vasp scf 中 DFT+U时，添加LMAXMIX=4 or 6，加速

最新推荐文章于 2025-06-30 09:10:07 发布

原创最新推荐文章于 2025-06-30 09:10:07 发布 · 3k 阅读

1 ·

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签：

#qt

第一性原理计算同时被 2 个专栏收录

1 篇文章

订阅专栏

vasp

1 篇文章

订阅专栏

在VASP5.4.4版本下进行二维金属卤化物的计算时遇到性能下降，错误提示WARNING:Sub-Space-MatrixisnothermitianinDAV。增加LMAXMIX至4以解决非赫米特矩阵问题，但可能导致收敛变慢，需增加迭代次数。此问题可能影响计算效率，但调整参数可缓解。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

我们在vasp5.4.4的版本下，计算二维金属卤化物的时候，从km到fju的服务器后，感觉计算乏力。最开始以为是服务器问题，但是再怎么拉的服务器都不应该啊！

直到出现了这个错误提示“WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV”

则需要，增加LMAXMIX = 4。解释如下，对于d轨道设置为4，f轨道设置为6。LMAXMIX - Vaspwiki

问题是：虽然加快，但是收敛也变难，需要增加迭代步数。

还可以参考VASP 关于WARNING: Sub-Space-Matrix is not hermitian in DAV的错误 - 知乎 (zhihu.com)

确定要放弃本次机会？

福利倒计时

: :

立减 ¥

普通VIP年卡可用

立即使用

huiseXT

关注关注

0
点赞
踩
1

收藏

觉得还不错? 一键收藏
0
评论
分享

复制链接

分享到 QQ

分享到新浪微博

扫一扫
举报

举报

专栏目录

纯干货：VASP计算经验总结

m0_72489520的博客

11-11

2741

通过前面的教程，我们已经对VASP计算的基础操作有了一个比较全面的认识了，前面的教程中包含了一些简单的计算例子，大家可以参照教程反复练习，对于更具体的算例将会在后面的教程中呈现给大家。默认值为 2，含d电子的元素设置为4，含f电子的元素设置为6，这个参数对于含d电子和f电子的体系是非常重要的，很大一部分体系的收敛问题可以通过设置合适的LMAXMIX值来解决。杂化泛函计算能带的INCAR文件可以通过VASPKIT生成，这里只给出部分参数，面计算实例的教程会给出完整INCAR。ISIF =４，高精度计算。

VASP计算非线性磁矩和磁各向异性能（自旋轨道耦合）小结

weixin_44873868的博客

10-02

2万+

非线性磁矩计算： 1）计算非磁性基态产生WA.VECAR和CHGCAR.文件。 2）然后INCAR中加上 ISPIN=2 ICHARG=1或11！读取WA.VECAR和CHGCAR.文件 LNONCOLLINEAR=.TRUE. MAGMOM= 注意：①对于非线性磁矩计算，要在x, y和z方向分别加上磁矩，如 MAGMO...

参与评论您还未登录，请先登录后发表或查看评论

PySCF中分子体系的DFT+U方法实现探讨

gitblog_07925的博客

06-30

359

PySCF中分子体系的DFT+U方法实现探讨 DFT+U方法是一种在密度泛函理论(DFT)框架下处理强关联电子体系的有效方法，它通过引入Hubbard U参数来修正局域电子间的库仑相互作用。在PySCF量子化学计算软件包中，DFT+U方法主要针对周期性体系实现，但对于分子体系的支持同样具有重要意义。 DFT+U方法基本原理 DFT+U通过在DFT能量泛函中增加一项Hubbard修正项来改进对局域电...

vasp结构优化英语_VASP态密度、能带、DFT+U实例分析教程

weixin_39630048的博客

11-21

2839

今天主要记录强关联电子体系+U、DOS和能带计算过程中参数的设置，相信大家在读一些计算类文献时会看到文章中计算部分有The GGA + U calculations were performed using the model proposed by Dudarev et al这样一段话,那么我们今天来讨论一下。首先了解一下什么是强关联电子体系，对于弱关联体系，DFT-LDA近似就能很好...

基于密度泛函理论的VASP第一性原理计算个人总结

qq_46679797的博客

11-21

8133

利用Device Studio生成文件的VASP基础计算个人总结

vasp和ms_科学网—VASP如何计算铁磁和考虑强关联作用 - 叶小球的博文

weixin_31642733的博客

02-11

1951

关注：1) U参数的加入2) 自旋极化的考虑3) 铁磁、反铁磁的考虑来自文章的计算方法介绍The similar MSUs of Pu di- and trihydride provide aframework within which intermediate compositions can be exploredcomputationally.The calculationspresent...

mathtype运行时错误48_VASP自旋轨道耦合计算错误汇总

weixin_39846186的博客

12-01

2万+

VASP自旋轨道耦合计算错误汇总VASP自旋轨道耦合计算错误汇总1.静态计算时，报错：VERY BAD NEWS! Internal内部 error in subroutine子程序 IBZKPT:Reciprocal倒数的 lattice and k-lattice belong to different class of lattices. Often results are sti...

计算错题集（有错误就加入错题集，持续更新）

学习第一性原理计算的小白

04-04

1万+

错题集

在一个程序中什么算是亮点_VASP 计算问题小结

weixin_33502035的博客

12-30

2141

本文转载自博主一个人就是一个叠加态，有部分删减修改，文中对相关概念方法做了详细的总结，留坑待填...1. 第一原理计算的一些心得1. 第一性原理第一性原理其实是包括基于密度泛函的从头算和基于Hartree-Fock自洽计算的从头算，前者以电子密度作为基本变量(霍亨伯格-科洪定理)，通过求解Kohn-Sham方程，迭代自洽得到体系的基态电子密度，然后求体系的基态性质；后者则通过自洽求解Hartree...

