LUISUAN_TECH的博客

随着技术优化（如3D NAND、SLC缓存加速），QLC与TLC的实际体验差距正在缩小，但关键场景仍需根据需求权衡。需要更复杂的纠错机制（如LDPC）和主控算法来补偿稳定性，对温度敏感，高温下性能可能下降。趋势：QLC在追求大容量、低价格的场景中更具优势（如数据存储盘）。QLC：单位容量成本更低，适合大容量低价SSD（如4TB以上）。TLC：成本高于QLC，但性价比均衡，主流消费级SSD常用。选QLC：追求大容量且预算有限，适合存储低频使用的数据。选TLC：需要平衡性能、寿命与价格，适合多数日常使用。

绿算技术GP5000/GP6000系列采用NVMe盘片进行数据的保存，目前主流NVMe盘包括两种类型，分别是TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）。影响：QLC的寿命更短，需依赖主控算法的优化（如磨损均衡、纠错）来延长实际使用寿命。QLC：每个存储单元存储 4位数据，通过 16种电压状态（2⁴）区分不同数据。TLC：每个存储单元存储 3位数据，通过 8种电压状态（2³）区分不同数据。结果：QLC的存储密度更高，相同芯片面积下容量更大，但电压状态更复杂。