石英晶体、晶振介绍

无源晶体与有源晶振的区别、应用范围及用法:
1、无源晶体——无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法。无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体,这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。建议采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体。
2、有源晶振——有源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路。有源晶振通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压。相对于无源晶体,有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的,需要选择好合适输出电平,灵活性较差,而且价格高。对于时序要求敏感的应用,个人认为还是有源的晶振好,因为可以选用比较精密的晶振,甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路,只能使用有源的晶振,如TI 的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大,但现在许多有源晶振是表贴的,体积和晶体相当,有的甚至比许多晶体还要小。  

石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器、手机等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。 可以说只要需要稳定时钟的地方,就必需要有晶体振荡器。
一:认识晶体、晶振
常见晶体振荡器有两类,一类是无源晶体,也叫无源晶振,另一类是有源晶振,也叫钟振。
无源晶体外形如下图:
 

              (HC-49S  插脚)

                          (HC-49S/SMD  贴片)
无源晶体以以上两种封装的晶体最为常用,广泛应用于普通设备上,尤其是嵌入式设备,若对体积大小有要求,可以选择更小的贴片封装,如下图:
                 
        (XG5032 贴片)                       (XS3225 贴片  1,3脚有效,2,4脚为空脚)
当前消费类电子如手机,MP4,笔记本等,XS3225封装最为常用。具体关于晶体的封装及参数信息,请参考国内最大的高端晶体晶振厂家:浙江省东晶电子股份有限公司网站提供的信息: http://www.ecec.com.cn/product.aspx/23
无源晶体说穿了就是封装了一下晶体,在晶体两面镀上电极引出两根线即可,那么有源晶振就是在无源晶体的基础上加了一个晶体振荡电路,,比如采用一个74HC04或者54HC04之类的非门与晶体勾通三点式电容振荡电路,所以它具有 电源,地,时钟输出三个脚,有些还会增加一个脚,就是晶振工作控制脚,当不需要工作的时候,可以关掉晶振降低功耗。如下图:

(OS3225 与XS3225外形一样,只是脚位定义不同1:EN控制脚,2:GND地,3:OUT信号输出,4:VCC电源,一般为3.3V或者5V)。
晶振内部振荡电路等效图如下:
 

非门5404的输出脚2就是信号输出脚。
 
二:晶体振荡电路原理分析(本篇由东晶电子网上独家代理提供技术文档)
我们以最常见得MCU振荡电路为例,参考电路如下:

很多人做MCU51单片机得时候,不明白晶体两边为什么要加两个电容,大小一般在15pF~33pF之间,有些特殊的,还需要在晶体上并联一个大电阻,一般老师的解释是提高晶体振荡电路的稳定性,有助于起振,而对于其根本原理没有解释。其实这个电路就是典型的电容三点式振荡电路,Y1是晶体,相当于三点式里面的电感,C1和C2就是电容,5404(类似74HC04)和R1实现一个NPN的三极管,大家可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。接下来分析一下这个电路。

5404必需要一个电阻,不然它处于饱和截止区,而不是放大区,R1相当于三极管的偏置作用,让5404处于放大区域,那么5404就是一个反相器,这个就实现了NPN三极管的作用,NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。
接下来用通俗的方法讲解一下这个三点式振荡电路的工作原理,大家也可以直接看书。
大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是,系统放大倍数大于1,这个容易实现,相位满足360°,接下来主要讲解这个相位问题:
5404因为是反相器,也就是说实现了180°移相,那么就需要C1,C2和Y1实现180°移相就可以,恰好,当C1,C2,Y1形成谐振时,能够实现180移相,这个大家可以解方程等,把Y1当作一个电感来做。也可以用电容电感的特性,比如电容电压落后电流90°,电感电压超前电流90°来分析,都是可以的。

