SPOJ 3261 Race Against Time

本文介绍了一种将线段树与Treap相结合的数据结构实现方法。通过使用Treap(一种基于二叉搜索树的随机化平衡树)来维护线段树节点,实现了区间查询与更新操作。该实现涉及复杂的节点旋转与大小更新等操作。

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线段树套TREAP。。。。。不太会写,调了N久


#include <algorithm>
#include <iostream>
#include <cstdio>
#include <cstring>
#include <cmath>
using namespace std;
const int N=100005;
int a[N];
inline int ran() { static int ranx = 654123789; return ranx += ranx<<2|1; }
struct Node {
        Node *ch[2];
        int val, sz, r;
}memo[N*50], *nill;
struct TREAP
{
    Node *root;
} treap[N<<2];
int tot;
struct SEG
{
    int l, r, mid;
} seg[N<<2];
void up(Node *o) {
        if (o==nill) return ;
        o->sz = o->ch[0]->sz + o->ch[1]->sz + 1;
}
void New_node(Node *&o,int val=0) {
        o = &memo[tot++];
        o->ch[0] = o->ch[1] = nill;
        o->sz = 1;
        o->r = ran();
        o->val = val;
        up(o);
}

void l_rotate(Node *&o)
{
    Node *b=o->ch[1];
    o->ch[1]=b->ch[0];
    b->ch[0]=o;
    o=b;
    b=o->ch[0];
    b->sz=b->ch[0]->sz+b->ch[1]->sz+1;
    o->sz=o->ch[0]->sz+o->ch[1]->sz+1;
}
void r_rotate(Node *&o)
{
    Node *b=o->ch[0];
    o->ch[0]=b->ch[1];
    b->ch[1]=o;
    o=b;
    b=o->ch[1];
    b->sz=b->ch[0]->sz+b->ch[1]->sz+1;
    o->sz=o->ch[0]->sz+o->ch[1]->sz+1;
}
void ins(Node *&o,int val) {
    if(o==nill){
        New_node(o,val);
        return;
    }else if(val<o->val){
        ins(o->ch[0],val);
        if(o->ch[0]->r < o->r){
            r_rotate(o);
        }
    }else{
        ins(o->ch[1],val);
        if(o->ch[1]->r < o->r){
            l_rotate(o);
        }
    }
    up(o);
}
void del(Node *&o,int val) {
    if(val==o->val){
        if(o->ch[0]==nill||o->ch[1]==nill){
            Node *t=o;
            if(o->ch[1]==nill){
                o=o->ch[0];
            }else{
                o=o->ch[1];
            }
            t=nill;
        }else{
            if(o->ch[0]->r<o->ch[1]->r){
                r_rotate(o);
                del(o->ch[1],val);
            }else{
                l_rotate(o);
                del(o->ch[0],val);
            }
        }
    }else if(val<o->val){
        del(o->ch[0],val);
    }else{
        del(o->ch[1],val);
    }
    up(o);
}
int getpos(Node *&o,int va)
{
    if(o==nill){
        return 0;
    }
    if(va<o->val) return getpos(o->ch[0],va);
    return o->ch[0]->sz+1+getpos(o->ch[1],va);
}
void build(int l,int r,int rt)
{
    seg[rt].l=l, seg[rt].r=r, seg[rt].mid=(l+r)>>1;
    int i, p;
    treap[rt].root=nill;
    for(i=l;i<=r;i++){
        ins(treap[rt].root,a[i]);
    }
    if(l==r) return;
    build(l,seg[rt].mid,rt<<1);
    build(seg[rt].mid+1,r,rt<<1|1);
}
int query(int l,int r,int rt,int va)
{
    if(l<=seg[rt].l&&seg[rt].r<=r){
        return getpos(treap[rt].root,va);
    }
    int ret=0;
    if(l<=seg[rt].mid) ret+=query(l,r,rt<<1,va);
    if(r>seg[rt].mid) ret+=query(l,r,rt<<1|1,va);
    return ret;
}
void update(int id,int rt,int va1,int va2)
{
    del(treap[rt].root,va1);
    ins(treap[rt].root,va2);
    if(seg[rt].l==seg[rt].r){
        return;
    }
    if(id<=seg[rt].mid) update(id,rt<<1,va1,va2);
    else update(id,rt<<1|1,va1,va2);
}
int main() {
    int n, m, i, j, p, q, x;
    char s[33];
    while(~scanf("%d%d",&n,&m)) {
        tot=0;
        for(i=1;i<=n;i++) scanf("%d",&a[i]);
        New_node(nill);
        nill->sz=0;
        build(1,n,1);
        while(m--){
            scanf("%s",s);
            if(s[0]=='M'){
                scanf("%d%d",&p,&x);
                update(p,1,a[p],x);
                a[p]=x;
            }else{
                scanf("%d%d%d",&p,&q,&x);
                printf("%d\n",query(p,q,1,x));
            }
        }
    }
    return 0;
}


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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