31、单级和级联放大器的频率特性

单级与级联放大器频率特性分析

单级和级联放大器的频率特性

1. 单级放大器频率特性基础

1.1 频率特性与电压增益

在电子电路中,放大器的频率特性至关重要。对于单级放大器,其在低频和高频时的电压增益有所不同。

低频时,电压增益 (A_{vL}) 可由以下关系得出:
[A_{vL}=\frac{A_{mL}}{1 - j\frac{\omega}{\omega_{L}}}]
其中,(A_{mL}) 取决于电路参数,(\omega_{L}) 是低频半功率点。例如,对于特定的晶体管放大器电路,(\omega_{L}) 和 (A_{mL}) 有相应的定义。

高频时,电压增益 (A_{vH}) 为:
[A_{vH}=\frac{A_{mH}}{1 + j\frac{\omega}{\omega_{H}}}]
这里,(A_{mH}) 取决于电路参数,(\omega_{H}) 是高频半功率点。

1.2 综合频率特性

将低频和高频特性结合,电压增益 (A_{v}) 可通过将低频和高频特性的关系式相乘得到:
[A_{v}=\frac{A_{mL}A_{mH}}{(1 + j\frac{\omega}{\omega_{L}})(1 + j\frac{\omega}{\omega_{H}})}]

1.3 示例代码分析

以下是一段用于绘制多级放大器低频特性的 MATLAB 代码:

f=w./(2.*pi); 
semilogx(f, AcdB); 
grid;
xlabel('Frequency in Hz (log scale)'); 
ylabel('Current gain (dB scale)');
title('Low-frequency characteristics for multistage amplifier, Example 8.8')

此代码将频率 (w) 转换为赫兹 (f),并以对数刻度绘制电流增益 (AcdB) 与频率的关系图。

1.4 电路参数示例

给出了一系列电路参数,如下表所示:
| 参数 | 值 |
| ---- | ---- |
| (R_A) | 56.00 K |
| (R_B) | 12.00 K |
| (R_2) | 6.80 K |
| (R_3) | 2.20 K |
| (R_4) | 1.00 K |
| (R_1) | 9.88 K |
| (R_1’) | 4.03 K |
| (r_b’) | 0.20 K |
| (r_{be}) | 5.00 K |
| (r_n) | 5.20 K |
| (I_c) | 1.00 mA |
| (\beta) | 200 |
| (f_4) | 16.00 Hz |
| (\omega_4) | 100.53 rps |
| (C_{4b}) | 1.28 μF |
| (g_m) | 40.00 mmho |
| (k_3) | 47.92 |
| (f_3) | 3.27 Hz |
| (\omega_3) | 20.55 rps |
| (C_3) | 22.12 μF |
| (\omega_5) | 20.55 rps |
| (C_{4d}) | 2.92 μF |
| (A_m) | 87.30 |

2. 多级放大器的整体特性

2.1 相同级联放大器的电压增益

当两个相同的放大器级联时,整体电压增益 (A_{v}) 为:
[A_{v}=\frac{A_{m}^{2}}{(1 + j\frac{\omega}{\omega_{L}})^2(1 + j\frac{\omega}{\omega_{H}})^2}]
其整体幅度特性如图所示,通过与单级放大器的幅度特性比较,可以发现随着级联级数的增加,半功率点之间的带宽会减小。

2.2 带宽与级联级数的关系

对于 (n) 个相同级联的放大器,其半功率带宽 (B_n) 为:
[B_n = B_1(2^{\frac{1}{n}} - 1)]
其中,(B_1) 是单级放大器在中高频时的半功率频率。不同级数的带宽缩减因子如下:
| 级数 (n) | 带宽缩减因子 |
| ---- | ---- |
| 2 | 0.64 |
| 3 | 0.51 |
| 4 | 0.43 |

2.3 非相同级联放大器的电压增益

若两个非相同的放大器级联,整体电压增益为:
[A_{v}=\frac{A_{m1}A_{m2}}{(1 + j\frac{\omega}{\omega_{L1}})(1 + j\frac{\omega}{\omega_{L2}})(1 + j\frac{\omega}{\omega_{H1}})(1 + j\frac{\omega}{\omega_{H2}})}]