当C1增大时,C2端的振幅增强,当C2降低时,振幅也增强。
有些时候C1,C2不焊也能起振,这个不是说没有C1,C2,而是因为芯片引脚的分布电容引起的,因为本来这个C1,C2就不需要很大,所以这一点很重要。接下来分析这两个电容对振荡稳定性的影响。
因为7404的电压反馈是靠C2的,假设C2过大,反馈电压过低,这个也是不稳定,假设C2过小,反馈电压过高,储存能量过少,容易受外界干扰,也会辐射影响外界。C1的作用对C2恰好相反。因为我们布板的时候,假设双面板,比较厚的,那么分布电容的影响不是很大,假设在高密度多层板时,就需要考虑分布电容,尤其是VCO之类的振荡电路,更应该考虑分布电容。
有些用于工控的项目,建议不要用晶体的方法振荡,而是直接接一个有源的晶振
很多时候大家会用到32.768K的时钟晶体来做时钟,而不是用单片机的晶体分频后来做时钟,这个原因很多人想不明白,其实这个跟晶体的稳定度有关,频率越高的晶体,Q值一般难以做高,频率稳定度不高,32.768K的晶体稳定度等各方面都不错,形成了一个工业标准,比较容易做高。
一般晶体在基频下最高频率只能做到30MHz附近,最高的也只有40MHz,更高的一般采用晶体的3次倍频,这个时候晶体的接法比较特殊,需要采用一定的选频网络,如下图,这个选频网络需要工作在3次倍频上,这样才能保证稳定工作。但一般还是建议采用基频晶体,所以客户在高频晶体时,需要问清楚厂家是基频还是倍频,超过40MHz的大部分都是倍频了。
三:晶体晶振原理特性及工艺
1、石英晶体与频率控制组件
石英是由硅原子和氧原子组合而成的二氧化硅(Silicon Dioxide, SiO2), 以32点群的六方晶系形成的单结晶结构﹝图一﹞.单结晶的石英晶体结构具有压电效应特性, 当施加压力在晶体某些方向时, 垂直施力的方向就会产生电气电位. 相对的当以一个电场施加在石英晶体某些轴向时, 在另一些方向就会产生变形或振动现象. 掌握单结晶石英材料的这种压电效应, 利用其发生共振频率的特性, 发挥其精确程度作为各类型频率信号的参考基准, 就是水晶震荡器的设计与应用. 因为石英晶体具有很高的材料Q值,所以绝大部份的频率控制组件,如共振子及振荡器,都以石英材料为基础. 以石英为基础的频率控制组件可以依其压电振动的属性, 可以分为体波(bulk wave)振动组件及表面声波(surface acoustic wave)振动组件. 体波振动组件如石英晶体共振子, 石英晶体滤波器及石英晶体振荡器, 表面波振动组件如表面波滤波器及表面波共振子. 当石英晶体以特定的切割方式, 以机械加工方式予以表面研磨, 完成特定的外型尺寸就是通称的石英芯片(quartz wafer 或 quartz blank ). 将这个石英芯片放置在真空还境中, 于表面镀上电极后,再以导电材料固定在金属或是陶瓷基座上, 并加以封装, 就成为一般所谓的石英晶体共振子( quartz crystal resonator ). 利用石英共振子在共振时的低阻抗特性及波的重迭特性, 用邻近的双电极, 可以做出石英晶体滤波器. 将石英振荡子加上不同的电子振荡线路, 可以做成不同特性的石英振荡器. 例如: 石英频率振荡器(CXO), 电压控制石英晶体振荡器(Voltage Controlled Crystal Oscillator, VCXO), 温度补偿石英晶体振荡器(Temperature Compensated Crystal Oscillator, TCXO), 恒温槽控制石英晶体振荡器(Oven Controlled Crystal Oscillator, OCXO)…等. 相对于体波谐振的是表面声波的谐振. 将石英晶体表面镀以叉状电极(inter-digital-transducer, IDT)方式所产生的表面振荡波, 可以制造出短波长(高频率)谐振的表面声波共振子(SAW Resonator)或表面声波滤波器(SAW Filter).

 

 

                         

2、石英晶体的压电特性

石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常状态下, 其电偶极是互相平衡的电中性. 在(图二左)的二氧化硅是以二维空间的简化图形. 当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予正电场及负电场时, 空间系统为了维持电位平衡, 两个氧原子会相互排斥, 在氧原子下方形成一个感应正电场区域, 同时在硅原子上方产生感应负电场区域. 相反的情况, 当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予负电场及正电场时, 两个氧原子会相互靠近, 氧原子下方产生感应负电场,硅原子上方产生感应正电场. (图二). 然而, 氧原子的水平位置变化时, 邻近的另一个氧原子会相对的产生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原来的空间位置. 因此, 电场的力量与原子之间的力量会相互牵动, 电场的改变与水平方向的形变是形成交互作用状态. 这个交互作用会形成一个在石英材料耗能最小的振动状态, 祇要由电场持续给与能量, 石英材料就会与电场之间维持一个共振的频率. 这个压电效应下氧原子的振幅与电场强度及电场对二氧化硅的向量角度有相对应的关系.在实际的应用上, 电场是由镀在石英芯片上的金属电极产生, 电场与二氧化硅的向量角度则是由石英晶棒的切割角度来决定.

(Fig. 2) Simplified one dimensional piezoelectricity of SiO2

3、石英的切割角度

依据不同的应用领域及工作温度需求, 因应了许多不同的石英切割角度种类. 例如AT-, BT-, CT-, DT-, NT, GT…..等不同的切割板片. 不同的切割方向的板片具有不同的弹性常数张量(elastic constant tensor), 不同的压电常数张量(piezoelectric constant tensor)及不同的介电常数张量(dielectric constant tensor). 这些张量在石英组件的设计及应用上展现了不同的振荡及温度特性. (图三)表现了在Z-plat石英结构上,几种不同方向的石英板片切割方式.

﹝Fig. 3﹞Orientation angle of a Z-plate quartz crystal.

4、石英晶体的振动模态

经由不同的石英切割角度及不同电极型状的电场效应, 石英芯片展现了各种不同的振动模态. 以经常产生的振动模态可以概分为扰曲模态(flexture mode), 伸缩模态(extension mode), 面剪切模态(face shear mode) 和 厚度剪切模态(thickness shear mode). 这几种振动模态以简单的方法在表一中可以看到. 在实际状况中, 石英芯片并不是一定祇有单一种振动模态, 而可能有多种模态同时存在在一个石英芯片的振荡中, 经由适当的设计, 可以压制其它不希望产生的振动模态(unwanted mode), 来达到主要振动模态的最佳化.

