linux_cmd_line 参数太长

本文介绍在使用minicom工具时,如何通过开启lineWrap功能来实现长命令的一次性输入,解决因命令过长而难以操作的问题。
在minicom底下,由于vivi的启动参数(比如linux_cmd_line)较长,如何一次性输入很长的命令

minicom下,有个允许换行选项:lineWrap on/off ...W,按W进行设置
### 通信协议与命令流程 eMMC(嵌入式多媒体卡)控制器通过 `EMMC_CMD` 信号线发送命令,以实现与存储设备之间的通信。每个命令周期由主机发起一个命令(CMD),随后 eMMC 设备根据命令内容执行相应操作并返回响应(如 R1、R2 等)。例如,在识别和初始化阶段,系统会使用 `mmc_read_ext_csd` 和 `mmc_get_ext_csd` 函数调用 `mmc_send_cxd_data` 来读取扩展寄存器信息,这一过程涉及设置数据传输长度并执行数据通信操作,同时处理中断和超时机制 [^1]。 标准的命令周期中,主机在发送完一条命令后必须等待响应,不能立即发送下一条命令。这种“命令-响应”机制确保了通信的同步性和稳定性。不同命令具有不同的用途和触发条件,例如 CMD0 用于复位设备,CMD1 用于电压校验等 [^3]。 ### 指令集与响应类型 eMMC 支持多种标准命令,每条命令对应特定功能。常见的命令包括: - **CMD0 (GO_IDLE_STATE)**:使设备进入空闲状态。 - **CMD1 (SEND_OP_COND)**:请求设备报告其操作条件。 - **CMD6 (SWITCH_FUNC)**:切换设备功能模式,例如更改总线宽度或时钟频率。 - **CMD8 (SEND_EXT_CSD)**:读取扩展配置寄存器。 - **CMD13 (SEND_STATUS)**:查询当前设备状态。 - **CMD17/18 (READ_SINGLE_BLOCK / READ_MULTIPLE_BLOCK)**:读取单个或多个数据块。 - **CMD24/25 (WRITE_BLOCK / WRITE_MULTIPLE_BLOCK)**:写入单个或多个数据块 [^2]。 响应类型依据命令的不同而变化,常见的响应格式如下: - **R1**:基本响应,包含设备状态标志。 - **R2**:长响应,用于 CID 和 CSD 寄存器读取。 - **R3**:OCR(操作条件寄存器)响应,用于电压检测。 - **R6**:发布相对地址响应,用于 SD 卡识别。 - **R7**:接口测试响应,用于确认卡支持的协议版本 [^3]。 ### 调试方法与内核配置 在调试 eMMC 命令通信时,可通过查看内核日志或 Bootloader 输出来确认当前命令的执行情况及响应结果。例如,当系统发送 CMD8 并收到预期的 OCR 响应时,可以验证设备是否正确识别电压范围。此外,可利用 kprobe 技术对关键函数进行动态追踪,例如在 ARM64 架构下,通过注册 post_handler 回调函数捕获执行后的寄存器状态 [^4]。 在 Linux 内核中,开发者可以通过修改 `mmc_ios` 结构体中的参数来控制 eMMC 的工作模式,包括时钟频率、总线宽度和时序规范。以下是一个典型的配置示例: ```c struct mmc_ios { unsigned int clock; /* Clock frequency */ unsigned short vdd; unsigned char bus_mode; /* Command line mode */ unsigned char chip_select; unsigned char power_mode; unsigned char bus_width; /* Number of data lines */ unsigned char timing; /* Timing specification used */ }; ``` 若需启用 HS200 模式并设置时钟为 200 MHz,则可配置如下: ```c ios.clock = 200000000; ios.timing = MMC_TIMING_MMC_HS200; ``` 此配置将影响底层硬件控制器如何生成 `EMMC_CLK` 信号,并决定命令和数据的传输速率。 ### PCB 设计与信号完整性 在硬件设计中,`EMMC_CMD` 信号线应被视为高速信号路径进行布线。为了保证良好的信号完整性,需注意以下几点: - **阻抗匹配**:保持特性阻抗一致,通常为 50Ω。 - **走线长度匹配**:减少 CMD 与其他信号线之间的时序偏移。 - **参考地平面**:提供完整的参考地层以降低 EMI。 - **去耦电容**:在电源引脚附近放置高频去耦电容(如 100nF 和 10μF 并联)。 这些措施有助于提升 eMMC 控制器与存储芯片之间的通信可靠性,尤其是在高时钟频率下。 ---
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