cp 参数说明

最新推荐文章于 2024-09-28 12:22:27 发布
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 1、-a参数

如上可以看到cp 的时候使用 -a 参数，目标文件与源文件的属性完全相同。

而不使用-a ,目标文件的时间为复制时的时间。

2、不使用参数

cp不使用参数时，当目标文件名与目标目录中的文件重名时，会自动覆盖重名的文件。

为了避免覆盖掉重名的文件，可以添加-i参数，如果重名会有提示。

3、复制所有内容

cp  * ./

4、-f：强行复制文件或目录，不论目标文件或目录是否已存在；

cp命令详解
shengyin714959的博客
03-25 1221
cp命令来自于英文单词copy的缩写，用于将一个或多个文件或目录复制到指定位置，亦常用于文件的备份工作。-r参数用于递归操作，复制目录时若忘记加则会直接报错，而-f参数则用于当目标文件已存在时会直接覆盖不再询问，这两个参数尤为常用。语法格式：cp [参数] 源文件 目标文件。
Linux cp命令参数和选项
2301_78660211的博客
05-20 1080
cp命令是Linux操作系统中一个非常重要的命令，它可以帮助我们复制文件和目录。在这篇博客中，我们介绍了cp命令的基本用法、参数、选项，以及cp命令的实际应用。希望这篇博客能帮助读者更好地理解和使用cp命令。重试删除固定复制。
CP相机参数
12-16
CP相机参数
cp 参数
weixin_30248399的博客
07-27 399
-r 可以复制目录，递归持续复制，-d：若来源文件为链接文件的属性link file（符号链接），则复制的为 链接文件属性，而不是链接文件指向的源文件，就是不 解引用-s：复制为符号链接（symbolic link），即快捷方式-l：进行硬链接（hard link）的链接档，而不是复制档案本身-p：连同文件的属性一起复制过来[root@www tmp]# ls -l bashrc -rw...
cp命令参数 ---总结
hunanchenxingyu的专栏
05-14 2759
cp 命令用于复制文件或目录。注意，默认情况下，该命令只复制文件内容，文件属性不会被复制。 如果您复制文件时需要保持其属性值也不变的话，请使用-p选项，详情见下。 介绍几个比较实用的参数选项： 常用选项： -a, –archive 与同时指定 -dpR 这三个选项效果一样，用于复制整个目录，包括目录中的子目录等都递归的复制，而且还要保持文件的访问模式，所有者，时间戳等属性与原
OP07CP的技术参数
12-12
以下是对这些参数的详细解释： 1. **通道数**：OP07CP具有单个输入通道，这使得它适用于单端信号处理应用。 2. **关断功能**：No表示这款运放没有内置的关断功能，这意味着它在接通电源后将持续工作，无法通过内部...
TL081CP的技术参数
12-12
产品型号:TL081CP通道数:1关断功能:No工作电压Max. (V):36工作电压Min. (V):7每通道IQ(典型值)(mA):2.800带宽GBW(典型值)(MHz):3转换速率(典型值)(V/us):13输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):15失调漂移(典型值)(uV/℃):...
MC68HC908QY4CP的技术参数
12-13
产品型号:MC68HC908QY4CP工作电压(V):3.0, 5.0Flash(字节):4KRAM(字节):128EEPROM(字节):－定时器:2×16bit IC,OC,或PWMI/O:14串行通讯:－A/D:4×8bitPWM:2×16bitCOP:Y最大总线频率(MHz):8附加资料:振荡频率(内部...
精选资源
SIMATIC S7-300 CP341点到点通讯_安装和参数分配说明_模块使用手册.rar
08-18
参数分配是使用CP341的关键步骤，它涉及到定义通信参数，如波特率、奇偶校验、数据位数以及停止位等。这些参数需要根据与CP341通信的设备或系统的规格进行设置。在S7-300的编程软件，如TIA Portal或Step 7中，可以...
cp命令常用参数详解
MissOfSpring的博客
03-25 1万+
linux中cp命令常用参数详解
cp参数详解
weixin_30260399的博客
06-24 435
-a 相当于pdr的意思 -d 若原文件为连接文件，则复制链接文件属性，而非文件本身 -f 强制复制，有重复时，不询问用户，而直接强制复制 -i 目标文件存在的话，先询问 -p 与文件的属性一起复制 -r 递归持续复制 -s 复制成符号链接文件 -u 若目标文件比原文件旧，更新目标文件 转载于:https://www.cnblogs.com/seasonsstory/p/315...
cp 命令的常用参数解释
l287924061xd的专栏
11-03 1万+
我们在日常工作中经常用到 cp 命令，但一般只用到 -r 或者 -f 参数，它还有一些其他有用参数： -a 和-pPR选项一样。保留文件的结构和属性，但不保留目录结构 -f 如果目标文件不是一个目录，则覆盖已经存在的目标文件而不给出提示 -H -i 与-f选项相反，在覆盖目标文件之前给出提示，要求用户确认是否覆盖，回答"y"时目标文件将被覆盖（(使前面的-n失效)） -L 跟随符号链接 -n 不覆盖(使前面的-i失效) -P 不跟随符号链接,也就是只拷贝符号链接,不拷贝符号链接指向的实际文件 -p 除复制
linux的cp的参数,Linux cp命令参数简介
weixin_30289299的博客
05-12 2230
cp (复制档案或目录)[root@linux ~]# cp [-adfilprsu] 来源档(source) 目的檔(destination)[root@linux ~]# cp [options] source1 source2 source3 …. directory参数：-a ：相当于 -pdr 的意思；-d ：若来源文件为连结文件的属性(link file)，则复制连结文件属性而非档案本...