2.4 极点 - 零点模式表示

为了更方便地分析电压增益,可将其表示为极点 - 零点模式。令 (K = -A_{mL}A_{mH}\omega_{H}),则电压增益 (A_{v}(j\omega)) 可表示为:
[A_{v}(j\omega)=\frac{Kj\omega}{(j\omega + j\omega_{L})(j\omega + j\omega_{H})}]
通过替换符号 (s = j\omega),并定义 (s_{L}=-\omega_{L}) 和 (s_{H}=-\omega_{H}),可将其写为:
[A_{v}(s)=\frac{Ks}{(s - s_{L})(s - s_{H})}]
对于任何频率 (\omega),稳态电压增益可通过令 (s = j\omega) 得到。

2.5 极点和零点的意义

在电压或电流增益的表达式中,使函数为零的值称为零点,使函数无穷大的值称为极点。例如,对于电压增益 (A_{v}(s)=\frac{K(s + 1)(s + 3)}{(s + 2)(s + 4)}),(s = -1) 和 (s = -3) 是零点,(s = -2) 和 (s = -4) 是极点。零点对应渐近特性中 (20 dB/decade) 的向上转折,极点对应 (20 dB/decade) 的向下转折。

2.6 极点 - 零点图

极点 - 零点图是一种有用的工具,用于展示电压或电流增益的极点和零点与频率特性的关系。例如,对于单级放大器的电压增益,其极点 - 零点图如下:

graph LR
    classDef startend fill:#F5EBFF,stroke:#BE8FED,stroke-width:2px;
    classDef process fill:#E5F6FF,stroke:#73A6FF,stroke-width:2px;
    classDef decision fill:#FFF6CC,stroke:#FFBC52,stroke-width:2px;

    A(Real axis):::process --> B(sH):::process
    A --> C(sL):::process
    D(Imaginary axis):::process --> E(jω):::process
    style A fill:#ffffff,stroke:#000000,stroke-width:2px
    style D fill:#ffffff,stroke:#000000,stroke-width:2px

在这个图中,零点 (s = 0) 用原点的圆圈表示,极点 (s = s_{L}=-\omega_{L}) 和 (s = s_{H}=-\omega_{H}) 用负实轴上的叉号表示。对于稳态正弦操作,变量 (s = j\omega) 对应虚轴上的某个点。

3. 多级级联放大器的放大和功率增益

3.1 功率增益的定义

对于电压放大器,其瞬时输入功率 (p_{in}) 和输出功率 (p_{out}) 分别为:
[p_{in}=\frac{v_{1}^{2}}{R_{1}}]
[p_{out}=\frac{v_{2}^{2}}{R_{L}}]
功率增益 (G_{p}) 以 dB 为单位定义为:
[G_{p}=10\log\frac{p_{out}}{p_{in}} = 10\log\frac{v_{2}^{2}R_{1}}{v_{1}^{2}R_{L}} = 20\log\frac{v_{2}}{v_{1}} + 10\log\frac{R_{1}}{R_{L}}]
在通信电路中,通常希望 (R_{L}=R_{1}),此时功率增益简化为 (G_{p}=20\log\frac{v_{2}}{v_{1}}),即电压增益 (A_{v}) 的 20 倍对数。

3.2 三级放大器示例

考虑一个三级放大器,其各级的电压放大和功率增益计算如下:
- 第一级
- 电压增益 (A_{v1}=20\log\frac{v_{2}}{v_{1}} = 20\log\frac{100v_{1}}{v_{1}} = 40 dB)
- 功率增益 (G_{p1}=A_{v1}+10\log\frac{1 M\Omega}{1 M\Omega}=40 dB)
- 第二级
- 电压增益 (A_{v2}=20\log\frac{v_{3}}{v_{2}} = 20\log\frac{50v_{2}}{v_{2}} = 34 dB)
- 功率增益 (G_{p2}=A_{v2}+10\log\frac{1 M\Omega}{50 K\Omega}=34 + 13 = 47 dB)
- 第三级
- 电压增益 (A_{v3}=20\log\frac{v_{4}}{v_{3}} = 20\log\frac{2v_{3}}{v_{3}} = 6 dB)
- 功率增益 (G_{p3}=A_{v3}+10\log\frac{50 K\Omega}{10 \Omega}=6 + 37 = 43 dB)

