对于物理验证中的LVS,需要对各种物理器件进行SpiceVsGDS的比对,基于现在流行的std-cell的库的设计方法,LVS需要对CMOS器件多相应的处理,这里会涉及到一些具体的物理库的知识和小的技巧,这里结合具体的物理设计和CDL形态,一起探讨一下std-cell的在LVS的特殊处理,ICer GO!
标准单元库一瞥
常规的标准单元库(std-cell)是标准的CMOS设计,由于采用P衬底的设计出来的CMOS器件的速度优势,目前业界流行的做法就是采用P型衬底(P substrate)来实现的
- NMOS 直接坐在P-sub上
- PMOS 则做在P-sub上的NWELL
譬如下面的一个简单的工艺刨面图

以上边的NMOS为例,通常有更为常见的是下面的一个示意图

比较上述两个图,可以看到,每一个NMOS都会有一个bulk(体)的连接(有些场合也被称作body)

在NMOS里边,这个bulk的作用就是将当前NMOS的P-sub做一个连接,通常P-sub是连接到VSS上的。
如果芯片里边有非常多的std-cell连续分布(这个也是常规做法),那么在版图里边就会有类似下列的一个刨面图:
LVS中的std-cell处理与v2lvs高级应用

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