5.5 多级放大电路的频率响应

文章详细介绍了多级放大电路在高频和低频等效电路中的特性,特别是如何计算含有多个电容回路的电路的截止频率。通过公式推导和实例分析,揭示了多级放大电路的增益和相移特性,以及各级放大电路截止频率的关系。并提供了估算下限频率和上限频率的方法,指出级数越多,通频带越窄。

在多级放大电路中含有多个放大管,因而在高频等效电路中就含有多个 Cπ′C'_πCπ(或 Cgs′C'_{gs}Cgs),即有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中,如有多个耦合电容或旁路电容,则在低频等效电路中就含有多个高通电路。对于含有多个电容回路的电路,如何求解截止频率呢?电路的截止频率与每个电容回路的时间常数有什么关系呢?

一、多级放大电路频率特性的定性分析

设一个 NNN 级放大电路各级的电压放大倍数分别为 A˙u1\dot A_{u1}A˙u1A˙u2\dot A_{u2}A˙u2⋯\cdotsA˙uN\dot A_{uN}A˙uN,则该电路的电压放大倍数A˙u=∏k=1NA˙uk(5.5.1)\dot A_{u}=\prod\limits_{k=1}\limits^{N}{\dot A_{uk}}\kern 70pt(5.5.1)A˙u=k=1NA˙uk(5.5.1)对数幅频特性和相频特性表达式为{20lg⁡∣A˙u∣=∑k=1N20lg⁡∣A˙uk∣(5.5.2a)φ=∑k=1Nφk(5.5.2b)\left\{\begin{matrix}20\lg|\dot A_u|=\sum\limits_{k=1}\limits^{N}{20\lg}|\dot A_{uk}|\kern 20pt(5.5.2a)\\\varphi=\sum\limits_{k=1}\limits^{N}{\varphi_k}\kern 83pt(5.5.2b)\\\end{matrix}\right.20lgA˙u=k=1N20lgA˙uk(5.5.2a)φ=k=1Nφk(5.5.2b)即该电路的增益为各级放大电路增益之和,相移也为各级放大电路相移之和
设组成两级放大电路的两个单管共射放大电路具有相同的频率响应,A˙u1=A˙u2\dot A_{u1}=\dot A_{u2}A˙u1=A˙u2;即它们的中频电压增益 A˙um1=A˙um2\dot A_{um1}=\dot A_{um2}A˙um1=A˙um2,下限频率 fL1=fL2f_{L1}=f_{L2}fL1=fL2,上限频率 fH1=fH2f_{H1}=f_{H2}fH1=fH2;故整个电路的中频电压增益20lg⁡∣A˙u∣=20lg⁡∣A˙um1⋅A˙um2∣=40lg⁡∣A˙um1∣20\lg|\dot A_u|=20\lg|\dot A_{um1}\cdot\dot A_{um2}|=40\lg|\dot A_{um1}|20lgA˙u=20lgA˙um1A˙um2=40lgA˙um1f=fL1f=f_{L1}f=fL1 时,∣A˙ul1∣=∣A˙ul2∣=∣A˙um1∣2|\dot A_{ul1}|=|\dot A_{ul2}|=\displaystyle\frac{|\dot A_{um1}|}{\sqrt 2}A˙ul1=A˙ul2=2A˙um1,所以20lg⁡∣A˙u∣=40lg⁡∣A˙um1∣−40lg⁡220\lg|\dot A_u|=40\lg|\dot A_{um1}|-40\lg\sqrt 220lgA˙u=40lgA˙um140lg2说明增益下降 6 dB,并且由于 A˙u1\dot A_{u1}A˙u1A˙u2\dot A_{u2}A˙u2 均产生 +45° 的附加相移,所以 A˙u\dot A_uA˙u 产生 +90° 的附加相移。根据同样的分析可得,当 f=fH1f=f_{H1}f=fH1 时,增益也下降 6 dB,但所产生的附加相移为 -90°。因此,两级放大电路和组成它的单级放大电路的波特图如图5.5.1所示。根据截止频率的定义,在幅频特性中找到使增益下降 3 dB 的频率就是两级放大电路的下限频率 fLf_LfL 和上限频率 fHf_HfH,如图中所标注。显然,fL>fL1(fL2)f_L>f_{L1}(f_{L2})fL>fL1(fL2)fH<fH1(fH2)f_H<f_{H1}(f_{H2})fH<fH1(fH2),因此两级放大电路的通频带比组成它的单级放大电路窄在这里插入图片描述上述结论具有普遍意义。对于一个 NNN 级放大电路,设组成它的各级放大电路的下限截止频率分别为 fL1f_{L1}fL1fL2f_{L2}fL2⋯\cdotsfLNf_{LN}fLN,上限截止频率分别为 fH1f_{H1}fH1fH2f_{H2}fH2⋯\cdotsfHNf_{HN}fHN,通频带分别为 fbw1f_{bw1}fbw1fbw2f_{bw2}fbw2⋯\cdotsfbwNf_{bwN}fbwN;该多级放大电路的下限截止频率为 fLf_LfL,上限截止频率为 fHf_HfH,通频带为 fbwf_{bw}fbw;则{fL>fLk(k=1∼N)(5.5.3a)fH<fHk(k=1∼N)(5.5.3b)fbw<fbwk(k=1∼N)(5.5.3b)\left\{\begin{matrix}f_L>f_{Lk}\kern 11pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3a)\\f_H<f_{Hk}\kern 7pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3b)\\f_{bw}<f_{bwk}\kern 5pt(k=1\sim N)\kern 20pt(5.5.3b)\\\end{matrix}\right.fL>fLk(k=1N)(5.5.3a)fH<fHk(k=1N)(5.5.3b)fbw<fbwk(k=1N)(5.5.3b)