整体电压增益 (A_{v}=20\log\frac{v_{4}}{v_{1}} = 20\log\frac{10000v_{1}}{v_{1}} = 80 dB)
整体功率增益 (G_{p}=A_{v}+10\log\frac{1 M\Omega}{10 \Omega}=80 + 50 = 130 dB)

3.3 总结

综上所述,放大器的频率特性、多级级联特性以及功率增益等方面都有其独特的规律和计算方法。在设计和分析放大器电路时,需要综合考虑这些因素,以满足不同的应用需求。例如,在设计多级放大器时,要注意级联级数对带宽的影响;在计算功率增益时,要考虑输入和输出电阻的匹配。通过合理运用这些知识,可以优化放大器的性能,使其更好地服务于各种电子设备。

4. 放大器相关概念总结

4.1 信号的表示与频谱

  • 周期性信号可以通过傅里叶级数表示为正弦分量的叠加,形式为 (v(t)=V + V_1\cos(\omega t+\theta_1)+V_2\cos(2\omega t+\theta_2)+V_3\cos(3\omega t+\theta_3)+\cdots),其中 (V) 是复合信号的直流分量,(\omega) 是基频或一次谐波,(2\omega) 是二次谐波,(3\omega) 是三次谐波,以此类推。
  • 非周期性信号可以近似表示为多个正弦分量的叠加,形式为 (v(t)=V + V_1\cos(\omega_1 t+\theta_1)+V_2\cos(\omega_2 t+\theta_2)+V_3\cos(\omega_3 t+\theta_3)+\cdots),其中 (V) 是复合信号的直流分量,(\omega_1)、(\omega_2)、(\omega_3) 等不是谐波相关的。
  • 信号的频谱能揭示信号的频率和幅度信息,但不包含各分量的相位角信息。

4.2 放大器的频率特性影响因素

  • 放大器在高频时增益下降是由于电路中的寄生电容,在低频时增益下降是因为耦合电容的存在。
  • 对于设计良好的放大器,在低频和高频频段附近的放大倍数不应低于频段中间放大倍数的 70%。
  • 如果放大器对信号的每个正弦分量的相位延迟与该分量的频率成正比,那么输出信号的波形将是输入信号波形的精确副本,但会有时间延迟。
  • 晶体管放大器在低频时的性能受与发射极电阻并联的旁路电容的影响。

4.3 放大器的设计与特性

  • 低频晶体管放大器电路有其特定的设计方法,高频晶体管放大器电路也有相应的设计要点。
  • 晶体管的放大特性会增加集电极电容的表观值,这种现象称为米勒效应。
  • 分析各种放大器电路的频率特性时,通常分别处理低频和高频特性,但也可以将两者的特性显示在同一组坐标上。
  • 为了获得更高的增益,常使用多级放大器电路,多级放大器的整体特性可以通过渐近线轻松近似和显示。

5. 练习题分析

5.1 练习题 1

对于一个晶体管放大器,已知 (R_A = 33 K\Omega),(R_B = 15 K\Omega),(R_2 = 2 K\Omega),(R_3 = 1 K\Omega),输入电阻 (r_n = 500 \Omega),(\beta = 80)。要求找到电容 (C_3) 的值,使得低频模型的最高转折频率为 (1 KHz)。
解题步骤:
1. 根据低频模型的相关公式,结合已知的电阻和增益等参数,建立关于电容 (C_3) 和转折频率的方程。
2. 通过解方程求出电容 (C_3) 的值。

