9、NAND闪存上的B树层(BFTL)

NAND闪存上的B树层(BFTL)

1. NAND闪存的特点

NAND闪存因其抗震、低能耗和非易失性等特性，已成为嵌入式系统中常用的存储介质。一个典型的NAND闪存芯片由若干个块组成，每个块包含多个页。每个页由512字节的主要区域和16字节的备用区域构成，主要用于存储数据和错误校正码（ECC）。NAND闪存支持三种基本操作：读取、写入（编程）和擦除。

1.1 操作特点

• 读取 ：从目标页获取数据。
• 写入 ：将数据写入页中，但必须在写入之前进行擦除。
• 擦除 ：将目标块的所有值重置为1，按块进行。

NAND闪存的擦除前写入架构意味着写入操作必须在擦除之后才能进行，这增加了操作的复杂性和时间成本。此外，读/写/擦除操作的速度不对称，写入和擦除操作比读取操作需要更长时间。

2. 闪存转换层（FTL）

为了克服NAND闪存的擦除前写入限制，通常使用闪存转换层（Flash Translation Layer, FTL）。FTL通过逻辑到物理地址的映射来隐藏擦除前写入的限制，并减少写入和擦除操作的次数。FTL的主要作用包括：

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