二、截止频率的估计

1、下限频率 fLf_LfL

将式(5.5.1)中的 A˙uk\dot A_{uk}A˙uk 用低频电压放大倍数 A˙ulk\dot A_{ulk}A˙ulk 的表达式代入并取模,得出多级放大电路低频段的电压放大倍数为∣A˙ul∣=∏k=1N∣A˙umk∣1+(fLkf)2|\dot A_{ul}|=\prod\limits_{k=1}\limits^{N}\frac{|\dot A_{umk}|}{\sqrt{\displaystyle{1+(\frac{f_{Lk}}{f})^2}}}A˙ul=k=1N1+(ffLk)2A˙umk根据 fLf_LfL 的定义,当 f=fLf=f_Lf=fL∣A˙ul∣=∏k=1N∣A˙umk∣2|\dot A_{ul}|=\frac{\prod\limits_{k=1}\limits^{N}|\dot A_{umk}|}{\sqrt 2}A˙ul=2k=1NA˙umk∏k=1N1+(fLkfL)2=2\prod\limits_{k=1}\limits^{N}\sqrt{1+(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2}=\sqrt 2k=1N1+(fLfLk)2=2等式两边取平方,得∏k=1N[1+(fLkfL)2]=2\prod\limits_{k=1}\limits^N[1+(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2]=2k=1N[1+(fLfLk)2]=2展开上式,得1+∑k=1N(fLkfL)2+高次项=21+\sum\limits_{k=1}^N(\frac{f_{Lk}}{f_L})^2+高次项=21+k=1N(fLfLk)2+高次项=2由于 fLk/fLf_{Lk}/f_LfLk/fL 小于 1,可将高次项忽略,得出fL≈∑k=1NfLk2(5.5.4)f_L\approx\sqrt{\sum\limits_{k=1}\limits^Nf^2_{Lk}}\kern 60pt(5.5.4)fLk=1NfLk2(5.5.4)如加上修正系数,即fL≈1.1∑k=1NfLk2(5.5.5)f_L\approx1.1\sqrt{\sum\limits_{k=1}^Nf^2_{Lk}}\kern 48pt(5.5.5)fL1.1k=1NfLk2(5.5.5)