﹝Table 1﹞Vibration Mode and Cut Angle.

5、石英晶体的频率与温度特性

大部份的石英晶体产品是用于电子线路上的参考频率基准或频率控制组件, 所以, 频率与工作环境温度的特性是一个很重要的参数. 事实上, 良好的频率与温度(frequeny versus temperature)特性也是选用石英做为频率组件的主要因素之一. 经由适当的定义及设计, 石英晶体组件可以很容易的就满足到以百万分之一 (parts per million, ppm) 单位等级的频率误差范围. 若以离散电路方式将LCR零件组成高频振荡线路, 虽然也可以在小量生产规模达到所需要的参考频率信号误差在ppm或sub-ppm等级要求, 可是这种方式无法满足产业要达到的量产规模. 石英组件的频率对温度特性更是离散振荡线路无法简易达成的. 在(图四) 中提供了数种不同的石英晶体切割角度的频率对温度特性曲线.

﹝Fig.4﹞Frequency-temperature characteristics of various quartz cuts.

在各种不同种类的切割角度方式中, AT角度切割的石英芯片适用在数MHz到数佰MHz的频率范围,是石英芯片应用范围最广范及使用数量最多的一种切割应用方式. 在(图五)中, 从石英晶棒X-轴向的上视图, 可以看到对Z-轴向旋转约35度的AT 方向. 这在大量生产的技术上也是很好达成的一种作业方式.

( Fig.5 ) Orientation of AT plat

 (图六)是以AT切割角度变动在厚度振动模态的频率对温度特性的展开图. 图中以常用的室温摄式25度作为相对零点, AT切割的最大优点是频率对温度变化为一元三次方曲线. 这个特性, 从(图六)中可以看到, 在相当宽广的温度范围下, AT切割的温度曲线的第一阶及第二阶常数为零, 第三阶的常数便决定了频率对温度的变化值.

(Fig. 6)  AT - cut frequency-temperature characteristics.

6、石英晶体共振子的等效线路及参数

(图七)(a)(b)分别是DIP型式及SMD型式的石英振荡子的基本结构图. (图七)(c)是电子电路上所使用代表石英振荡子的电子符号. 当石英晶体共振子处在远离振荡频率区域时, 石英晶体共振子仅是一个电容性的组件, 当频率接近石英晶体的振荡频率时, 就接近是一个电感性的等效LCR振荡线路.

 

 

 

(Fig. 7) (a) Metal can type resonator

                  (b) Ceramic SMD type resonator

        (c) Symbol of crystal usnit

(图八) 就是将石英晶体共振子转换成振荡频率附近的Butterworth-Van Dyke (BVD)等效电路. 在这个图中,主要有四个主要参数 : 静态电容-Co, 动态电容-C1, 动态电感-L1及动态电阻-R1.   

 

 

﹝Fig.8﹞Effective Circuit of Crystal

七.共振频率( Resonance Frequency )

在技术文献及产品应用上, 石英晶体共振子的共振有三组不同定义及特性的共振频率.

  (1) 串联谐振频率及并联谐振频率 ( fs , fp )
    (series resonance frequency and parallel resonance frequency)
  (2) 谐振频率及反谐振频率 ( fr , fa )
    (resonance frequency and anti-resonance frequency)
  (3) 最大电导频率及最小电导频率 ( fm , fn )
    (maximum admittance frequency minimum admittance frequency).

  这三组频率的导纳(admittance), 可以从(图九)复数坐标清楚的看到


Fig.9﹞ Complex Admittance of Resonators 

串联偕振频率及并联偕振频率, fs and fp ,是分别由电导(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大时的频率.

      谐振频率及反谐振频率fr and fa , 分别是当电导等于零(纯电阻特性)的二个频率. 在这个时候, fr 的阻抗为 1 / Rr fa 的阻抗为 1/ Ra.

      在评估共振时的等效线路时, 串联谐振频率及并联谐振频率, fs and fp , 是最重要的二个频率参数. 对于串联谐振频率及并联谐振频率( fs and fp )二者的关系, 我们可以用下列公式来表达:

公式中的C1及 L1 分别是(图七)中的动态电容(motional capacitance)及动态电感(motional conductance); Co 是静态电容(shunt capacitance).

九.石英晶体发振器( CRYSTAL OSCILLATORS )

 为了满足应用面需求而言, 石英晶体振荡器内部的振荡线路有以基本波或三倍频不同方式. 若要达到数佰兆赫的输出频率时, 振荡线路后级可以采用锁相回路方式或倍频方式, 将较低频率的石英振荡频率提升. 对于输出端的输出准位及输出波也有各类不同需求,如 CMOS, LVPECL, LVDS…..等. 这些规格都要仔细的定义.

      在(图十二)提供了数种石英振荡器输出频率对温度变化的稳定性示义图

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