随机只读存储器(DRAM与SRAM的存储原理)

随机只读存储器(简)

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一、静态RAM(SRAM)

存储01的方式：采用触发器

SRAM基本电路图

T1到T4是一个由MOS管所组成的触发器基本电路，T5，T6则是行地址选择信号控制开关。这里由T1到T6这6个MOS管共同构成一个基本单元电路。
T7、T8受列地址选择控制。分别与位线A和位线A`相连。他们不包含在基本单元电路内，而是由芯片内同一列的各个基本单元电路所共有的。

T1~T4内部电路图

上面T3与T4和下面的T1与T2是倒向器，不过上面那两个栅极接好了电压相当于开关打开，来改变下面的高低电平

内部触发器存储1

举个例子，假如T2导通，A因为连接地，所以为低电平0，A和T1的栅极相连，因此T1截止，A’为高电平1，A’的高电平有会保证T2导通，这就相当于稳定了状态1，即存入了1。

读写操作

读操作：
假设触发器已存有"1"信号，即A点为高电平。当需读出时，只要使行、列地址选择信号有效，则使T5、T6、T7、T8均导通，A点高电平通过T6后，再由位线A通过T8作为读出放大器输入信号，在读选择有效时，将"1"信号读出。
写操作：
写入时，不论触发器原状态如何，只要将写入代码送至Din端，在写选择有效时，经两个写放大器，使两端输出为相反电平。当行、列地址选择有效时，使T5,T6,T7,T8导通，并将A与A’点置成完全相反的电平。这样，就把欲写入的信息写入到该基本单元电路中。如欲写入"1"，即Din=1，经两个放大器使位线A为高电平，位线A’为低电平，结果使A点为高，A’点为低，即写入了"1"信息。

二、动态RAM(DRAM)

存储01方式：利用电容

电容当中如果保存了电荷，则认为他所保存的是1，如果没有电荷则保存的就是0

DRAM基本单元电路图

注：
读出与原存信息相反
写入与输入信息相同

读写操作

下面我们来看一下DRAM是如何进行
读操作的：
假如Cg带高电平(即里面存的是1)，读出时，先对预充电管T4置一预充电信号(在存储矩阵中，每一列共用一个T4管)，使读数据线达高电平Vdd。然后由于读选择线打开T2导通，又因为Cg存的为高电平所以T1导通，则因T1、T2导通接地，使读数据线降为零电平，读出"0"信号。从此可以看出读出信号是与原存的信息相反的。
写操作的话：
我们假设写入信号为高电平(即写入1)，我们将写入信号加到写数据线上，然后由写选择线打卡T3，这样，Cg便能随输入信号进行充电（写入"1"，因为电容带电即为1嘛）。

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总结

本文仅仅简单介绍了随机存储器的读写操作，初学者能力有限，知识点不全面，只是简单记录自己每日所学。如果能帮助到你，我会感到十分的开心。