实验五、U_GSQ对共源放大电路电压放大倍数的影响

本文通过仿真分析了UGS对共源放大电路的影响,重点研究了2N7000场效应管的转移特性及其对电路性能的影响。通过改变电阻Rg2的值观察到UGSQ、IDSQ和放大倍数的变化。

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一、题目

U G S U_{GS} UGS 对共源放大电路 A ˙ u \dot A_u A˙u 的影响。

二、仿真电路

共源放大电路如图( c c c)所示,其中MOS场效应管型号为2N7000。

三、仿真内容

图1(a)为2N7000相关的参数,图1(b)为其转移特性,以作为参考(需注意与仿真电路中的MOS管并不完全相同)。
在这里插入图片描述 ( a )   2N7000 的 参 数 (a)\,\textrm{2N7000}的参数 (a)2N7000在这里插入图片描述 ( b )   2N7000 的 转 移 特 性 曲 线 (b)\,\textrm{2N7000}的转移特性曲线 (b)2N7000线 图 1   2N7000 的 数 据 手 册 中 的 相 关 参 数 图1\,\textrm{2N7000}的数据手册中的相关参数 12N7000
(1)通过直流参数分析方法(DC Sweep)测量2N7000的转移特性,测量电路及结果如图2所示;左边为电路,其中直流电源V1为被扫描电压,节点2为输出,由于源极电阻为1Ω,因而其电压可表示源极(即漏极)电流;右边为几组测试数据;中间是测试所得转移特性曲线。测量结果表明,2N7000的开启电压 U G S ( t h ) ≈ 2.1   V U_{GS(th)}\approx2.1\,\textrm V UGS(th)2.1V I D O ≈ 247   mA I_{DO}\approx247\,\textrm{mA} IDO247mA在这里插入图片描述 图 2   场 效 应 管 转 移 特 性 的 测 试 图2\,场效应管转移特性的测试 2注意:这里的 I D O I_{DO} IDO与图1(b)中的转移特性曲线中所得到到的 I D O I_{DO} IDO有较大差距,从数据手册上的转移特性曲线读出 I D O > 300   mA I_{DO}>300\,\textrm{mA} IDO>300mA,除了有读取的误差,还有测试条件的问题,数据手册中的测试条件是在 V D S = 10   V V_{DS}=10\,\textrm V VDS=10V的条件下测量的,而这里 V D S V_{DS} VDS计算得到大约在 12   V 12\,\textrm V 12V左右。
(2)图3(a)、(b)所示为 R g 2 R_{g2} Rg2 分别等于6MΩ和6.1MΩ情况下 U G S Q U_{GSQ} UGSQ U D S Q U_{DSQ} UDSQ U o U_o Uo 的测试结果。左边电压表指示的是 U G S Q U_{GSQ} UGSQ,右边电压表指示的是 U D S Q U_{DSQ} UDSQ,从示波器中读出 U o U_o Uo 的峰值。
在这里插入图片描述
( a ) R g 2 为   6   MΩ 时 (a)R_{g2}为\,6\,\textrm{MΩ}时 (a)Rg26在这里插入图片描述 ( b ) R g 2 为   6.1   M Ω 时 (b)R_{g2}为\,6.1\,\textrm MΩ时 (b)Rg26.1MΩ 图 3    共 源 放 大 电 路 的 测 试 图3\,\,共源放大电路的测试 3

四、仿真结果

整理图3(a)和(b)中电压表和示波器上的数据,可得下表。

输入电压峰值 U i p p U_{ipp} Uipp/mV R g 2 R_{g2} Rg2/MΩ U G S Q U_{GSQ} UGSQ/V U D S Q U_{DSQ} UDSQ/V漏极电流 I D Q I_{DQ} IDQ/mA输出电压 U o U_o Uo/mV电压放大倍数 A ˙ u \dot A_u A˙u
14.1326.02.1375.5430.9457997.933-71
14.0406.12.1079.2290.5771778.462-55

五、结论

(1)用直流扫描分析可测试场效应管的转移特性,从中可读出 U G S ( t h ) U_{GS(th)} UGS(th) I D O I_{DO} IDO 的数值。从图1中2N7000的转移特性可得其 U G S ( t h ) ≈ 2.1   V U_{GS(th)}\approx2.1\,\textrm V UGS(th)2.1V I D O ≈ 247   mA I_{DO}\approx247\,\textrm{mA} IDO247mA。但是,由于 u G S u_{GS} uGS 变化时 i D i_D iD 变化较快,因而用常用电子仪器测量时,应特别注意不能超过长效应管的最大功耗,以免其烧坏。
(2)当电阻 R g 2 R_{g2} Rg2 增大时, U G S Q U_{GSQ} UGSQ 减小, I D Q I_{DQ} IDQ 减小, U D S Q U_{DSQ} UDSQ 增大, ∣ A ˙ u ∣ |\dot A_u| A˙u 减小。由此说明,在 R d R_d Rd R L R_L RL 不变的情况下,调整电路参数增大 I D Q I_{DQ} IDQ(即增大 U G S Q U_{GSQ} UGSQ)是增高电路电压放大倍数的有效方法。需要注意的是,在调解 R g 2 R_{g2} Rg2 时,要始终保证场效应管工作在恒流区(即满足 U D S > U G S − U G S ( t h ) U_{DS}>U_{GS}-U_{GS(th)} UDS>UGSUGS(th)),即保证电路不失真。
(3)由 U G S ( t h ) ≈ 2.1   V U_{GS(th)}\approx2.1\,\textrm V UGS(th)2.1V I D O ≈ 247   mA I_{DO}\approx247\,\textrm{mA} IDO247mA 和公式 g m = 2 U G S ( t h ) I D O ⋅ I D Q g_m=\displaystyle\frac{2}{U_{GS(th)}}\sqrt{I_{DO}\cdot I_{DQ}} gm=UGS(th)2IDOIDQ ,分别计算出 R g 2 R_{g2} Rg2 等于6.0MΩ和6.1MΩ时的 g m g_m gm 分别为14.6mS和11.3mS,因此电压放大倍数为 A ˙ u = − g m ( R d / / R L ) ≈ − 14.6 × 5 ≈ − 73 \dot A_u=-g_m(R_d//R_L)\approx-14.6\times5\approx-73 A˙u=gm(Rd//RL)14.6×573 A ˙ u = − g m ( R d / / R L ) ≈ − 11.3 × 5 = − 57 \dot A_u=-g_m(R_d//R_L)\approx-11.3\times5=-57 A˙u=gm(Rd//RL)11.3×5=57与仿真结果近似。说明共识近似程度很好,也说明仿真对电路的实际调试具有指导意义。