2、上限频率 fHf_HfH

将式(5.5.1)中的 A˙uk\dot A_{uk}A˙uk 用高频电压放大倍数 A˙uhk\dot A_{uhk}A˙uhk 的表达式代入并取模,得∣A˙uh∣=∏k=1N∣A˙umk∣1+(ffHk)2|\dot A_{uh}|=\prod\limits_{k=1}^N\frac{|\dot A_{umk}|}{\sqrt{\displaystyle{1+(\frac{f}{f_{Hk}}})^2}}A˙uh=k=1N1+(fHkf)2A˙umk根据 fHf_HfH 的定义,当 f=fHf=f_Hf=fH∣A˙uh∣=∏k=1N∣A˙umk∣2|\dot A_{uh}|=\frac{\prod\limits_{k=1}^N|\dot A_{umk}|}{\sqrt 2}A˙uh=2k=1NA˙umk∏k=1N1+(fHfHk)2=2\prod\limits_{k=1}^N\sqrt{1+(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2}=\sqrt2k=1N1+(fHkfH)2=2等式两边取平方,得∏k=1N[1+(fHfHk)2]=2\prod\limits_{k=1}^N[1+(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2]=2k=1N[1+(fHkfH)2]=2展开等式,得1+∑k=1N(fHfHk)2+高次项=21+\sum\limits_{k=1}^N(\frac{f_H}{f_{Hk}})^2+高次项=21+k=1N(fHkfH)2+高次项=2由于 fH/fHkf_H/f_{Hk}fH/fHk 小于1,所以可以忽略高次项,得出 fHf_HfH 的近似表达式1fH≈∑k=1N1fHk2\frac{1}{f_H}\approx\sqrt{\sum\limits_{k=1}^N\frac{1}{f^2_{Hk}}}fH1k=1NfHk21如加上修正系数,则得1fH≈1.1∑k=1N1fHk2(5.5.6)\frac{1}{f_H}\approx1.1\sqrt{\sum\limits_{k=1}^N\frac{1}{f^2_{Hk}}}\kern 50pt(5.5.6)fH11.1k=1NfHk21(5.5.6)根据以上分析可知,若两级放大电路是由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成,则其上、下限频率分别为{1fH≈1.12fH12,fH≈fH11.12≈0.643fH1(5.5.7a)fL≈1.12fL1≈1.56fL1(5.5.7b)\left\{\begin{matrix}\displaystyle\frac{1}{f_H}\approx 1.1\sqrt{\frac{2}{f^2_{H1}}},f_H\approx\frac{f_{H1}}{1.1\sqrt2}\approx0.643f_{H1}\kern 10pt(5.5.7a)\\f_L\approx 1.1\sqrt2f_{L1}\approx1.56f_{L1}\kern 85pt(5.5.7b)\\\end{matrix}\right.fH11.1fH122fH1.12fH10.643fH1(5.5.7a)fL1.12fL11.56fL1(5.5.7b)对各级具有相同频率特性的三级放大电路,其上、下限频率分别为{1fH≈1.13fH12,fH≈fH11.13≈0.52fH1(5.5.8a)fL≈1.13fL1≈1.91fL1(5.5.8b)\left\{\begin{matrix}\displaystyle\frac{1}{f_H}\approx 1.1\sqrt{\frac{3}{f^2_{H1}}},f_H\approx\frac{f_{H1}}{1.1\sqrt3}\approx0.52f_{H1}\kern 15pt(5.5.8a)\\f_L\approx 1.1\sqrt3f_{L1}\approx1.91f_{L1}\kern 85pt(5.5.8b)\\\end{matrix}\right.fH11.1fH123fH1.13fH10.52fH1(5.5.8a)fL1.13fL11.91fL1(5.5.8b)可见,三级放大电路的通频带几乎是单级电路的一半。放大电路的级数愈多,频带愈窄。
在多级放大电路中,若某级的下限频率远高于其它各级的下限频率,则可认为整个电路的下限频率近似为该级的下限频率;同理,若某级的上限频率远低于其它各级的上限频率,则可认为整个电路的上限频率近似为该级的上限频率。因此式(5.5.5)、(5.5.6)多用于各级截止频率相差不多的情况。此外,对于有多个耦合电容和旁路电容的单管放大电路,在分析下限频率时,应先求出每个电容所确定的截止频率,然后利用式(5.5.5)求出电路的下限频率。

例5.5.1】已知某电路的各级均为共射放大电路,其对数幅频特性如图5.5.2所示。试求解下限频率 fLf_LfL、上限频率 fHf_HfH 和电压放大倍数 A˙u\dot A_uA˙u在这里插入图片描述解: 由图5.5.2可知
(1)频率特性曲线的低频段只有一个拐点,且低频段曲线斜率为 20 dB/20 \,\textrm{dB}/20dB/十倍频,说明影响低频特性的只有一个电容,故电路的下限频率为 10 Hz10 \,\textrm{Hz}10Hz
(2)频率特性曲线的高频段只有一个拐点,且高频段曲线斜率为−60 dB/-60\,\textrm{dB}/60dB/十倍频,说明影响高频特性的有三个电容,即电路为三级放大电路,且每一级的上限频率均为 2×105 Hz2\times10^5\,\textrm{Hz}2×105Hz,所以fH≈0.52fH1=104 kHzf_H\approx0.52f_{H1}=104\,\textrm{kHz}fH0.52fH1=104kHz(3)因各级均为共射电路,所以在中频段输出电压与输入电压相位相反。因此,电压放大倍数A˙u=−104(1+10jf)(1+jf2×105)3  或  A˙u=−103jf(1+jf10)(1+jf2×105)3\dot A_u=\frac{-10^4}{(1+\displaystyle\frac{10}{jf})(1+j\frac{f}{2\times10^5})^3}\,\,或\,\,\dot A_u=\frac{-10^3jf}{(1+j\displaystyle\frac{f}{10})(1+j\frac{f}{2\times10^5})^3}A˙u=(1+jf10)(1+j2×105f)3104A˙u=(1+j10f)(1+j2×105f)3103jf

