IGBT和碳化硅SiC模块，全球市场总体规模，前二十大厂商排名及市场份额

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于 2023-09-07 17:05:29 首次发布

全球IGBT模块市场预计2029年将达到145亿美元，年复合增长率为13.6%，而碳化硅SiC模块市场预计2029年将达92亿美元，年复合增长率高达32.6%。电动汽车领域是主要应用市场，受益于新能源汽车的快速发展，尤其是中国和欧洲市场的推动。前五大厂商在各自市场占据主导地位。

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IGBT模块与碳化硅SiC模块

全球市场研究报告2023-2029

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IGBT是什么东西中国IGBT前五大品牌排名

yingtexin的博客

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IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文简称，是一种半导体开关器件。它通常具有三个端子：集电极、发射极和栅极。集电极和发射极都带有金属层，而栅极上的金属材料包含二氧化硅层。IGBT实际上是一个由四层半导体构成的器件，其中包括PNP和NPN晶体管的排列。IGBT模块由IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路等组成。IGBT模块内部结构主要由散热基板、DBC基板、IGBT芯片、二极管芯片和键合线组成。

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SiArch的博客

03-06

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随着技术的不断进步和成本的降低，SiC器件的应用范围将进一步扩大，为新能源汽车的发展提供更强有力的支持。：SiC MOSFET的高频特性使其能够在更小的体积内实现更高的功率输出，功率密度可提升约3倍。SiC衬底的生产需要更高的温度（2200°C）和更长的时间，且最终可用的晶锭长度较短，导致成本居高不下。SiC功率器件（如SiC MOSFET）凭借其高开关频率、低导通损耗和高耐压特性，正在逐渐取代传统IGBT，成为新能源汽车中的重要技术。：SiC器件的应用显著提升了OBC的充电效率，支持更高的充电功率。

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而光伏逆变器中碳化硅器件的渗透率虽不足5%，但华为、阳光电源等头部企业已启动全线替代计划，预计2026年市场规模将突破30亿元。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其宽禁带（3.26eV）、高临界击穿场强（3MV/cm）、高热导率（4.9W/cm·K）等特性，正在重塑全球能源转换与电子器件格局。成本革命：8英寸晶圆可切割出1.8-2倍数量的器件芯片，边缘浪费率从40%降至25%，单片成本降低35%；当前，6英寸碳化硅衬底仍是主流（市占率超70%），但8英寸衬底的产业化进程正在加速。

国内碳化硅产业链企业大盘点

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前不久，英飞凌宣布以1.39亿美元收购初创企业Siltectra，获得后者创新技术ColdSpilt以用于碳化硅晶圆的切割上，进一步加码碳化硅市场，X—Fab、日本罗姆等企业早些时候也相继宣布将扩大碳化硅产能，碳化硅产业海外重要玩家已开始备战。那么国内SiC市场又是何种景象？事实上，今年以来关于碳化硅相关消息已越来越多地出现。近期山东天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工，项目总投资30亿元，一期主...

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吴建明wujianming_110117

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zhonghaoxince的博客

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