SDRAM容量计算

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#sdram

SDRAM容量 = 2^行 * 2^列 * Bank * 数据位宽

如下sdram


容量 = 2^12 * 2^8 * 4 * 16b = 2^26 = 64Mb = 8MB

深入了解DRAM和SDRAM：内存带宽的计算与封装形式的奥秘
AIMing_byte的博客
01-29 2246
动态随机存取存储器DRAM（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器。由于在现实中品体管会有漏电电流的现象，导致电客上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由也正是定时刷新的特性,被称为存储器。与SRAM相比,DRAM的优势在于结构简单：每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理、而在SRAM上一个比特通常需要六个品体管。
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09-15 478
芯片测试题 问题描述：有n（2≤n≤20）块芯片，有好有坏，已知好芯片比坏芯片多。 每个芯片都能用来测试其他芯片。用好芯片测试其他芯片时，能正确给出被测试芯片是好还是坏。而用坏芯片测试其他芯片时，会随机给出好或是坏的测试结果（即此结果与被测试芯片实际的好坏无关）。 给出所有芯片的测试结果，问哪些芯片是好芯片。 输入格式：输入数据第一行为一个整数n，表示芯片个数。 第二行到第n+1行为n*n的一张表，每行n个数据。表中的每个数据为0或1，在这n行中的第i行第j列（1≤i, j≤n）的数据表示用第i块芯片测试第
NOR_SRAM_SDRAM_NAND结构和容量计算
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NOR_SRAM_SDRAM_NAND结构和容量计算方法描述
SDRAM容量的计算方法
drinkingcode
10-10 9479
当我在看有关SDRAM的芯片手册的时候，我一直在想这样一个问题：SDRAM的容量它究竟是如何计算的呢？经过查找网上的各种资料，最后在这里给大伙分享一下我的总结！ 就以我的开发板的SDRAM的芯片手册的型号：h57v2562gtr60c为例。通过查看我的h57v2562gtr60c的datasheet，我们知道： 行地址选择线有13根（RA0~RA12），列地址选择线有9根(CA0~CA
DDR参数计算
最新发布
weixin_54447126的博客
07-08 286
以256Mb*16颗粒为例，则page size为：2^10 * 16（bit）/ 8 = 2048 B = 2 KB。其中10为column address位宽，即列寻址位宽；256M（地址空间）*16（位宽）= 4096Mb = 512MB。其中16为16bit，即存储数据位宽，与DQ位宽相等。DDR结构如下，每个颗粒由不同bank组成，每个bank里又分为不同的行列，每个行列小方块中存储一个数据。= 2^COLBITS * ORG/8，其中COLBITS为列地址位数，ORG为DQ的位数。
SDRAM内存容量的计算方法
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SDRAM（Static Random Access Memory）内存容量的计算方法通常基于其芯片的尺寸、存储单元的数量以及芯片排列方式。SDRAM的容量通常以位（bits）为单位来衡量，然后转换为字节（B）或千字节（KB）、兆字节（MB）、吉...
sdram的内存容量的计算方法
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SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法
07-25
### SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法 #### 一、逻辑Bank与芯片位宽 在探讨SDRAM的内部架构之前，我们首先需要理解SDRAM为何需要采用逻辑Bank（Logical Bank，简称L-Bank）这样的设计。SDRAM，即同步动态随机...
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关于SDRAM存储器
H19981118的博客
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SDRAM各命令时序图分析
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简介、优缺点、历史 1、译为“同步动态随机存取内存”，区别于异步DRAM。 2、同步(Synchronous)：与通常的异步 DRAM 不同， SDRAM 存在一个同步接口，其工作时钟的时钟频率与对应控制器(CPU/FPGA)的时钟频率相同，并且 SDRAM 内部的命令发送与数据传输均以此时钟为基准，实现指令或数据的同步操作； 动态(Dynamic)： SDRAM 需要不断的刷新来保证存储阵列内数据不丢失； 随机(Random)：数据在 SDRAM 中并不是按照线性依次存...
SDRAM（1）：基本介绍
weixin_47973334的博客
09-01 1530
本次设计采用的 SDRAM 芯片为 Winbond W9812G6KH - 6，查询数据手册发现其容量为：2M × 4 banks × 16 bits = 128 Mbit，其中 2M 为“行数×列数”，4为 L-Bank 数量，16 为单个存储单元的容量，即数据位宽。SDRAM 的内部是一个存储阵列，就像一张表格，我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是 SDRAM 寻址的基本原理。多用于掉电后仍需存储的数据。
SDRAM基础知识
weixin_44733737的博客
11-24 2283
SDRAM英文全称“Synchronous Dynamic Random Access Memory”，译为“同步动态随机存取内存”或“同步动态随机存储器”，是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)家族的一份子。同步、动态、随机是其性能特点的外在说明，也是其区别其他存储器的特色标签。这三个概念性的标签，我们要好好理解掌握。
SDRAM工作原理及时序分析
SYNWIT的博客
09-28 1147
对于DQM（Data I/O Mask）信号，每个DQM控制屏蔽8bit数据，对于这款SDRAM，它是16bit的，UDQM可屏蔽高8位，LDQM可屏蔽低8位。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。激活命令，该命令必须在读写操作之前被发送，用于设置所需要的BANK和行地址 (同时设置) ，BANK地址由BS0(BA0)，BS1(BA1)决定，行地址由A0~12决定。2、开始时钟并使CKE置高。
详解SDRAM基本原理以及FPGA实现读写控制
主要分享学习中的知识和遇到的问题
05-01 9772
SDRAM是“Synchronous Dynamic Random Access Memory”的缩写，也叫同步动态随机存取器。因为其单位存储量大、高数据带宽、读写速度快、价格相对便宜等优点被广泛使用在各行各业。同时，其升级版的DDR作为电脑内存也被广泛使用。同步：是指SDRAM工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以此时钟为基准，同步时钟是由控制器（CPU/FPGA）发出；动态：是指SDRAM需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机：是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SDRAM理论篇之基础知识及操作时序讲解(转自https://blog.youkuaiyun.com/eydwyz/article/details/52945634)
wmzjzwlzs的专栏
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这个星期在进行SDRAM的学习，当然关于SDRAM的理论知识，在上周讲了一部分，而这周主要的还是写代码及调试。如果有朋友在这之前没有接触过内存的话，可以看下业内写的比较好的扫盲文章《高手进阶 终极内存技术指南》（点击进入下载），虽然Kevin在这之前也曾经看过这篇文章，但是看完之后对于写代码还是毫无头绪，所以Kevin在这里建议大家，如果是完全不知道内存是神马的朋友可以看下这篇文章，对于一些有基础...
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