FLM7785-12F：内匹配GaAs FET赋能41.5dBm高增益微波传输系统

FLM7785-12F

内容介绍：
        哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 SUMITOMO 的一款功率 GaAs FET——FLM7785-12F。 它的 1dB 增益压缩点输出功率 (P1dB) 典型值高达 41.5dBm，这意味着它能稳定输出超过 14 瓦 的射频功率而不会显著失真。同时，它还能提供 8.5dB 的 1dB 增益压缩点增益 (G1dB)，像一位健壮的放大器，有效提升信号强度。更令人赞叹的是它的效率，功率附加效率 (PAE) 典型值达到 34%，在输出强大功率的同时，将相当一部分直流能量高效地转化为了射频能量，减少了能量的浪费和发热。

主要特性：
高输出功率：P1dB（1dB 增益压缩点输出功率）典型值 41.5dBm。
高增益：G1dB（1dB 增益压缩点增益）典型值 8.5dB。
高功率附加效率（PAE）：ηadd 典型值 34%。
低三阶交调失真（IM3）：在输出功率 30.5dBm 时，IM3 典型值 -46dBc。
宽带工作频率：覆盖 7.7 ~ 8.5GHz（C 波段）。
阻抗匹配：输入/输出阻抗（Zin/Zout）已内部匹配至 50Ω。

应用领域：
点对点微波通信（PtP）
微波中继通信
工业级无线通信
C波段雷达发射机
智能传感器

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