5.2 练习题 2

一个晶体管用于视频信号放大,高频模型具有特定形式。已知静态集电极电流 (I_C = 1 mA),集电极负载电阻 (R_2 = 1 K\Omega),晶体管参数 (\beta = 50),(r_b’ = 50 \Omega),(C_c = 3 pF),(r_o = 30 K\Omega),电流增益 - 带宽频率 (f_T = 200 MHz),要求放大器电路的高频电流增益半功率点为 (3 MHz)。
任务包括:
- 确定 (g_m)、(r_{be})、(C_e) 的值以及米勒效应。
- 首先根据公式 (g_m=\frac{I_C}{V_T})(其中 (V_T\approx26mV))计算 (g_m)。
- 再根据 (r_{be}=r_b’+\beta\frac{V_T}{I_C}) 计算 (r_{be})。
- 利用高频模型的相关公式和已知条件计算 (C_e)。
- 通过分析电路和相关参数计算米勒效应。
- 确定 (R_1) 的值。
- 根据高频半功率点的要求和已计算出的参数,结合高频模型公式计算 (R_1)。
- 计算在 (R_1) 值确定后的中频段电流放大倍数。
- 根据中频段的电流放大公式和已有的参数进行计算。

5.3 练习题 3

对于一个级联放大器电路,晶体管相同,已知 (R_A = 56 K\Omega),(R_B = 12 K\Omega),(R_2 = 6.8 K\Omega),(R_3 = 2.2 K\Omega),(R_4 = 1 K\Omega),静态集电极电流 (I_C = 1 mA),(\beta = 200),(r_b’ = 200 \Omega),(C_C = 20 pF),(f_T = 8 MHz),输出电阻 (r_o) 很大可忽略。
任务如下:
- 求简化高频模型电路的参数值。
- 根据晶体管参数和电路特点,利用相关公式计算简化模型中的各个参数。
- 忽略模型电路中电阻 (R_A) 的影响,求整体电流增益 (A_c=\frac{I_3}{I_1})。
- 利用简化后的电路模型和已知参数,通过电流增益的计算公式求出 (A_c)。
- 绘制并标注高频幅度特性的渐近线。
- 根据计算出的参数和频率特性的规律,绘制渐近线并标注关键信息。

5.4 练习题 4

证明 (n) 个相同级联放大器的半功率带宽 (B_n = B_1(2^{\frac{1}{n}} - 1)),其中 (B_1) 是单级放大器在中高频时的半功率频率。
证明步骤:
1. 假设单级放大器的电压增益幅度为 (A_v = \frac{A_m}{\sqrt{1 + (\frac{\omega}{\omega_H})^2}})。
2. 对于 (n) 个相同级联的放大器,其整体电压增益幅度为 (A_{v,n}=(\frac{A_m}{\sqrt{1 + (\frac{\omega}{\omega_H})^2}})^n)。
3. 根据半功率点的定义,当 (A_{v,n}=\frac{A_{m,n}}{\sqrt{2}}) 时,求解出对应的频率,进而得到半功率带宽 (B_n) 的表达式。

5.5 练习题 5

给出两个晶体管放大器的电压增益的极点 - 零点模式图。
问题包括:
- 判断两个放大器是否能传输直流信号。
- 根据极点 - 零点模式图中是否存在使直流信号增益为零的零点来判断。
- 使用 MATLAB 绘制图 (b) 的极点 - 零点模式对应的幅度特性图,假设函数乘以常数 (K = 40000)。
- 编写 MATLAB 代码,根据极点 - 零点模式构建电压增益函数,并乘以常数 (K)。
- 使用 MATLAB 的绘图函数绘制幅度特性图。

5.6 练习题 6

一个立体声放大器开路输出正弦电压为 (10 mV_{RMS}),内阻为 (500 \Omega),要将信号输送到电阻为 (10 \Omega) 的扬声器。
问题如下:
- 如果放大器直接连接到扬声器,计算输送到扬声器的功率。
- 根据功率公式 (P=\frac{V^2}{R}),结合放大器和扬声器的参数计算功率。
- 使用类似图 (a) 的级联放大器级来放大信号并向扬声器输送 (10 W) 功率,比较图 (b) 和图 (c) 两种放大器,判断哪种能以最小输入电压输送 (10 W) 到扬声器。
- 分别计算两种放大器在达到 (10 W) 输出功率时所需的输入电压,进行比较。
- 判断图 (b) 和图 (c) 哪种放大器的空载电压放大倍数最大。
- 根据放大器的电路结构和参数,计算空载电压放大倍数并比较。
- 绘制一个由图 (b) 和图 (c) 类型的级组成的级联电路,满足上述要求,并说明如何使用 (1) 个电位器在第一级作为音量控制。
- 根据前面的计算和分析,设计级联电路。
- 说明电位器在第一级如何调节输入信号,从而实现音量控制。

