一、题目
UGSU_{GS}UGS 对共源放大电路 A˙u\dot A_uA˙u 的影响。
二、仿真电路
共源放大电路如图(ccc)所示,其中MOS场效应管型号为2N7000。
三、仿真内容
图1(a)为2N7000相关的参数,图1(b)为其转移特性,以作为参考(需注意与仿真电路中的MOS管并不完全相同)。
(a) 2N7000的参数(a)\,\textrm{2N7000}的参数(a)2N7000的参数
(b) 2N7000的转移特性曲线(b)\,\textrm{2N7000}的转移特性曲线(b)2N7000的转移特性曲线图1 2N7000的数据手册中的相关参数图1\,\textrm{2N7000}的数据手册中的相关参数图12N7000的数据手册中的相关参数
(1)通过直流参数分析方法(DC Sweep)测量2N7000的转移特性,测量电路及结果如图2所示;左边为电路,其中直流电源V1为被扫描电压,节点2为输出,由于源极电阻为1Ω,因而其电压可表示源极(即漏极)电流;右边为几组测试数据;中间是测试所得转移特性曲线。测量结果表明,2N7000的开启电压UGS(th)≈2.1 VU_{GS(th)}\approx2.1\,\textrm VUGS(th)≈2.1V,IDO≈247 mAI_{DO}\approx247\,\textrm{mA}IDO≈247mA。
图2 场效应管转移特性的测试图2\,场效应管转移特性的测试图2场效应管转移特性的测试注意:这里的IDOI_{DO}IDO与图1(b)中的转移特性曲线中所得到到的IDOI_{DO}IDO有较大差距,从数据手册上的转移特性曲线读出IDO>300 mAI_{DO}>300\,\textrm{mA}IDO>300mA,除了有读取的误差,还有测试条件的问题,数据手册中的测试条件是在VDS=10 VV_{DS}=10\,\textrm VVDS=10V的条件下测量的,而这里VDSV_{DS}VDS计算得到大约在12 V12\,\textrm V12V左右。
(2)图3(a)、(b)所示为 Rg2R_{g2}Rg2 分别等于6MΩ和6.1MΩ情况下 UGSQU_{GSQ}UGSQ、UDSQU_{DSQ}UDSQ 和 UoU_oUo 的测试结果。左边电压表指示的是 UGSQU_{GSQ}UGSQ,右边电压表指示的是 UDSQU_{DSQ}UDSQ,从示波器中读出 UoU_oUo 的峰值。

(a)Rg2为 6 MΩ时(a)R_{g2}为\,6\,\textrm{MΩ}时(a)Rg2为6MΩ时
(b)Rg2为 6.1 MΩ时(b)R_{g2}为\,6.1\,\textrm MΩ时(b)Rg2为6.1MΩ时图3 共源放大电路的测试图3\,\,共源放大电路的测试图3共源放大电路的测试
四、仿真结果
整理图3(a)和(b)中电压表和示波器上的数据,可得下表。
| 输入电压峰值 UippU_{ipp}Uipp/mV | Rg2R_{g2}Rg2/MΩ | UGSQU_{GSQ}UGSQ/V | UDSQU_{DSQ}UDSQ/V | 漏极电流 IDQI_{DQ}IDQ/mA | 输出电压 UoU_oUo/mV | 电压放大倍数 A˙u\dot A_uA˙u |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 14.132 | 6.0 | 2.137 | 5.543 | 0.9457 | 997.933 | -71 |
| 14.040 | 6.1 | 2.107 | 9.229 | 0.5771 | 778.462 | -55 |
五、结论
(1)用直流扫描分析可测试场效应管的转移特性,从中可读出 UGS(th)U_{GS(th)}UGS(th) 和 IDOI_{DO}IDO 的数值。从图1中2N7000的转移特性可得其 UGS(th)≈2.1 VU_{GS(th)}\approx2.1\,\textrm VUGS(th)≈2.1V,IDO≈247 mAI_{DO}\approx247\,\textrm{mA}IDO≈247mA。但是,由于 uGSu_{GS}uGS 变化时 iDi_DiD 变化较快,因而用常用电子仪器测量时,应特别注意不能超过长效应管的最大功耗,以免其烧坏。
(2)当电阻 Rg2R_{g2}Rg2 增大时,UGSQU_{GSQ}UGSQ 减小,IDQI_{DQ}IDQ 减小,UDSQU_{DSQ}UDSQ 增大,∣A˙u∣|\dot A_u|∣A˙u∣ 减小。由此说明,在 RdR_dRd 和 RLR_LRL 不变的情况下,调整电路参数增大 IDQI_{DQ}IDQ(即增大 UGSQU_{GSQ}UGSQ)是增高电路电压放大倍数的有效方法。需要注意的是,在调解 Rg2R_{g2}Rg2 时,要始终保证场效应管工作在恒流区(即满足 UDS>UGS−UGS(th)U_{DS}>U_{GS}-U_{GS(th)}UDS>UGS−UGS(th)),即保证电路不失真。
(3)由 UGS(th)≈2.1 VU_{GS(th)}\approx2.1\,\textrm VUGS(th)≈2.1V、IDO≈247 mAI_{DO}\approx247\,\textrm{mA}IDO≈247mA 和公式 gm=2UGS(th)IDO⋅IDQg_m=\displaystyle\frac{2}{U_{GS(th)}}\sqrt{I_{DO}\cdot I_{DQ}}gm=UGS(th)2IDO⋅IDQ,分别计算出 Rg2R_{g2}Rg2 等于6.0MΩ和6.1MΩ时的 gmg_mgm 分别为14.6mS和11.3mS,因此电压放大倍数为A˙u=−gm(Rd//RL)≈−14.6×5≈−73\dot A_u=-g_m(R_d//R_L)\approx-14.6\times5\approx-73A˙u=−gm(Rd//RL)≈−14.6×5≈−73A˙u=−gm(Rd//RL)≈−11.3×5=−57\dot A_u=-g_m(R_d//R_L)\approx-11.3\times5=-57A˙u=−gm(Rd//RL)≈−11.3×5=−57与仿真结果近似。说明共识近似程度很好,也说明仿真对电路的实际调试具有指导意义。
本文通过仿真分析了UGS对共源放大电路的影响,重点研究了2N7000场效应管的转移特性及其对电路性能的影响。通过改变电阻Rg2的值观察到UGSQ、IDSQ和放大倍数的变化。
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