一、实验目的
(1)了解双端口静态随机存储器IDT7132的工作特性及使用方法。
(2)了解半导体存储器怎样存储和读出数据。
二、根据数据通路原理图,画出双端口静态随机存储器实验电路原理图
三、实验内容和结果
1、向存储器地址00H,写数01H,并读出进行检查
(1)将01H数据写入存储器的00H单元
(2)读出存储器的00H单元的数据
(3)AR2地址寄存器置数
(4)读出存储器的数据,写入IR
依此方法,在存储器10H单元写入数据11H,20H单元写入22H,30H单元写入33H,40H单元写入44H,共存入5个数据。通过双端口存储器右端口(指令端口),依次把存储器第00H、10H、20H、30H、40H单元中的内容置入指令寄存器IR,观察结果是否与(2)相同,并记录数据。
2、向存储器地址10H,写数11H,并读出进行检查
(1)将11H数据写入存储器的10H单元
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 10H,按一次QD按钮,将10H写入AR1,AR1输出地址数据指示灯应显示10H。
再令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 0,置SW7—SW0 = 11H,按一次QD按钮,则将11H数据写入存储器的10H单元。
(2)读出存储器的10H单元的数据
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 10H,按一次QD按钮,将10H写入AR1,AR1输出的地址数据指示灯应显示10H。
令K5(SW_BUS#) = 1,然后令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 1,按一次QD按钮,则读出存储器的10H单元的数据,读出的数据显示在DBUS数据指示灯上,应为11H。
(3)AR2地址寄存器置数
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 0,K4(LDAR2)= 1,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 10H,按一次QD按钮,将10H写入AR2,绿色的地址指示灯应显示10H。
(4)读出存储器的数据,写入IR
令K4(LDAR2)= 0,K2(CER)= 1,K6(LDIR) = 1,按一次QD按钮,则从右端口读出存储器的10H单元的数据,读出的数据写入指令寄存器IR,显示在IR数据指示灯上,应为11H。
3、向存储器地址20H,写数22H,并读出进行检查
(1)将22H数据写入存储器的20H单元
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 20H,按一次QD按钮,将20H写入AR1,AR1输出地址数据指示灯应显示20H。
再令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 0,置SW7—SW0 = 22H,按一次QD按钮,则将22H数据写入存储器的20H单元。
(2)读出存储器的20H单元的数据
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 20H,按一次QD按钮,将20H写入AR1,AR1输出的地址数据指示灯应显示20H。
令K5(SW_BUS#) = 1,然后令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 1,按一次QD按钮,则读出存储器的20H单元的数据,读出的数据显示在DBUS数据指示灯上,应为22H。
(3)AR2地址寄存器置数
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 0,K4(LDAR2)= 1,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 20H,按一次QD按钮,将20H写入AR2,绿色的地址指示灯应显示20H。
(4)读出存储器的数据,写入IR
令K4(LDAR2)= 0,K2(CER)= 1,K6(LDIR) = 1,按一次QD按钮,则从右端口读出存储器的20H单元的数据,读出的数据写入指令寄存器IR,显示在IR数据指示灯上,应为22H。
4、向存储器地址30H,写数33H,并读出进行检查
(1)将33H数据写入存储器的30H单元
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 30H,按一次QD按钮,将30H写入AR1,AR1输出地址数据指示灯应显示30H。
再令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 0,置SW7—SW0 = 33H,按一次QD按钮,则将33H数据写入存储器的30H单元。
(2)读出存储器的30H单元的数据
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 30H,按一次QD按钮,将30H写入AR1,AR1输出的地址数据指示灯应显示30H。
令K5(SW_BUS#) = 1,然后令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 1,按一次QD按钮,则读出存储器的30H单元的数据,读出的数据显示在DBUS数据指示灯上,应为33H。
(3)AR2地址寄存器置数
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 0,K4(LDAR2)= 1,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 30H,按一次QD按钮,将30H写入AR2,绿色的地址指示灯应显示30H。
(4)读出存储器的数据,写入IR
令K4(LDAR2)= 0,K2(CER)= 1,K6(LDIR) = 1,按一次QD按钮,则从右端口读出存储器的30H单元的数据,读出的数据写入指令寄存器IR,显示在IR数据指示灯上,应为33H。
5、向存储器地址40H,写数44H,并读出进行检查
(1)将44H数据写入存储器的40H单元
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 40H,按一次QD按钮,将40H写入AR1,AR1输出地址数据指示灯应显示40H。
再令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 0,置SW7—SW0 = 44H,按一次QD按钮,则将44H数据写入存储器的40H单元。
(2)读出存储器的40H单元的数据
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 1,K4(LDAR2)= 0,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 40H,按一次QD按钮,将40H写入AR1,AR1输出的地址数据指示灯应显示40H。
令K5(SW_BUS#) = 1,然后令K3(LDAR1)= 0,K0(CEL#)= 0,K1(LRW)= 1,按一次QD按钮,则读出存储器的40H单元的数据,读出的数据显示在DBUS数据指示灯上,应为44H。
(3)AR2地址寄存器置数
令K0(CEL#)= 1,K1(LRW) = 1,K2(CER)= 0,K3(LDAR1) = 0,K4(LDAR2)= 1,K5(SW_BUS#) = 0,K6(LDIR)= 0。置SW7—SW0 = 40H,按一次QD按钮,将40H写入AR2,绿色的地址指示灯应显示40H。
(4)读出存储器的数据,写入IR
令K4(LDAR2)= 0,K2(CER)= 1,K6(LDIR) = 1,按一次QD按钮,则从右端口读出存储器的40H单元的数据,读出的数据写入指令寄存器IR,显示在IR数据指示灯上,应为44H。
四、 画出写入IR过程流程图