本文详细介绍了NAND Flash的写操作技术路线，包括mtd接口的设定、写操作流程，涉及nand_erase、nand_write等函数。在实验过程中，发现了ECC校验问题可能导致的写错误，并通过实例展示了数据正确写入的情况，同时提到了nandflash擦除操作的问题。
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分析nandflash写操作技术路线
mtd->_erase = nand_erase;
mtd->_read = nand_read;
mtd->_write = nand_write;
mtd->_panic_write = panic_nand_write;
mtd->_read_oob = nand_read_oob;
mtd->_write_oob = nand_write_oob;
mtd->_sync = nand_sync;
mtd->_lock = NULL;
mtd->_unlock = NULL;
mtd->_block_isreserved = nand_block_isreserved;
mtd->_block_isbad = nand_block_isbad;
mtd->_block_markbad = nand_b
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