方便写了计算用；

原创 硬件 - 减小导线、铜层的线阻

在PCB板上的话，增加铜厚、增大线宽；金属电阻率会随着温度上升而增大，比如铜温度系数为0.004/℃，即温度每升 1℃，ρ 增加 0.4%；也就是在PCB布线的时候，尽量不要绕远路，尽量短走线；设计时，根据工作电流来定线宽、线粗，防止导致 线宽不够->发热->电阻率上升 的正反馈；信号频率>100kHz时，需要注意以下集肤效应，也就是电流主要集中在导线表面；（R 为电阻，ρ 为材料电阻率，L 为导线 / 铜层长度，S 为横截面积）比如，PCB中可以用开窗把铜层暴露，在铜层处加散热过孔；

原创 算法 - PEC校验

接收端接收到数据后，也用相同式子计算，对比两者PEC校验码是否相同，相同的话认为数据完整可靠，不同认为这个包错误；PEC基于CRC-8，一般用在I2C / SMBus这样的地方，它没有纠错能力，只能判断数据是否完整可靠；发送端在发送数据时，利用一个式子把需要校验的数据进行计算，得到一个PEC校验码；

原创 硬件 - 电量计配置GG详解 - 以BQ40Z80为例

Scale Factor 电流缩放因素，主要解决内部电流寄存器不够用的情况(最多到32A那里)，我这边因为要用到50A以上，所以我设置为2，相对应的和电流、容量有关的全除2；不能出现OCC填正值(充电)，因为充电过流保护后，充电MOS关闭了，这时候充不进去了，放电同理；这里显示输出传感器温度，11不使用，10是最低温度，01平均温度，00最高温；维护充电时的电流，主要就是充满的时候，一个保持电流；CC2，CC1，CC0用于设置电池串数，比如我这里6串，那么为110，

原创 硬件 - BQ40Z80电量计应用详解(4) - 充电算法GG配置 -ing

这个可以在Advanced Charge Algorithm中，填入不同温度下的充电电压值，芯片会根据设计的串数，来决定充电电压；在Settings中的Configuration 的 FET Options中可以设置 PCHG_COMM，来调节预充电方式；当RSOCL=1时，剩余容量在终止结束前，会保持在99%，充完电后才达到100%，充电的时候，会根据温度、电芯电压、电芯状况等，控制充电时的参数，比如图4所示。使能CRATE=1后，会根据充满容量/设计容量，来调节充电电流；VCT 表示 有效终止充电；

原创 硬件 - BQ40Z80电量计应用详解(3) - 永久保护功能

在Gas Gauging中，可以对IT Cfg:[Referenc Grid]设置，这个是设置参考网格，0(满充电芯阻抗)，14(满放电芯阻抗)，我们可以选择默认值4，接近20%~100%SOC的平均值；1.电芯在参考网格下阻抗差值 > IMP:[Delta Threshold]*设计电阻(IT Cfg:[Design Resistance])更新次数；假设Pack中最大电芯容量为MAX[QMAX]，最小电芯容量为MIN[QMAX]，主要根据TS[1:4]返回的温度数据进行判断，用于检测电芯的；

原创 硬件 - BQ40Z80电量计应用详解(2) - 保护功能

其中Hysteresis Temp 的作用，因为NTC温度检测回传时的噪声、实际温度的干扰，可能出现温度在某个区的边缘跳动，比如温度为T5，那么它小一点就会掉到Standard Temp Low，高一点会升到Rec Temp，这时候很容易造成充电电流一直在变换；并且有个Counter Dec Delay的值，在COV中可以设置，每触发一次COV，那么Delay值都会递减Counter Dec Delay，也就是每过压保护一次，下次就更容易触发过压保护；OCC2是针对过流大的充电电流，所以触发时间要短；

原创 硬件 - BQ40Z80电量计应用详解(1) - 引脚复用(Pin Configuration)

设置方式为 MFP12_SEL[0:2] = 000，主要在7Cell时作为ADC，这里的ADC检测被限制在0~1V，又因为Pack包最大为32V，所以此处至少要做32：1的分压；设置方式为 MFP12_SEL[0:2] = 001，此模式下，RC2复用为TS3，用于连接外部的NTC检测温度；设置方式为MFP13_SEL[0:2] = 001，选用这个功能后，该引脚外接一个NTC，用于温度检测；11时弃用，高阻态；设置方式为 MFP12_SEL[0:2] = 1xx，这个方式后，该引脚会变成高阻态；

原创 算法 - FOC闭环位置控制

灯哥FOC笔记。

原创 算法 - FOC开环速度控制

灯哥FOC笔记。

原创 电机算法 - 帕克变换

2.QD坐标系也固定在转子上面，但是转子是转动的，在转动过程中会与。坐标系形成一定夹角，这里称为电角度。

原创 电机算法 - 克拉克变换

目的：三相波形相位差比较难控制，利用克拉克变换降维解耦，映射到二维坐标上面；所以，我们只需要知道其中两相电流，也就是 ib 和 ia，这时候就可以知道。三相电流波形 -> 相位差为120°的矢量 -> 二维坐标。这时候，乘上 2/3 就可以实现相等；

原创 硬件 - 关于Cadence Allegro的设置那些东西

打开Allegro PCB Designer设置(setup) -> 用户偏好设置。

原创 硬件 - RK3588部分(5) - 原理图 - 功能接口

连接SD卡，或者eMMC的。

原创 硬件 - RK3588部分(4) - 原理图 - RK806

Buck1： 0.5V-3.4V 输出，6.5A max；Buck2/3/4： 0.5V-3.4V 输出，5A max；Buck5/6/7/8/9/10： 0.5V-3.4V 输出，2.5A max；NLDO1/2/5： 0.5V-3.4V 输出， 300mA max；NLDO3/4： 0.5V-3.4V 输出， 500mA max；PLDO1/4： 0.5V-3.4V 输出， 500mA max；PLDO2/3/5/6： 0.5V-3.4V 输出， 300mA max；

原创 硬件 - RK3588部分(3) - 原理图 - 电源设计

同一模块，低压先上，高压后上，相同电压一起上电；不同模块间没有时序要求；最后一个电压上电稳定后，RESETn至少过1ms后再释放，5~200ms内；

原创 硬件 - RK3588部分(2) - 原理图 - 最小系统

RK3588S系统时钟由内部振荡与外置24Mhz晶振组成；XOUT_24M 外面那个22R的电阻要留着，用于限流，防止过驱；XOUT和XIN之间 510KR 的电阻的阻值不要去动；1.晶振的CL值不要超过12pF；2.CL电容常温频率容限在20ppm以内；3.下方原理图中晶振的GND记得要接，加强时钟抗ESD干扰能力；

原创 硬件 - RK3588S部分(1) - 框图

主要区别是双电芯串联需要做个DCDC降压。

原创 硬件 - 立创EDA入门实践 - 从DCDC降压芯片带您从原理图到PCB到打板

这里为了方便，所以我直接用TI的这边生成的原理图；具体生成方式可以看我的那个文章那个文章...