linux cp的参数,cp命令参数
weixin_39719732的博客
05-13 593
cp 命令用于复制文件或目录。注意，默认情况下，该命令只复制文件内容，文件属性不会被复制。如果您复制文件时需要保持其属性值也不变的话，请使用-p选项，详情见下。介绍几个比较实用的参数选项：常用选项：-a, –archive与同时指定 -dpR 这三个选项效果一样，用于复制整个目录，包括目录中的子目录等都递归的复制，而且还要保持文件的访问模式，所有者，时间戳等属性与原文件一样。一般这个选项最实用了^...
Linux cp命令的使用方法与参数含义
HeatDeath的博客
08-13 7857
1、Linux cp命令 拷贝文件 https://blog.youkuaiyun.com/sqbzo/article/details/9000027 2、linux复制指定目录下的全部文件到另一个目录中，linux cp 文件夹 http://www.cnblogs.com/zdz8207/p/linux-cp-dir.html...
【Linux】cp 参数大详解！配图列举每一种情况
m0_62079974的博客
09-28 438
5、目录B里的所有文件，复制到目录A（B里只有文件，没有目录，本质上依旧是多个文件同时复制，因此不需要 -r）需注意，若不存在命名冲突，则新建文件成功，否则会覆盖原有文件内容，并且不会有任何覆盖提醒。6、目录A里的所有文件，复制到目录B（A里不仅有文件，还有目录，所以也需要 -r）4、目录B，复制到目录A里，改名为 dirH (2、文件C，复制到目录A，改名为 fC_cp（涉及目录的复制，则需要递归，即加上 -r 选项。3、文件C、文件D，一起复制到目录B，不改名。1、文件C，复制到目录A，不改名。
linux命令cp命令行参数,linux命令之cp命令参数及用法详解
weixin_39931362的博客
04-28 940
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半导体SGT CP参数分析
最新发布
08-09
### SGT MOSFET的CP参数测试与分析方法 CP参数（Contact Potential，接触电势）是衡量半导体器件金属-半导体接触质量的重要参数之一。在SGT MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET）器件中，CP参数的测试与分析对于评估器件的性能和可靠性至关重要。SGT MOSFET因其独特的屏蔽电极结构，在CP参数的分析中需要特别关注其对接触特性的潜在影响。 在CP参数测试中，通常采用Kelvin探针力显微镜（KPFM）或电容-电压（C-V）测量技术来获取接触电势的信息。KPFM是一种非接触式的表面电势测量技术，适用于纳米尺度的局部电势分析。通过KPFM可以直观地观察到SGT MOSFET中金属-半导体接触区域的电势分布，从而评估接触质量[^1]。 另一方面，C-V测量技术则是通过在器件上施加不同的偏置电压，并测量其电容变化来推导出接触电势。该方法适用于宏观尺度的器件分析，能够提供关于接触界面状态密度和固定电荷密度的信息。在SGT MOSFET中，由于其复杂的三维结构，C-V测量需要考虑屏蔽电极对电场分布的影响，以确保测试结果的准确性[^1]。 在分析SGT MOSFET的CP参数时，还需结合器件的工艺参数，如沟槽深度、多晶硅电极的掺杂浓度等。这些参数直接影响到金属-半导体接触的质量，进而影响器件的整体性能。例如，SGT工艺中较深的沟槽结构和额外的屏蔽电极设计，不仅有助于降低米勒电容和栅电荷，还可能对接触电势产生积极影响，提高器件的开关速度和降低损耗。 此外，CP参数的测试与分析还可以揭示SGT MOSFET在高温或高电流密度条件下的稳定性。这对于评估器件在实际应用中的可靠性和寿命具有重要意义。通过对CP参数的变化趋势进行分析，可以进一步优化SGT MOSFET的设计和制造工艺，以满足高性能功率器件的需求[^1]。 ### SGT MOSFET的CP参数测试实例 为了具体说明SGT MOSFET的CP参数测试过程，以下是一个简单的实验步骤示例： ```python import numpy as np import matplotlib.pyplot as plt # 模拟C-V测量数据 voltage = np.linspace(-2, 2, 100) capacitance = 1 / (np.sqrt((voltage + 0.5)**2 + 0.1)) # 模拟电容随电压变化的关系 # 绘制C-V曲线 plt.plot(voltage, capacitance) plt.xlabel('Voltage (V)') plt.ylabel('Capacitance (F)') plt.title('C-V Measurement of SGT MOSFET') plt.grid(True) plt.show() ``` 通过上述代码，可以模拟SGT MOSFET的C-V测量曲线，并进一步分析接触电势的变化趋势。 ### SGT MOSFET的CP参数优化策略 在SGT MOSFET的设计和制造过程中，可以通过以下几种方式来优化CP参数： 1. **优化金属-半导体接触材料**：选择合适的金属材料和沉积工艺，以降低接触电阻并提高接触稳定性。 2. **调整沟槽深度和形状**：通过精确控制沟槽的深度和形状，可以改善屏蔽电极与源电极之间的连接质量，从而优化接触电势。 3. **优化多晶硅电极的掺杂浓度**：适当调整多晶硅电极的掺杂浓度，可以改善其与金属层的接触特性，进一步降低接触电阻。 4. **引入钝化层**：在金属-半导体接触区域引入钝化层，可以减少界面态密度，提高接触电势的稳定性。 综上所述，SGT MOSFET的CP参数测试与分析是评估其性能和可靠性的重要手段。通过合理的测试方法和优化策略，可以有效提升SGT MOSFET的整体性能，满足高功率、小型化功率器件的应用需求。
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