例5.5.2】如下图所示 QQQ 点稳定电路中,已知 C1=C2=CeC_1=C_2=C_eC1=C2=Ce,其余参数选择合适,电路在中频段工作正常。试问:电路的下限频率决定于哪个电容?为什么?在这里插入图片描述解: 考虑到 C1C_1C1C2C_2C2CeC_eCe 的作用,图示电路的低频等效电路如图5.5.3(a)所示。在考虑某一电容对频率响应的影响时,应将其它电容做理想化处理,即将其他耦合电容或旁路电容视为短路。比较三个电容所在回路的等效电阻,数值最小的说明该电容的时间常数最小,因而它所确定的下限频率最高,若能判断出这个下限频率远高于其它两个,则说明整个电路的下限频率就是该频率。在这里插入图片描述在考虑 C1C_1C1 对低频特性的影响时,应将 C2C_2C2CeC_eCe 短路。图(b)所示是 C1C_1C1 所在回路的等效电路,其时间常数τ1=(Rs+Rb1//Rb2//rbe)C1=(Rs+Ri)C1(5.5.9)\tau_1=(R_s+R_{b1}//R_{b2}//r_{be})C_1=(R_s+R_i)C_1\kern 20pt(5.5.9)τ1=(Rs+Rb1//Rb2//rbe)C1=(Rs+Ri)C1(5.5.9)在考虑 C2C_2C2 对低频特性的影响时,应将 C1C_1C1CeC_eCe 短路。图(ccc)所示是 C2C_2C2 所在回路的等效电路,其时间常数τ2=(Rc+RL)C2(5.5.10)\tau_2=(R_c+R_L)C_2\kern 138pt(5.5.10)τ2=(Rc+RL)C2(5.5.10)式(5.5.9)与(5.5.10)在本质上是相同的,因为倘若电路的负载是下一级放大电路,则式(5.5.10)中的 RLR_LRL 即为后级的输入电阻 RiR_iRi,而 RcR_cRc 正是后级电路的信号源内阻 RsR_sRs
在考虑 CeC_eCe 对低频特性的影响时,应将 C1C_1C1C2C_2C2 短路。图(d)所示是 CeC_eCe 所在回路的等效电路。从 Ce\pmb{C_e}Ce 两端向左看的等效电阻是射极输出器的输出电阻,因此它的时间常数τe=(Re//rbe+Rb1//Rb2//Rs1+β)Ce(5.5.11)\tau_e=(R_e//\frac{r_{be}+R_{b1}//R_{b2}//R_s}{1+\beta})C_e\kern 70pt(5.5.11)τe=(Re//1+βrbe+Rb1//Rb2//Rs)Ce(5.5.11)C1C_1C1C2C_2C2CeC_eCe 所在回路所确定的下限频率分别为 fL1f_{L1}fL1fL2f_{L2}fL2fLef_{Le}fLe。比较时间常数 τ1\tau_1τ1τ2\tau_2τ2τe\tau_eτe,不难看出,当取 C1=C2=CeC_1=C_2=C_eC1=C2=Ce 时,τe\tau_eτe 将远小于 τ1\tau_1τ1τ2\tau_2τ2,即 fLef_{Le}fLe 远大于 fL1f_{L1}fL1fL2f_{L2}fL2,因此可以认为 fLef_{Le}fLe 就约为该电路的下限频率,即fL≈fLe=12πτ=12π(Re//rbe+Rb1//Rb2//Rs1+β)Cef_L\approx f_{Le}=\frac{1}{2π\tau}=\frac{1}{2π(R_e//\displaystyle\frac{r_{be}+R_{b1}//R_{b2}//R_s}{1+\beta})C_e}fLfLe=2πτ1=2π(Re//1+βrbe+Rb1//Rb2//Rs)Ce1从另一角度考虑,为改善电路的低频特性,CeC_eCe 的容量应远大于 C1C_1C1C2C_2C2。当 fL1f_{L1}fL1fL2f_{L2}fL2fLef_{Le}fLe 的数值相差不大时,可用式(5.5.5)求解电路的 fLf_LfL

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