<think>嗯,用户让我介绍一下场效应管放大电路的仿真,我需要先理清楚这个主题的关键点。首先,场效应管(FET)放大电路的基础知识,可能用户已经了解一些,但作为复习还是有必要的。然后,仿真步骤应该包括哪些内容呢?通常仿真流程包括软件选择、电路搭建、参数设置、仿真类型、结果分析等等。 用户可能想知道具体使用什么软件,比如Multisim、LTspice或者Proteus之类的。不过是否需要推荐特定的软件呢?可能得提几个常用的,但不要偏向某个品牌。另外,用户可能关心仿真中的注意事项,比如模型参数、偏置设置、失真问题,这些都需要详细说明。 接下来,仿真步骤需要分点讲解,比如从软件选择开始,然后电路搭建,设置直流工作点,交流分析,瞬态分析,参数扫描,优化调整。每个步骤要简明扼要,但也要足够详细,让用户能按步骤操作。 可能用户是电子工程的学生或者爱好者,他们可能在课程设计或项目中需要用到FET放大电路仿真。所以需要强调参数设置的准确性,比如栅极电阻、漏极电阻的选择,耦合电容的作用,以及如何避免失真。此外,仿真结果的分析也很重要,比如电压增益、频率响应、输入输出波形的观察。 需要检查是否遗漏了关键点,比如FET的类型,比如JFET、MOSFET的区别,是否在仿真中需要注意不同的模型。另外,是否需要提到温度效应或者其他高级分析?可能用户现阶段只需要基础仿真,所以暂时不深入。 还要注意用户可能遇到的常见问题,比如仿真不收敛、结果不符合预期,这时候需要检查电路连接、模型参数是否正确,或者调整仿真设置。这些可能需要在注意事项中提及。 最后,总结部分要简明扼要,强调仿真的重要性,以及结合理论与实践的必要性。确保整个回答结构清晰,步骤明确,帮助用户一步步完成仿真任务。</think>场效应管放大电路仿真可分为以下几个关键步骤,我将以放大电路为例逐步说明: 一、仿真准备 1. 软件选择 推荐使用Multisim、LTspice或Proteus等电路仿真软件,本文以Multisim为例 2. 器件模型 - 选择合适场效应管(JFET或MOSFET) - 验证模型参数是否匹配数据手册 $$ I_D = I_{DSS} \left(1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right)^2 $$ (适用于JFET的平方律特性) 二、电路搭建 1. 基础电路结构 $$ \begin{cases} 电V_{DD} (12-24V) \\ 漏极电阻R_D (1-10kΩ) \\ 极电阻R_S (100Ω-1kΩ) \\ 栅极偏置电阻R_G (1-10MΩ) \\ 耦合电容C_1,C_2 (1-100μF) \end{cases} $$ 2. 偏置设置 - 分压式偏置(增强型MOSFET) - 自给偏置(耗尽型JFET) 三、仿真设置 1. 直流工作点分析 - 验证$V_{GSQ}$在夹断电压范围内 - 确保$V_{DS} > V_{GS} - V_P$(饱和区条件) 2. 交流分析 - 设置输入信号:$v_{in} = 10mV_{pp}$ @1kHz - 测量电压增益:$A_v = \frac{v_{out}}{v_{in}}$ - 典型增益范围:10-100倍 四、关键仿真指标 1. 频率响应 - 测量带宽:$-3dB$点 - 计算增益带宽积(GBW) 2. 输入/输出阻抗 - 输入阻抗测量:串联电阻法 - 输出阻抗测量:负载变化法 、常见问题处理 1. 失真分析 - 削波失真:检查$V_{DS}$是否进入欧姆区 - 交越失真:确认偏置点设置 2. 稳定性问题 - 添加极旁路电容($C_S$) - Miller补偿电容应用 六、进阶仿真 1. 温度扫描 - 观察$I_{DSS}$随温度变化 - 评估热稳定性 2. 参数扫描 - 扫描$R_D$值对增益的影响 - 优化$R_S$取值降低失真 注意事项: 1. 模型验证:确保FET的跨导$g_m$参数与理论值匹配 2. 接地规则:信号地与电地需正确连接 3. 动态范围:输入信号幅值不超过$0.2(V_{GS} - V_P)$ 建议结合具体器件手册参数进行仿真,典型仿真时间步长设为信号周期的1/100。通过对比理论计算与仿真结果,可有效验证电路设计合理性。
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