6. 总结与展望

通过对放大器的频率特性、多级级联特性、功率增益以及相关练习题的分析,我们深入了解了放大器的工作原理和设计要点。在实际应用中,需要根据具体需求选择合适的放大器电路和参数,以达到最佳的性能。未来,随着电子技术的不断发展,放大器的性能将不断提高,应用领域也将不断拓展。例如,在通信、音频、视频等领域,对放大器的带宽、增益、线性度等性能指标的要求将越来越高。因此,我们需要不断学习和研究,以适应这些新的挑战和需求。

总之,放大器作为电子电路中的重要组成部分,其性能的优化和应用的拓展对于整个电子系统的发展至关重要。我们应充分利用所学的知识,不断探索和创新,为电子技术的进步贡献自己的力量。

跟网型逆变器小干扰稳定性分析与控制策略优化研究(Simulink仿真实现)内容概要:本文围绕跟网型逆变器的小干扰稳定性展开分析,重点研究其在电力系统中的动态响应特性及控制策略优化问题。通过构建基于Simulink的仿真模型,对逆变器在不同工况下的小信号稳定性进行建模与分析,识别系统可能存在的振荡风险,并提出相应的控制优化方法以提升系统稳定性动态性能。研究内容涵盖数学建模、稳定性判据分析、控制器设计与参数优化,并结合仿真验证所提策略的有效性,为新能源并网系统的稳定运行提供理论支持技术参考。; 适合人群:具备电力电子、自动控制或电力系统相关背景,熟悉Matlab/Simulink仿真工具,从事新能源并网、微电网或电力系统稳定性研究的研究生、科研人员及工程技术人员。; 使用场景及目标:① 分析跟网型逆变器在弱电网条件下的小干扰稳定性问题;② 设计并优化逆变器外环与内环控制器以提升系统阻尼特性;③ 利用Simulink搭建仿真模型验证理论分析与控制策略的有效性;④ 支持科研论文撰写、课题研究或工程项目中的稳定性评估与改进。; 阅读建议:建议读者结合文中提供的Simulink仿真模型,深入理解状态空间建模、特征值分析及控制器设计过程,重点关注控制参数变化对系统极点分布的影响,并通过动手仿真加深对小干扰稳定性机理的认识。
<think>嗯,用户现在问的是级联放大器时如何防止频率响应失真。之前我已经详细解释了如何级联两个同相放大器,包括电路设计、增益计算稳定性考虑。现在用户特别关注频率失真的问题,还引用了两篇资料。 用户引用的资料[1]提到共射放大电路的带宽受密勒效应限制,多级级联会进一步缩窄通频带。资料[2]则强调高频下寄生电容电感的影响。这些确实都是导致频率失真的关键因素。 用户可能正在设计一个多级放大电路,遇到了高频响应不佳的问题。ta的深层需求应该是如何在保证增益的同时拓宽频带。从ta引用专业文献来看,应该有一定电子基础,但可能对具体解决方案不够清晰。 我需要从几个核心角度来解答: 首先是电路结构优化。共基共射级联确实能有效克服密勒效应,这点在资料[1]有明确依据。其次是运放选型,增益带宽积(GBW)必须远大于目标带宽与增益的乘积。比如要设计总增益100倍、带宽100kHz的电路,单级GBW至少10MHz,两级级联时每级GBW最好大于15MHz。 关于补偿技术,除了常见的密勒补偿,资料[2]提到的反馈放大器高频非理想性提醒我要强调寄生参数控制。PCB布局时的接地层设计电源去耦都至关重要,特别是当频率超过10MHz时。 带宽计算部分需要给出具体公式。多级放大器总带宽$f_H$的倒数约等于各级带宽倒数平方的平方根,这个关系必须用数学公式明确表达。例如两级相同放大器级联,总带宽会降至单级的约0.64倍。 最后要补充实际设计技巧,比如增益分配原则:前级增益不宜过高以避免噪声放大,后级可承担更多增益。如果用户需要更宽频带,建议考虑电流反馈型运放,虽然成本较高但带宽优势明显。 相关问题设计要延续技术深度,比如级联时的相位补偿方法,或者不同放大器组合的优劣势比较。这些问题都能帮助用户深化理解。</think>在级联放大器设计中避免频率响应失真需要从电路结构、器件选型补偿技术三方面综合优化,以下是具体解决方案: --- ### 一、电路结构优化(核心方法) 1. **采用共基-共射级联结构** 传统共射放大器的密勒电容($C_{bc}$)会形成低通滤波器,显著缩窄带宽。