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MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数：有人可能会这样计算：开通电流Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA关断电流Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。于是乎得出这样的结论，驱动电流只需 300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这

MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管4C020为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。EAS表示单脉冲雪崩

开关电源中开关管与二极管EMI抑制方法分析1、引言电磁干扰(EMI)就是电磁兼容不足,是破坏性电磁能从一个电子设备通过传导或辐射到另一个电子设备的过程。近年来，开关电源以其频率高、效率高、体积小、输出稳定等优点而迅速发展起来。开关电源已逐步取代了线性稳压电源，广泛应用于计算机、通信、自控系统、家用电器等领域。但是由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt和高dv/dt，使开关电源存在非常突出的缺点——容易产生比较强的电磁干扰(EMI)信号。EMI信号不但具有很宽的频率范围，还具有一定的幅度，经传导和辐射

Nmos管做低端驱动电路工作原理说明：对于Nmos管，G极电位比S极电位高于导通域值电压便会导通对于Pmos管则相反，G极电位比S极电位低于导通域值电压才会导通所以Nmos管适合做低端驱动，S极接地，以使S极的电压固定，Pmos管适合做高端驱动，S极接电源VCC,也是使S极的电压固定当MCU IO输出高电平时，Q1三极管B极电位高于E极电位，发射极正偏，Q1三极管导通，从而将Q2三极管的B极电位拉低，Q2三极管发射极也正偏，三极管导通，12*10/11≈10.9V，再减去三极管的导通压降0.7V,

LED发光二极管的主要参数与结构介绍我们知道，LED芯片的主要功能是：可以直接把电转化为光，它可以说是LED的心脏。本文简单介绍了LED芯片的基础知识即：LED芯片的分类、结构、特点以及重要参数等内容。LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件(LED灯)，LED发光的原理主要在于LED芯片的P-N结。一般来说，半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结(LED电视)。当电流通过导线作用

TVS二极管的应用与分析瞬态电压抑制器（TVS）具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、家用电器、仪器仪表等各个领域。本文将结合TVS应用的特点及使用注意事项，介绍TVS的几种典型应用电路，并通过TVS在热插拔电路保护和汽车电源线保护中应用的实例，来详细探讨如何正确应用TVS和使TVS的应用效能最佳。在实际的应用电路中，处理瞬时脉冲对器件损害的最好办法，就是将瞬时电流从敏感器件引开。为达到

基本概念：二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。二极管的伏安特性二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。通过晶体管图示仪观察到硅二极管的伏安特性如下图所示。正向特性1、外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不

续流二极管在开关电源的作用引言续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。从而保护了电路中的其它原件的安全。在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二

稳压二极管限流电阻怎么选择概述稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管 。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。稳压二极管起电压调节作用，当负载电流减少时，限流电阻两端电压降便下降，输出电压上升，即相对地加大稳压二极管的反向电压，稳压电流IZ上升，使IRS亦上升，限流电阻RS的管压降便上升，输出电压下降，结果输出电压保持不变。缺点是不能获得较大输出电流。电压调节百份比：电压的稳定程度，比数愈低愈好，当直流电压输入VS或负载电流IL变动,其

继电器为什么要并联二极管继电器为什么要并联二极管电感和电感器电感（inductor）是一个绕在磁性材料上的导线线圈（coil），电感通以电流时产生磁场（magnetic field），磁场很懒，不喜欢变化，结果呢，电感就成为阻碍其电流（current）变化的元件。如果流过电感的电流恒定，电感就很高兴，不用对电子流出任何力（force），此时的电感线圈就是普通导线。如果我们想中断电感中的电流，电感就会出力（电动势，EMF），试图维持其中电流。如果电感自身构成回路，电路中又没有电阻（resistanc

**细说MOS管知识-MOS管高端驱动与低端驱动解析和原理及区别**详解MOS管的高端驱动和低端驱动，我们先来看看什么是高端驱动、什么是低端驱动。高端驱动：高端功率开关驱动的原理非常简单，和低端功率开关驱动相对应，就是负载一端和开关管相连，另外一端直接接地。正常情况下，没有控制信号的时候，开关管不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之，如果控制信号有效的时候，打开开关管，于是电流从电源正端经过高端的开关管，然后经过负载流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所

MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管

加速电容的作用典型的加速电容电路图所示是脉冲放大器（一种放大脉冲信号的放大器）中的加速电容电路。电路中的Q1是三极管，是脉冲放大管，C1并联在R1上，C1是加速电容。C1的作用是加快Q1导通和截止的转换速度，所以称为加速电容。（1) 控制脉冲低电平，电路达到稳态时，晶体管截止，电容两端电压为零。（2） 控制脉冲高电平到来时，由于电容电压不能突变，电容的电压需继续保持零，这样，晶体管基极B电压突变到高电平（通过电容抬升），使晶体管迅速导通；当电容被充电到脉冲电平电压时；进入到稳态，电容电压为脉冲电

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的

1、IC直接驱动型这种电源IC的直接驱动是最常见、最简单的驱动方式。使用这种方法，我们应该注意几个参数及其影响。首先查看电源IC手册，了解最大峰值驱动电流，因为不同的IC芯片具有不同的驱动能力。其次，检查MOSFET的寄生电容，如图中的C1、C2和C3，如果容值较大，导通MOS管所需的能量也比较大。如果电源IC没有足够的峰值驱动电流，晶体管将以较慢的速度开启。如果驱动能力不足，上升沿可能会出现高频振荡，即使减小图1中的Rg也无法解决问题！而IC驱动能力、MOSFET寄生电容、MOSFET开关速度

一文彻底让你搞懂MOS管的工作原理及应用方法

差分放大电路利用电路参数的对称性和负反馈作用，有效地稳定静态工作点，以放大差模信号抑制共模信号为显著特征，广泛应用于直接耦合电路和测量电路的输入级。但是差分放大电路结构复杂、分析繁琐，特别是其对差模输入和共模输入信号有不同的分析方法，难以理解，因而一直是模拟电子技术中的难点。差分放大器工作状态上图a电路，是输入信号IN1=IN2的状态。（1）因输入端的“虚断”特性，同相输入端为高阻态，其输入电压值仅仅取决于R1、R2分压值，为2V。同相输入端的2V电压可以看作成为输入端比较基准电压；（2）因两输入

米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而

01请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）▶电阻美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic松下、ROHM罗姆、susumu、TDK台湾：LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ大陆：FH风华、捷比信▶

电感饱和怎么判断? 看完秒懂电感饱和的原因先直观的认识下什么是电感饱和，如图1:图1我们知道当图1线圈中通过电流时，线圈会产生磁场；磁芯在磁场的作用下会被磁化，其内部磁畴会慢慢旋转；当磁芯被完全磁化时，磁畴方向全部和磁场一致，即使再增加外磁场，磁芯也没有可以旋转的磁畴了，此时的电感就进入了饱和状态。从另一个角度来看，如图2所示的磁化曲线，磁通密度B与磁场强度H之间满足图2中右侧公式：当磁通密度达到Bm时，磁通密度不再随磁场强度的增大而大幅度增大，此时电感达到饱和。由电感与磁导率µ的关系式

要吃透MOS管，看这个就够了！

12个提升设计逼格的Pcb图设计细节

电感选型应该考虑哪些因素](https://www.eet-china.com/mp/a37893.html)