见微知著，以小“控”大的三极管（六）

    三极管这事还有完没完？很遗憾地说，没有。

    三极管就是模拟电子电路的基础中的基础，在根基不牢的情况中，谈上层建筑是不切实际的，之所以把这个玩意翻来覆去，不厌其烦地反复研究，假设，论证，举例，是因为我当初在学习模拟电子电路的时候就是被书上那些不切实际的分类给搞糊涂了，等到真正地上升到应用层面再反回头来研究，发现书上好多东西是强拉因果关系，脱离应用实际的。我急切地希望大家能重新审视一下，站在应用的角度上，建立模拟电子电路的框架。

    废话少说，进入正题，这篇我们花点篇幅来搞定在实际中会应用地到的MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor,金属氧化物半导体场效应管)，也就是我们常说的MOS管。相比于结型管，MOS管更具有实际应用价值，在目前的电路设计中更加常见。我更喜欢将MOS管看做是结型管的又一次技术革新，使用了更加先进的材料，达到了更优的性能。

    相比于结型管，MOS管的改变在于Body（衬底）的出现，而衬底和源极相连，那么所谓的栅源电压实际上就是栅极和衬底的电压，如果衬底是P型，那么漏源极为N型；而如果衬底是N型，那么漏源极就为P型；而漏源极材料决定着导电沟道的类型，按照这个角度来想，MOS管的图形符号也就说得通，其箭头方向一定是P指向N；同理可得，N型管高导通，P型管低导通；而耗尽型MOS管与增强型MOS管区别在于，耗尽型MOS管