LDA+U中U值的计算方法

PWmat的博客

05-05

1571

背景介绍 DFT（LDA和GGA）对于一般体系的计算结果是令人满意的，尤其是能带结构的计算，这些一般体系主要是金属体系或者是只包含前三周期元素的体系。但是，对于包含d电子或者f电子的体系，特别是过渡金属氧化物或者氮化物，DFT直接计算的结果往往是错误的，所以在金属/绝缘体的判定上常常出错。LDA和GGA往往会低估一些绝缘体或者半导体的带隙，甚至最高占据轨道（VBM或者HOMO）在Fermi面之上，变成金属。对于包含d或者f电子的体系，VBM或者HOMO往往是来自这些金属原子的d电子或者f电子，而DFT无法

第一性原理计算软件VASP的LDA赝势文件

09-16

最新VASP5.4.4赝势文件，第一性原理计算软件VASP赝势文件

YSTEM = Cr2O3_Re_doped_site2_opt ISTART = 0; ICHARG = 2 PREC = Accurate ENCUT = 600 # 覆盖Re_pv(700eV), Cr_pv(520eV), O(400eV) EDIFF = 1E-6 # 电子步收敛 EDIFFG = -0.02 # 离子步收敛 (eV/Å) ISMEAR = 0; SIGMA = 0.1 # 绝缘体用高斯展宽 IBRION = 2 # CG算法 POTIM = 0.5 ISIF = 3 # 优化晶胞形状+体积 NSW = 200 LREAL = Auto LWAVE = .TRUE. # 保留波函数 LCHARG = .TRUE. # 保留电荷密度 # 自旋与磁矩 (AFM背景+Re³⁺/Re⁴⁺) ISPIN = 2 MAGMOM = 1*4 15*3 24*0 # Re=4μB(高自旋d⁴), Cr=3μB, O=0μB # 若Re⁴⁺改为1*3(低自旋d³) # DFT+U (关键!) LDAU = .TRUE. LDAUTYPE = 2 LDAUL = -1 2 2 # Re-d, Cr-d, O-p (顺序对应POSCAR!) LDAUU = 2.0 3.5 0 # U_Re=2.0, U_Cr=3.5, U_O=0 LDAUJ = 0.0 0.0 0 # 混合泛函 (可选) # LHFCALC = .TRUE.; HFSCREEN = 0.2; ALGO = All; TIME = 0.4

热门推荐

懒散的鱼与消失的猫

07-30

2万+

在VASP中执行自旋轨道耦合（SOC）计算，具体的计算步骤如下：结构优化获取CONTCAR文件自洽计算（collinear normal VASP calculations）获取IBZKPT，CHGCAR和WAVECAR文件。 SCF+SOC计算，在此步骤中，将步骤2中的IBZKPT复制为KPOINTS，以便两个步骤具有相同的k网格，因此可以读取步骤2中的CHGCAR和WAVECAR文件。能带结构计算，在此步骤中，将KPOINTS改为高对称点，读取步骤3中的CHGCAR和WAVECAR文件。

【VASP】晶格常数与原子坐标优化

haoweixl的博客

12-25

7922

就是改POSCAR的第二行，改变缩放系数，一般这里需要做多个单点计算，不同缩放系数对应一个单点计算，（所以这里建议搞个脚本提交作业）获取能量，作图，找到能量最低点进行计算。一定要输出WAVECAR和CHGCAR，这样在你以后不论是计算电子态密度和能带结构，还是做杂化泛函和GW计算，就直接读取该步的结果继续算就行了，免得重复计算。，一般这个方法比较简单粗暴，但是用的比较多，优化好的CONTAR拿出来进行下一步的计算。保持晶格参数比例，对晶胞进行缩放，得到能量与缩放系数之间的关系图，取能量的最低点。

DFT计算

ygxdyd的博客

04-26

2413

INCAR IBRION -1 离子不动 0 MD 1 准牛顿法

【vasp笔记】结构优化（结构弛豫）

flowingsand的博客

12-22

2万+

文章目录INCARTagsISTARTISPINICHARGLREALENCUTPRECLWAVELCHARGNSWIBRIONISMEARSIGMAISIF = 3EDIFFG(eV/AA)并行计算 INCAR ''' Global Parameters ISTART = 0 (Read existing wavefunction; if there) # ...

材料仿真软件：VASP_（18）.拓扑材料计算

kkchenjj的博客

03-01

1072

在材料科学领域，拓扑材料的计算是一个重要的研究方向。拓扑材料因其独特的电子结构和物理性质，在电子学、光电子学和量子计算等领域具有广泛的应用前景。本节将介绍如何使用材料仿真软件进行拓扑材料的计算，包括能带结构、拓扑不变量、表面态等的计算方法。

纯干货：DFT+U | VASP零基础实用教程

m0_72489520的博客

11-10

5515

Anisimov等人发现在传统的L(S)DA中，只包括了由Hund规则对应的交换参数J，而在Mott绝缘体体系中起决定作用的应当是Hubbard参数U，U通常比J大1个数量级。他们通过在原来的L(S)DA能量泛函中加入Hubbard参数U对应的一项，建立了DFT+U方法（或称为LDA+U方法）。而GGA+U又可分为很多种，包括PBE+U, PW+U, PBEsol+U，取决于GGA的形式；+U也有很多方法，比较常见的一种就是给出U和J值，U是库伦排斥能，J是洪德耦合参数。+U与未加U的带宽比较。