URAL 1012 K-based Numbers. Version 2 dp+大数

Let’s consider K-based numbers, containing exactly N digits. We define a number to be valid if its K-based notation doesn’t contain two successive zeros. For example:
  • 1010230 is a valid 7-digit number;
  • 1000198 is not a valid number;
  • 0001235 is not a 7-digit number, it is a 4-digit number.
Given two numbers N and K, you are to calculate an amount of valid K based numbers, containing N digits.

You may assume that 2 ≤ K ≤ 10; N ≥ 2; N + K ≤ 1800.

这个题目和之写过的dp 一样 只不过数位比较大,必须用大数,然而本人并不会大数,于是乎找了一位学长ac的模板

蓝儿奇怪的是, 学长AC代码窝交的时候就变成的RE地址不够 ,这看脸的社会啊; 蓝儿把大小开到题目要求的极限的大小之后 MLE 了。 窝感到了这个世界深深地恶意。蓝儿,窝又在网上找到了一个只适用这个题目的大数模板的AC代码,果蓝RE数组不够大,这看颜的世界啊,他们是怎么AC的。窝感受到了世界深深地恶意。然而新的模板改了以后就可以ac了。。。。

学长的模板 看去来就好高大上啊。。。。。。蓝儿AC不了,不知道是不是哪里抄错了么

#include <cstdio>
#include <cstring>
#include <algorithm>
#include <iostream>
using namespace std;
const int  N = 200;
struct big{
    int s[N],len;
    big(){
        memset(s, 0, sizeof(s));
        len = 1;
    }
    big (int num) { *this = num;}
    big (const char *num) { *this = num;}
    big operator = (const int num){
        char s[N];
        sprintf(s, "%d", num);
        *this = s;
        return *this;
    }
    big operator = (const char *num){
        len = strlen(num);
        while(len > 1&& num[0] == '0') num++,len--;
        for(int i = 0; i < len; i++) s[i] = num[len-i-1]-'0';
        return *this;
    }
    void deal()
    {
        while(len > 1 && !s[len-1]) len--;
    }
    big operator + (const big &a) const{
        big ret;
        ret.len = 0;
        int top = max(len,a.len), add = 0;
        for(int i = 0; add || i < top; i++)
        {
            int now = add;
            if( i < len) now += s[i];
            if( i < a.len) now += a.s[i];
            ret.s[ret.len++] = now%10;
            add = now/10;
        }
        return ret;
    }
    string str() const{
        string ret = "";
        for(int i = 0; i < len; i++) ret = char(s[i]+'0')+ret;
        return ret;
    }
};
istream & operator >> (istream& in,big &x){
    string s;
    in >> s;
    x = s.c_str();
    return in;
}
ostream& operator << (ostream & out, const big &x) {
    out << x.str();
    return out;
}
big dp[220][12];
int n,k;
void input()
{
    scanf("%d%d",&n,&k);
}
void slove()
{
    for(int i = 1; i < k; i++)
    {
        dp[1][i] = 1;
    }
    for(int i = 2; i <= n; i++)
    {
        for(int j = 0; j < k; j++)
        {
            for(int l = 0; l < k; l++)
            {
                if(!j && !l) continue;
                dp[i][l] = dp[i][l] + dp[i-1][j];
            }
        }
    }
    big ans = 0;
    for(int i = 0; i < k; i++)
        ans = ans + dp[n][i];
    cout<<ans<<endl;
}
int main()
{
    input();
    slove();
    return 0;
}

网上得到后修改 了的AC代码

#include <cstdio>
#include <cstring>
#include <algorithm>
#include <iostream>
using namespace std;
const int  N = 1800;
struct big{
    int s[N],len;
};
big dp[1800];
int n,k;
void trans(int x)
{
    for(int i = 1; i <= dp[x].len; i++)
    {
        dp[x].s[i+1]+=dp[x].s[i]/10;
        dp[x].s[i]%=10;
    }
    while(dp[x].s[dp[x].len+1] > 0)
    {
        dp[x].len++;
        dp[x].s[dp[x].len+1] = dp[x].s[dp[x].len]/10;
        dp[x].s[dp[x].len]%=10;
    }
}
int main()
{
    while(scanf("%d%d",&n,&k)!=EOF)
    {
        memset(dp,0,sizeof(dp));
        dp[1].len = 1; dp[1].s[1] = k - 1; trans(1);
        dp[2].len = 1; dp[2].s[1] = (k-1)*k; trans(2);
        for(int i = 3; i <= n; i++)
        {
            dp[i].len = dp[i-1].len;
            for(int j = 1; j <= dp[i-1].len; j++)
            {
                dp[i].s[j] = dp[i-1].s[j] + dp[i-2].s[j];
            }
            trans(i);
            for(int j = 1;j <= dp[i].len; j++) dp[i].s[j]*=(k-1);
            trans(i);
        }
        for(int i = dp[n].len; i >= 1; i--)
            printf("%d",dp[n].s[i]);
        printf("\n");
    }
    return 0;
}

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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