codevs3269混合背包

这是一道裸题
只不过,对pascal很不友善,交着T了,后来发现用了个maxx函数,常数大改了便AC

var
  n,m,num,q,i,j:longint;
  a,s1,w1,v1,bz,v,w,f:array[0..1000000] of longint;
{function maxx(a,b:longint):longint;
begin
  if a>b then maxx:=a
         else maxx:=b;
end;      }
begin
  read(n,m);
  a[1]:=1;
  for i:=2 to 30 do
    a[i]:=a[i-1]*2;
  for i:=1 to n do
    begin
      read(v1[i],w1[i],s1[i]);
      if s1[i]=1 then
      begin
        inc(num);
        bz[num]:=1;
        v[num]:=v1[i];
        w[num]:=w1[i];
      end else
      if s1[i]=-1 then
      begin
        inc(num);
        bz[num]:=-1;
        v[num]:=v1[i];
        w[num]:=w1[i];
      end else
      begin
        q:=s1[i];
        for j:=1 to 30 do
          if q-a[j]>0 then
          begin
            q:=q-a[j];
            inc(num);
            bz[num]:=1;
            v[num]:=v1[i]*a[j];
            w[num]:=w1[i]*a[j];
          end else
          begin
            inc(num);
            bz[num]:=1;
            v[num]:=v1[i]*q;
            w[num]:=w1[i]*q;
            break;
          end;
      end;
    end;
  for i:=1 to num do
    begin
      if bz[i]=1 then
      begin
      for j:=m downto v[i] do
        if f[j-v[i]]+w[i]>f[j] then
        f[j]:=f[j-v[i]]+w[i];
      end
      else
      for j:=v[i] to m do
        if f[j-v[i]]+w[i]>f[j] then
        f[j]:=f[j-v[i]]+w[i];
    end;
  writeln(f[m]);
end.
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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