【笔记】NandFlash介绍

本文详细介绍了NandFlash芯片的基本结构,包括页、块及额外空间的概念,并解释了地址访问方式。此外,还阐述了NandFlash的基本操作,如读取、写入和擦除,以及高级功能如ECC数据校验和坏块管理。

目录

 

NandFlash结构

地址访问

如何使用NandFlash芯片?


NandFlash结构

  • 页(page)

        读和写的最小单位,不同厂家的芯片,大小有不同,常见的有256、512、1024、2048字节。

  • 块(block)

        擦除的最小单位,不同厂家大小也有所不同。

  • 额外空间()

         这块空间是在每一页的后面多出来的存储空间,不算入总的存储空间,大小一般数十个字节,视芯片而定。

地址访问

NandFlash的地址访问大致由列地址和行地址组成,如下图。

 

存储空间的访问,由行地址和列地址组成。
行地址:块地址+页地址
列地址:一页中的那个字节

NandFlash芯片除了位宽、命令、各个厂商有所差异外,这个地址的访问也是差异的,以下是两个不同厂商的NandFlash的地址访问描述。

基本上都是4周期和5周期两种,这个主要由存储体大小决定。

5周期

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