leetcode 73: Set Matrix Zeroes

本文介绍了一种方法,通过遍历矩阵的第一行和第一列来标记需要置零的元素,从而实现矩阵中所有零元素的快速定位与置零操作,提升算法效率。

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class Solution {
public:
    void setZeroes(vector<vector<int>>& matrix) {
        int m=matrix.size();
        int n=matrix[0].size();
        bool row1=0,col1=0;
        for(int i=0;i<n;i++)
            if(matrix[0][i]==0)
            {
                row1=1;
                break;
            }
        for(int i=0;i<m;i++)
            if(matrix[i][0]==0)
            {
                col1=1;
                break;
            }
        for(int i=1;i<m;i++)
            for(int j=1;j<n;j++)
            {
                if(matrix[i][j]==0)
                {
                    matrix[0][j]=0;
                    matrix[i][0]=0;
                }
            }
        for(int i=1;i<m;i++)
            for(int j=1;j<n;j++)
                if(matrix[i][j]&&(!matrix[i][0]||!matrix[0][j]))
                    matrix[i][j]=0;
        if(row1)
            for(int i=0;i<n;i++)
                matrix[0][i]=0;
        if(col1)
            for(int i=0;i<m;i++)
                matrix[i][0]=0;
    }
};


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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