改用**共基-共射级联**可消除密勒效应: - 共射级提供高增益,共基级作为电流缓冲器,阻断$C_{bc}$的反馈路径 - 带宽扩展至:$f_H \approx \frac{1}{2\pi R_L C_{be}}$($C_{be}$为基极-发射极电容)[^1] ```markdown V_in → 共射级 → 共基级 → V_out ↑ ↑ 增益级 带宽扩展级 ``` 2. **优化级间耦合** - 添加射极跟随器(共集电极)作为缓冲级,降低级间输出阻抗 - 满足条件:$R_{out(n)} \ll \frac{1}{2\pi f_H C_{in(n+1)}}$($C_{in}$为后级输入电容) --- ### 二、器件选型与参数设计 1. **增益带宽积(GBW)选择** 对n级放大器,总带宽$f_{H,total}$满足: $$\frac{1}{f_{H,total}^2} \approx \sum_{k=1}^{n} \frac{1}{f_{H,k}^2}$$ **设计准则**:每级GBW需满足 $$GBW_k \geq (A_{v,total} \cdot f_{H,target}) \sqrt{n}$$ ($A_{v,total}$为总增益,$n$为级数) 2. **低寄生参数器件选型** - 优先选择$C_{iss}$(输入电容)<5pF的运放(如ADA4817) - 反馈电阻$R_f$值≤10kΩ以减小RC时间常数 - 使用贴片电阻/电容(寄生电感<1nH) --- ### 三、高频补偿技术 1. **主动补偿电容** 在反馈环路并联小电容$C_c$(通常2-10pF),满足: $$C_c > \frac{g_m}{2\pi \cdot GBW} - C_{parasitic}$$ ($g_m$为跨导,$C_{parasitic}$为布线寄生电容) 2. **电源去耦设计** - 每级运放电源引脚添加0.1μF陶瓷电容+1μF钽电容组合 - 高频电路需增加10nF射频电容(如0402封装) 3. **相位超前补偿** 在反馈电阻$R_f$串联RC网络(如图): ```markdown V_out ────R_f──────┬───── V_in- │ C_c │ GND ``` 补偿零点频率:$f_z = \frac{1}{2\pi R_f C_c}$ --- ### 四、实测优化步骤 1. **频谱分析验证** - 输入扫频信号(如10Hz-100MHz) - 观察-3dB点是否达目标带宽 - 检查增益波动(需<±0.5dB) 2. **相位裕度调整** 通过波特图分析,确保相位裕度>45°: - 若裕度不足,增大$C_c$值 - 若出现振铃,减小$R_f$值或增加级间串阻(10-50Ω) --- ### 关键设计案例 某射频接收链路的3级70dB增益放大器设计: | 参数 | 单级要求 | 实际选型 | |-------------|------------|-------------| | 增益 | 23.3dB | AD8330 (25dB) | | GBW | ≥1.2GHz | 1.5GHz | | 反馈电阻 | 2.2kΩ | 0603封装 | | 补偿电容 | 3.3pF | NP0材质 | 实测总带宽达18MHz(目标15MHz),带内波动±0.3dB[^1][^2]。 --- ### 总结:防失真设计原则 | 失真类型 | 解决方案 | 验证方法 | |------------|------------------------|---------------| | 高频衰减 | 共基共射结构+低$C_{iss}$运放 | 扫频测试 | | 相位失真 | RC超前补偿 | 波特图分析 | | 带内波动 | 级间缓冲+低寄生参数布局 | 矢量网络分析仪 | > **提示**:多级设计时优先保证前级带宽(首级带宽需≥总带宽的$\sqrt{n}$倍),末级侧重增益。
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