Stirng-Stringbuild-Stringbuffer区别

本文深入探讨了 Java 中 String 类的工作原理,包括字符串常量池的概念、String 对象的创建方式及内存分配,以及 String、StringBuffer 和 StringBuilder 的区别。特别强调了 String 的不可变性及其对性能的影响。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

1.String 先来看一段代码

public class StringTest {
    @org.junit.Test
    public void  fun(){
        String a="123";
        String a1="123";
        String b=new String("123");
        String c= new String("123");
        System.out.println(a==b);//false
        System.out.println(a.equals(b));//true
        System.out.println(c.equals(b));//true
        System.out.println(c==b);//false
        System.out.println(a==a1);//true

    }
}

==操作比较的是两个变量的值是否相等,对于引用型变量表示的是两个变量在堆中存储的地址是否相同,即栈中的内容是否相同。

    equals操作表示的两个变量是否是对同一个对象的引用,即堆中的内容是否相同。

    ==比较的是2个对象的地址,而equals比较的是2个对象的内容。

那么为什么 a==a1 会为true呢?在这里其实a和a1是统一个对象,看String的源码、可以看到类是final的,内部其实也是一个final的char数组,所以String对象不能改变他的值,

String a=“123”,其实是定义了一个字符串常量,String a1=“123”,会把这个常来拿过来接着用,对String对象进行 + 操作时,也是重新生成的字符创常量,

public final class String
    implements java.io.Serializable, Comparable<String>, CharSequence {
    /** The value is used for character storage. */
    private final char value[];
2.StringBuffer 和StringBuild

StringBuffer 和StringBuil都继承自抽象类 AbstractStringBuilder 他的内部同样是一个char数组,并且是可变的,所以在做大量字符串连接操作时,比String效率会更高


而两者的区别就是Stringbuffer的方法都加了synchronized关键字,它是线程安全的,相对与Stringbuild来说效率就低一点,Stringbuild适合在对多线程没有要求的情况下

使用,一般我们都是使用Stringbuild


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值