netty bytebuf

本文深入探讨了ByteBuf和ByteBuffer的特性与区别,包括它们的读写操作、动态扩展能力、内存管理方式以及在不同场景下的性能表现。通过对比heap和direct分配的特点,以及pooled和unpooled内存池的应用,帮助读者理解如何在高并发环境下选择合适的内存管理策略。

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bytebuf 字节数组缓冲区,

0 readerIndex writerIndex capacity 可边读边写

jdk bytebuffer: position,limit,capacity(position相当于readerIndex和writerIndex,取决于是处于read mode还是write mode,limit在write mode下是capacity,flip切换到read mode后limit固定在最后write的position)
动态扩展,write调用检查可用空间,可能会自动扩容(不超过maxCapacity)
bytebuffer不会,它需要我们自己检查可用空间
支持mark reset readerIndex和writerIndex,支持随机读写
duplicate 新对象共享内容,维护自己的 readerIndex和writerIndex
copy 新对象内容和索引都是自己的
slice 新对象共享内容,维护自己的 readerIndex和writerIndex,但是只含部分区域

常用实现:
heap :内存分配回收(jvm gc)快,IO读写时需额外复制到内核Channel,此时慢
direct 分配回收慢,无需额外复制
pooled 内存池,重用对象,推荐(高并发)
unpooled 简单
unsafe,使用PlatformDependent,具有平台相关性

内容概要:本文详细介绍了如何利用Simulink进行自动代码生成,在STM32平台上实现带57次谐波抑制功能的霍尔场定向控制(FOC)。首先,文章讲解了所需的软件环境准备,包括MATLAB/Simulink及其硬件支持包的安装。接着,阐述了构建永磁同步电机(PMSM)霍尔FOC控制模型的具体步骤,涵盖电机模型、坐标变换模块(如Clark和Park变换)、PI调节器、SVPWM模块以及用于抑制特定谐波的陷波器的设计。随后,描述了硬件目标配置、代码生成过程中的注意事项,以及生成后的C代码结构。此外,还讨论了霍尔传感器的位置估算、谐波补偿器的实现细节、ADC配置技巧、PWM死区时间和换相逻辑的优化。最后,分享了一些实用的工程集成经验,并推荐了几篇有助于深入了解相关技术和优化控制效果的研究论文。 适合人群:从事电机控制系统开发的技术人员,尤其是那些希望掌握基于Simulink的自动代码生成技术,以提高开发效率和控制精度的专业人士。 使用场景及目标:适用于需要精确控制永磁同步电机的应用场合,特别是在面对高次谐波干扰导致的电流波形失真问题时。通过采用文中提供的解决方案,可以显著改善系统的稳定性和性能,降低噪声水平,提升用户体验。 其他说明:文中不仅提供了详细的理论解释和技术指导,还包括了许多实践经验教训,如霍尔传感器处理、谐波抑制策略的选择、代码生成配置等方面的实际案例。这对于初学者来说是非常宝贵的参考资料。
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