教程参考:
注:使用的反相器原理图如下,使用的是tsmc.18的库,注意pin一定要大写,不然后续提取参数可能会导致pin提取不出来。
绘制版图
创建layout的文件
在原理图界面点击layoutXL创建
添加器件
connectivity_generate_all from source
快捷键e:调整格点大小
快捷键p:连线
快捷键Fn_f3:调节连线宽度
快捷键o:通孔
画GND用M1_SUB材料
画VDD用NWELL材料
快捷键F4:可以调整连线的位置
快捷键R:画一个n阱框起来NWELL
DRC
calibre→drc
找到drc的rule,点击Run DRC即可
正确无误如图
LVS
check一下和原理图是否相符
检查无误如图:
打pin:create→pin→名字etc
注:在打pin的时候不要打开你的大写锁定,这样没办法打pin成功
选好rules:在和上一个rules同一个文件夹里面
setup→lvs options→调整一下supply和gates
把vdd和gnd放进去;选择AB和RC
快捷键L:打上label
注意材料要用metal pin才可以哈
完全无误如图:
PEX参数提取
选定rules:rcx
选择outputs
调节pex options:记得include导入rule
点击run pex并且导入cellmap
检查一下四个pin都在,ok!
后仿真
建立一下仿真的原理图(在你本来的原理图界面)
再建立一个原理图file,导入你刚刚集成的器件,给它设计外围测试电路。
后仿方法1:config
建立一个sim文件的config格式
导入提取参数并且保存一下
重新打开config版本的sim原理图,重新仿真就ok!
别的仿真方法,等这个仿真用不了了我再来学吧。