本文详细介绍了COMS模拟集成工艺中的关键参数，包括电阻、电容、电感的限制，连线电流与PAD端电流的最大值，以及不同纳米工艺下的阈值电压和制作费用。还探讨了芯片尺寸、衬底厚度、工艺隔离、封装技术(SIP)以及阈值电压(Vth)的调节对低功耗设计的影响。强调了设计中考虑鲁棒性、可测性和文档记录的重要性。
COMS模拟集成工艺下：
电阻R<几M欧姆
1.Nwell（或N+）做电阻，在衬底上作，高频导线有电感，瞬时低于p衬底电压会软击穿。
2.poly上加氮化物减小方块电阻。
3.在高频下用提高反馈电阻Rf来增大增益是没什么效果的，因为此时load端有寄生电容分流。
电容C<10pF （uf有时也可考虑吧？）
电容有很多做法，ex.金属+poly
Cgs和Cgd在 0.13um工艺下为fF(e-15)；
电感L<10nF
Q=WL/R=10~15 ；一般尽量避免电感，因为面积大，成本高，坐在最上面一层，因为厚。
ro >> 1/gm >> 1/gmb
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