VCC,VDD,VEE,VSS,VPP 表示的意义

本文解析了VCC、VDD、VEE、VSS、VPP等电源引脚的不同含义及应用场景,涵盖了数字电路、场效应管等器件的工作原理,并对比了不同版本的解释。

VCC,VDD,VEE,VSS,VPP 表示的意义

版本一:

简单说来,可以这样理解:

一、解释

VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;
VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;
VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压;
VEE:负电压供电;
VPP:编程/擦除电压。

二、说明

1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。

版本二:

VPP:编程/擦除电压。 
VEE:负电压供电;场效应管的源极(S) 
VSS:地或电源负极 
VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier) 
VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管) 

版本三:

通常VCC和VDD为电源正,而VEE和VSS为电源负或者地。
VSS表示连接到场效应管的源极(S)的电源。   
VDD表示连接到场效应管的漏极(D)的电源。 
VEE表示连接到三极管发射极(E)的电源。 
VCC表示连接到三极管集电极(C)的电源。 
它们是这样得名的: 
VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,详细接电源的极性需视器件材料而定。 VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。 同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。 例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。 

版本四:

Vcc和Vee出现在双极型晶体管电路中,和集电极(collector)发射极(emitter)有关,所以一正一负。
Vdd,Vss在MOS电路中出现,和漏级(Drain),源极(Source)有关,也是一正一负。
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正(例如:二极管)。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。
单片机中Vpp多数定义为编程电压,有的资料上把Vddf为Flash供电的外部电压

 

总结:这四个版本从两个方面讲了VCC、VDD、VEE、VSS、VPP之间的区别,前两个版本一个方面,后两个版本一个方面,互相补充。

<think>嗯,用户想了解VCCVDDVSS这三个电子学中常见符号的具体含义。从用户给出的站内引用来看,这些符号在电路设计中有明确但易混淆的定义。 用户可能正在学习电子工程基础,或是维修电路时遇到了这些标识。ta特意强调"不是用户真正的需求",说明之前可能遇到过解释不清的情况,需要更权威的解析。考虑到电子术语常有歧义,我需要区分场景说明。 核心矛盾在于:这些符号既表示电源类型(模拟/数字),又表示器件引脚功能(场效应管),还涉及电压等级转换。准备分三层解释:基础语义(字母本意)、典型电路场景(数字/模拟电路)、特殊器件场景(场效应管)。 特别要注意VDD的双重性:在芯片供电中它常指工作电压(如3.3V),但在MOS管中却是漏极引脚。引用[2]提到P沟道MOS管接法相反的情形,这点容易出错,需要重点标注。 用户引用的资料存在术语混用(如将VCC解释为Virtual Circuit Connection属于明显错误),应当修正并给出更通用的半导体行业约定。对于ARM单片机的示例,可以补充说明现代芯片更多使用单一供电趋势。 最后考虑延伸问题:当IC同时存在VCCVDD引脚时,意味着芯片内置电压转换器。这个设计特点值得展开,但用户当前问题聚焦基础定义,留到相关问题环节更合适。 </think>以下是关于VCCVDDVSS含义的专业解析,结合电路设计标准和半导体器件特性说明: --- ### **一、核心定义** 1. **VCC** - **全称**:Voltage to Common Collector(双极型晶体管集电极电压) - **含义**:电路的**输入供电电压**,通常指从外部电源接入的电压(模拟或数字)。 - **示例**:传统TTL电路中使用$V_{CC}=+5\text{V}$作为总电源[^1]。 2. **VDD** - **全称**:Voltage to Drain(场效应管漏极电压) - **含义**:芯片**内部工作电压**或数字逻辑电压,一般通过稳压电路从VCC转换而来。 - **关系**:$V_{DD} \leq V_{CC}$(如ARM单片机$V_{CC}=5\text{V}$, $V_{DD}=3.3\text{V}$)[^1]。 3. **VSS** - **全称**:Voltage to Source(场效应管源极电压) - **含义**:电路的**参考地电位**(GND),电流回流的公共端。 - **关键点**:在多层PCB中常作为大面积铺地层[^2]。 --- ### **二、场景化区分** | **场景** | VCC | VDD | VSS | |------------------|--------------------|--------------------|--------------| | 数字电路(如MCU)| 外部供电电压(5V) | 内核工作电压(3.3V)| 数字地(0V) | | 模拟电路(如运放)| 模拟正电源(+12V) | — | 模拟地 | | MOS管引脚 | — | 漏极(D) | 源极(S) | > 📌 **特殊说明**: > - 若芯片**同时存在VCC/VDD引脚**(如某些ADC),表明其内置电压转换模块[^1]。 > - **CMOS工艺中**:$V_{DD}$对应PMOS源极,$V_{SS}$对应NMOS源极,构成互补对称结构[^2]。 --- ### **三、易混淆概念澄清** 1. **极性误区** - 在N沟道MOSFET中:$V_{DD}>V_{SS}$(正电压供电) - 在P沟道MOSFET中:$V_{DD}<V_{SS}$(负电压供电)[^2] 2. **与VEE/VPP的区别** - $V_{EE}$:双极型晶体管的发射极电压(常为负压) - $V_{PP}$:存储器编程/擦除的高压(如+12V) --- ### **四、工程实践要点** - **PCB布局**:数字$V_{DD}$与模拟$V_{CC}$需**独立铺铜**,通过磁珠隔离,避免耦合噪声。 - **电平兼容**:当$V_{CC}=5\text{V}$器件驱动$V_{DD}=3.3\text{V}$芯片时,需加电平转换电路防止过压。 - **去耦电容**:在$V_{DD}$-\(V_{SS}\)间放置100nF陶瓷电容(每芯片)滤除高频干扰。 ---
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