FLM4450-18F：内部匹配50Ω GaAs FET在C波段的突破

FLM4450-18F

内容介绍：
        哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 SUMITOMO 的一款功率 GaAs FET——FLM4450-18F。 它在4.8 GHz频率下能爆发出43 dBm（20W）的P1dB输出功率——这相当于为信号注入强劲动力，足以驱动远距离通信链路。而9.5 dB的功率增益则像“信号放大镜”，将微弱输入信号放大10倍以上，减少系统级联放大器的数量。

主要特性：
输出功率（P1dB）：43.0 dBm（典型值，约 20W）
功率增益（G1dB）：9.5 dB（典型值）
功率附加效率（ηadd）：36%（典型值）
三阶交调失真（IM3）：-46 dBc（@ Pout=32 dBm）
饱和漏电流（IDSS）：4800–6000 mA
夹断电压（Vp）：-1.0 至 -5.0 V
热阻（Rth）：1.6–1.8°C/W

应用领域：
       FLM4450-18F凭借C波段覆盖、20W功率、36%效率、-46dBc线性度及内部匹配50Ω的五维优势，成为卫星通信、5G基站、雷达系统三大核心领域的理想选择，同时在专网通信和测试仪器中提供高性价比解决方案。其设计直接针对现代射频系统对高能效、高线性度、小型化的刚性需求，是C波段中功率放大器的标杆级器件。

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